吴胜军
,
方为茂
,
赵红卫
,
昌宇奇
,
冯波
,
熊莹
,
林学理
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2009.06.014
气浮工艺中气泡的大小是衡量气泡制造技术的关键.研究了陶瓷微孔膜管产生微气泡的条件,并对两种不同材质的微孔膜管产生微气泡的结果进行了比较,从气泡形成机理上分析了影响气泡粒径分布的因素.实验采用静态显微摄像技术和图像分析系统时气泡粒径分布进行了表征.实验结果表明,利用陶瓷微孔膜管产生的气泡粒径主要集中在15~50 μm之间,平均粒径在25.7~44.2 μm之间.微孔膜管的孔径大小、表面性能,气体流量,剪切流流速,液体表面张力,黏度是影响气泡粒径分布的主要因素.
关键词:
气浮
,
陶瓷微孔膜管
,
微气泡
,
气泡粒径分布
徐延冰
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.002
将具有负宇称的 fp 空间扩大到包含1g9/2 轨道, 采用修正的表面相互作用(MSDI), 对64Ge, 66Ge, 68Ge, 70Se, 72Se, 74Se, 76Kr 和 78Kr等偶偶核作了形变Hartree-Fock计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对偶偶核64Ge, 74Se和奇A核79Kr进行了能谱计算, 得到其正、负宇称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.
关键词:
形变Hartree-Fock态
,
角动量投影
,
单粒子能谱
,
反常宇称态
钱以斌
,
任中洲
,
倪冬冬
原子核物理评论
对Pb附近Z=78-82奇A核同质异能态IT衰变(或称为同质异能跃迁包括γ跃迁和内转换)的实验数据进行了系统的分析,发现了奇A核同质异能态IT衰变半衰期的一个简单的规律:同位素链上角动量和宇称相同的同质异能态,半衰期的对数随质量数之间符合二次曲线关系.这说明了IT衰变的半衰期和质量数A之间有着一个指数关系.对这一段同质异能态衰变中跃迁多极性的分析可让人们对有关物理性质有更清楚的认识.对发现的简单规律也给出了可能的物理解释.
关键词:
奇A核
,
IT衰变半衰期
,
简单规律
王华磊
,
宋立涛
,
赵维娟
,
刘忠侠
,
张玉虎
,
周小红
,
郭应祥
,
雷祥国
,
柳敏良
,
郑勇
,
温淑贤
,
竺礼华
,
吴晓光
,
许甫荣
原子核物理评论
通过重离子熔合蒸发反应142Nd(32S,1p3nγ)170Re布居了缺中子双奇核170Re的高自旋激发态,识别出了该核的一条转动带并建议了其组态为πh1/2 vi13/2.基于对同中子素能级系统性、旋称反转系统性、带内B(M1)/B(E2)、准粒子Routhians、动力学转动惯量和Total Routhian Surface(TRS)等带结构特征的详细分析和讨论,进一步确认了对A=170核区目前最缺中子双奇核高自旋转动带组态、宇称和自旋值的指定.
关键词:
转动带
,
双奇核
,
在束γ谱学
程长征
,
程香
,
牛忠荣
,
周焕林
复合材料学报
利用一种数值方法分析压电材料切口尖端包括奇异应力场和奇异电位移场在内的双重奇异性.基于切口尖端的位移场按幂级数渐近展开假设,从应力平衡方程和Maxwell方程出发,推导出关于压电材料切口奇性指数的特征方程组,同时将切口的力学和电学边界条件转化为奇性指数和特征函数的组合表达,从而将压电材料双重奇性分析问题转化为在相应边界条件下微分方程组的特征值求解问题,采用插值矩阵法,可以一次性地计算出压电材料切口的各阶奇性指数.裂纹作为切口的特例,其尖端的电弹性奇性指数亦可以根据本法求出.
关键词:
压电材料
,
切口
,
裂纹
,
奇性指数
,
渐近展开
周厚兵
,
周小红
,
张玉虎
,
郑勇
,
李广顺
,
M.Oshima
,
Y.Toh
,
M.Koizumi
,
A.Osa
,
Y.Hatsukawa
原子核物理评论
应用E-GOS(E-Gamma Over Spin)曲线方法研究了A≈110质量区奇A核结构随角动量增加的演化,发现随着角动量的增加原子核的激发特性从振动逐渐演化为转动.
关键词:
E-GOS曲线
,
相变
,
形状演化
材料研究学报
<正> 1990年11月15日是中国科学院学部委员、技术科学部主任、国家自然科学基金委员会副主任、中国科学院金属研究所名誉所长师昌绪同志的七十华诞之日。师昌绪同志以其渊博的学识、严谨的学风、勤奋的工作态度,尤其是对祖国、对人民、对社会主义制度的挚诚的爱心,赢得了广大科技工作者的尊敬,成为我们学习的榜样。
关键词: