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负热膨胀材料Sm0.85Sr0.15MnO3-δ制备及热膨胀性能研究

李玉成 , , 张牛 , 梁二军

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.03

以Sr2+部分替代SmMnO3中的Sm3+,采用固相法成功制备出新的负膨胀材料Sm0.85Sr015MnO3-δ.其线膨胀系数为-10.08×10-6/K(360 ~873 K);SEM观察其组织为单一的球状或椭球状颗粒;其相对密度为95.5%;XRD和EDS分析表明,Sm0.85Sr0.15 MnO3-δ为正交结构(空间群pbnm);DSC和TGA曲线支持了Sm0.85Sr0.15MnO3-δ在温度升高时Mn4+ O6八面体畸变及氧缺陷的存在.Sm0.85Sr0.15MnO3-δ的热膨胀机制为晶格振动和Mn离子间电子转移两个因素共同作用:当温度低于360 K时,随着温度的升高,晶格振动加剧引起晶胞体积增大占优,Sm0.85Sr0.15MnO3-δ呈现低正膨胀性能;当温度高于360 K时,随着温度的升高,Mn4+转化成Mn3+的离子数增加,导致Mn3+O6八面体畸变增大甚至产生氧缺陷,使得晶格体积变小占优,Sm0.85Sr0.15MnO3-δ呈现负膨胀性能.

关键词: 负热膨胀 , Sm0.85Sr0.15MnO3-δ , 晶格畸变 , Jahn-Teller效应 , 氧缺陷

Mn掺杂Ga2O3薄膜的结构及光吸收性能研究

胡帆 , , 梁二军 , 姜雅丽

材料导报

采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究.结果表明,适量掺杂Mn可抑制薄膜的晶格膨胀,促进Ga2O3薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的多面体晶粒.Mn掺杂使Ga2O3价带项向带隙延伸,光学带隙变窄,吸收边红移,近紫外区吸收增强.

关键词: Ga2O3薄膜 , Mn掺杂 , 磁控溅射 , 微观结构 , 光吸收性能

镍基底上生长CNx纳米管薄膜的研究

丁佩 , 郭新勇 , 张经纬 , , 梁二军

无机材料学报

以乙二胺为前驱液,采用高温热解法,860℃下在镍基底表面生长CNx纳米管薄 膜.研究了经过不同实验条件处理过的镍基底表面的CNx纳米管的生长情况.实验结果表明, 经过不同的预处理过程后,镍基底对CNx纳米管的生长表现出不同的催化性能,经过氢氟酸 (HF)浸泡10min并无水乙醇超声清洗过的镍基底有利于具有"竹节状"结构的CNx纳米管的 生长.

关键词: 镍基底 , CNx nanotubes , thermal decomposition , Raman spectra

正交相Y2Mo3O12薄膜的制备及光吸收性能研究

程慧 , , 梁二军 , 姜雅丽 , 刘志锋

材料导报

采用磁控溅射法在Si(100)和石英衬底上沉积Y2Mo3O12,并经退火处理获得正交相Y2Mo3O12薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射仪、变温拉曼光谱仪和紫外-可见光谱计研究了薄膜的表面形貌、结晶特性、吸湿性和光吸收性能.结果表明,磁控溅射沉积Y2Mo3O12薄膜为非晶态,退火后结晶为正交相结构.正交相Y2Mo3O12薄膜表面平整、晶粒细小,具有可逆的脱水吸水性能,其光学带隙宽度为4.58eV,对近紫外光(波长286~270nm)具有很好的吸收性能,可应用于日盲探测器中.

关键词: 磁控溅射 , Y2Mo3O12薄膜 , 拉曼光谱 , 光吸收性能

钒掺杂纳米TiO2薄膜的结构和光吸收性能

张晓勇 , , 梁二军 , 胡帆 , 袁斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00034

采用磁控溅射法制备了不同V含量的纳米TiO2薄膜,利用SEM、XRD、Raman光谱和UV-vis吸收光谱对V掺杂TiO2薄膜的表面形貌、结晶特性、晶格应力和光吸收性能进行了分析.结果表明,V掺杂可促进TiO2薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的哑铃状晶粒,且可抑制薄膜的晶格膨胀和金红石型晶粒的生成.V掺杂TiO2薄膜处于压应力状态,且应力随V含量增加而增大.V掺杂使导带底向带隙延伸,TiO2薄膜光学带隙变窄,光响应范围从紫外区红移到可见光区域,提高了薄膜对可见光的吸收率.

关键词: 二氧化钛薄膜 , microstructure , photo-absorption property

原位生成WC-B4 C增强镍基激光熔覆层及其性能研究

周思华 , , 刘奎立 , 郭艳花

表面技术

目的:通过激光熔覆技术,在Q235钢表面原位生成WC-B4 C增强镍基熔覆层。方法以WO3, B2 O3,C和Ni60混合粉末为预涂原料,采用激光熔覆技术原位生成WC-B4 C增强镍基熔覆层,对熔覆层的显微组织和物相构成进行分析,研究其摩擦磨损性能。结果采用合适的工艺参数,通过原位生成WC-B4 C形成的增强镍基涂层形貌良好,与基材呈现较好的冶金结合。熔覆层平均硬度1200HV0.3,摩擦磨损失重仅为纯Ni60熔覆层的1/3。结论熔覆层硬度较高,耐磨性很好。大量原位生成的WC-B4 C增强相及其均匀分布是熔覆层硬度和耐磨性提高的原因。

关键词: 激光熔覆 , 原位生成WC-B4 C , 显微组织 , 耐磨性

镍基底上生长CNx纳米管薄膜的研究

丁佩 , 郭新勇 , 张经纬 , , 梁二军

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.030

以乙二胺为前驱液,采用高温热解法,860.C下在镍基底表面生长CNx纳米管薄膜.研究了经过不同实验条件处理过的镍基底表面的CNx纳米管的生长情况.实验结果表明,经过不同的预处理过程后,镍基底对CNx纳米管的生长表现出不同的催化性能,经过氢氟酸(HF)浸泡10min并无水乙醇超声清洗过的镍基底有利于具有"竹节状"结构的CNx纳米管的生长.

关键词: 镍基底 , CNx纳米管 , 高温热解 , 拉曼光谱

碳纳米管和镓掺杂碳纳米管场发射性能研究

柳堃 , , 李华洋 , 梁二军 , 袁斌

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.038

采用催化热解方法分别制备出碳纳米管和镓掺杂碳纳米管,并利用丝网印刷工艺将其制备成纳米管薄膜.对此薄膜进行低场致电子发射测试表明,碳纳米管和镓掺杂纳米管开启电场分别为2.22和1.0V/μm,当外加电场为2.4V/μm,碳纳米管发射电流密度为400μA/cm2,镓掺杂纳米管发射电流密度为4000μA/cm2.可见镓掺杂碳纳米管的场发射性能优于同样条件下未掺杂时的碳纳米管.对镓掺杂纳米管场发射机理进行了探讨.

关键词: 碳纳米管 , 镓掺杂碳纳米管 , 场发射

钒掺杂纳米TiO2薄膜的结构和光吸收性能

张晓勇 , , 梁二军 , 胡帆 , 袁斌

无机材料学报

采用磁控溅射法制备了不同V含量的纳米TiO2薄膜,利用SEM、XRD、Raman光谱和UV-vis吸收光谱对V掺杂TiO2薄膜的表面形貌、结晶特性、晶格应力和光吸收性能进行了分析.结果表明,V掺杂可促进TiO2薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的哑铃状晶粒,且可抑制薄膜的晶格膨胀和金红石型晶粒的生成.V掺杂TiO2薄膜处于压应力状态,且应力随V含量增加而增大.V掺杂使导带底向带隙延伸,TiO2薄膜光学带隙变窄,光响应范围从紫外区红移到可见光区域,提高了薄膜对可见光的吸收率.

关键词: 二氧化钛薄膜 , 钒掺杂 , 微观结构 , 光吸收性能

可控膨胀Zr2P2WO12/Ni复合材料的制备及性能

李伟杰 , 王朝勇 , 戚瑞琼 , 姚宁 , , 梁二军

人工晶体学报

采用化学共沉淀法制备陶瓷Zr2P2WO12 (ZWP)和金属Ni复合材料粉体,烧结过程中还原剂柠檬酸将金属Ni2+还原.粉体中ZWP粒径100~200 nm,金属Ni粒径50~100 nm,且混合均匀.复合材料块体的制备采用冷压和放电等离子体烧结(SPS)两种方法,结果表明SPS制备的样品具有更好的块体致密度,可达84%以上.研究表明,通过调节Ni离子的掺杂比例可制备出热膨胀系数从负值到正值的可控热膨胀系数复合材料.当Zr2P2WO12/Ni的摩尔比为5∶5时,制备出的材料为近零膨胀复合材料.

关键词: 化学共沉淀 , 可控热膨胀材料 , Zr2P2WO12/Ni

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