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GMR硬磁偏置层加工技术

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.016

磁控溅射是一种能够在低温条件下生长大面积优质薄膜的工艺,广泛用在磁传感器和存储等领域.本文研究了在巨磁电阻(Giant Magneto Resistance:GMR)多层膜周围溅射接触紧密的CoCrPt硬磁膜的工艺,使得硬磁膜能为GMR提供磁场偏置,以解决小尺度GMR的噪声问题.研究中采用了1:5的...

关键词: 巨磁电阻 , 磁控溅射 , 湿法刻蚀 , 粗糙度 , 种子层

磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究

刘华瑞 , 任天令 , 曲炳郡 , 刘理天 , 库万军 , 李伟 , 杨芝茵

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.009

通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(103/4π)A/m.研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能...

关键词: 自旋阀 , 巨磁电阻 , 矫顽力

RIE对巨磁电阻自旋阀磁性能的影响

曲炳郡 , 任天令 , 刘华瑞 , 刘理天 , 李志坚 , 库万军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.014

对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/T...

关键词: 巨磁电阻 , RIE , 自旋阀

磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究

欧阳可青 , 任天令 , 刘华瑞 , 曲炳郡 , 刘理天 , 李伟

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.004

采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀.研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳.研究了退火制...

关键词: 自旋阀 , 底钉扎 , 巨磁电阻 , 退火效应

IrMn顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究

刘华瑞 , 任天令 , 曲炳郡 , 刘理天 , 库万军 , 李伟

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2003.06.005

通过直流磁控溅射法在硅/二氧化硅基底上沉积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况,及自旋阀的磁性能,结果表明,自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能与Ta缓冲层厚度有密切的关系,在Ta缓冲层为3nm时自旋阀的磁电阻率(9.24%)和...

关键词: 巨磁电阻 , 自旋阀 , Ta缓冲层

钙钛矿结构氧化物电脉冲诱发可逆变阻机理的研究进展

黄丽娜 , 曲炳郡 , 刘理天

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.031

系统论述了钙钛矿结构氧化物电脉冲诱发可逆变阻效应的非挥发存储机理,对三种物理模型:体效应模型、界面效应模型和导电畴隧穿模型进行了详细讨论,并提出了可逆变阻效应的实用化所面临的关键问题及其发展方向.

关键词: 电脉冲诱发电阻转变 , 钙钛矿结构氧化物 , 庞磁电阻 , 电阻随机存取存储器

La0.67 Sr0.33 MnO3外延薄膜的电脉冲诱发可逆变阻效应

黄丽娜 , 曲炳郡 , 刘理天

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.047

采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3,(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67 Sr0.33 MnO3,(LSMO)外延薄膜,通过X射线衍射仪和原子力显微镜表征其晶体取向与表面形貌,并对Ag-LSMO结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行研究.结果表明,在±4V、50ns对称脉冲作用下,LSMO...

关键词: La0.67 Sr0.33 MnO3 , 脉冲激光沉积 , 电脉冲诱发电阻转变 , 电阻随机存取存储器