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一种具有荧光猝灭作用的光折变聚合物的合成及表征

孙连来 , 罗炫 , 陈姝帆 , 方瑜 , 张庆军 , 蒋晓东 , , 屈玉峰

高分子材料科学与工程

采用后重氮偶合反应,得到一种具有荧光猝灭作用的光折变聚合物.采用核磁共振(31P-NMR和1 H-NMR)、红外(IR)光谱、凝胶渗透色谱(GPC)、热重分析(TG)和差示扫描量热(DSC)对该聚合物进行表征和分析,以325nm的激发波长对该聚合物进行固体瞬态荧光发射光谱测试.结果表明,该聚合物具有良好的热稳定性,在290℃开始分解,450℃时基本分解完全.聚合物较低的分子量(Mw=5.36×103g/mol)赋予其较低的玻璃化转变温度(Tg=39℃).光折变聚合物在分子间形成若干大闭合环路结构,形成的自旋-轨道耦合增加了“系间窜越”的速率,使得聚合物产生迟滞荧光,并且产生荧光猝灭作用.

关键词: 后重氮偶合 , 荧光猝灭作用 , 光折变聚合物 , 固体瞬态荧光 , 迟滞荧光

SiO2薄膜在金属基体表面防护领域中的研究进展

商孟莹 , 刘淼 , , 罗炫 , 叶鑫 , 唐永建 , 蒋晓东

材料导报

SiO2薄膜具有良好的硬度以及耐磨抗蚀等特性,在金属表面防护方面有着广泛应用.结合其制备及改性方法,系统介绍了近年来SiO2薄膜在金属基体表面防护方面的研究进展,重点关注不锈钢、镁、铝等几种较活泼金属,同时总结了该领域面临的一些问题并展望了今后的发展方向.

关键词: 二氧化硅 , 薄膜 , 改性 , 金属 , 表面防护

改进两步法制备高透光率SiO2气凝胶的研究

刘文洋 , 罗炫 , , 方瑜 , 杨睿戆 , 张庆军 , 蒋晓东

硅酸盐通报

以正硅酸甲酯为硅源,采用溶剂甲醇和N,N-二甲基甲酰胺,通过酸碱两步催化溶胶-凝胶法,结合CO2超临界干燥技术制备出高透光率SiO2气凝胶.利用扫描电镜、比表面积和空隙分析仪、紫外-可见分光光度计对该气凝胶的结构和光学性能进行了研究.结果表明,用N,N-二甲基甲酰胺为溶剂获得的气凝胶具有好的三维纳米多孔结构,平均孔径15.16 nm,比表面积922.1 m2/g;0.4 cm厚的样品在波长800 nm处的透光率高达92.4%.由于该气凝胶具有较高的透过率,因此在太阳能集热器方面具有极高的应用价值.

关键词: SiO2气凝胶 , DMF , 两步法 , 溶胶-凝胶 , 透光率

不同加料方式对共沉淀法制备YAG纳米粉体的影响

马飞 , , 蒋晓东 , 叶鑫 , 周信达 , 黄进

人工晶体学报

用共沉淀法制备了钇铝石榴石(Y3Al5O12)纳米粉体,研究了正滴定、反滴定和一步注入工艺对钇铝石榴石纳米粉体合成过程及最终产物的影响.利用X射线衍射仪、傅立叶红外光谱仪、同步热分析仪、场发射电子显微镜对YAG前驱体及不同温度煅烧后的粉体进行表征.结果表明:通过正滴定、反滴定和一步注入工艺,分别制备出化学组成为10[8.9Al(OH)3+1.1NH4Al·(OH)2CO3]·3 [Y2(CO3)3· 3H2O]、10[7.3Al(OH)3 +2.7NH4Al·(OH)2CO3]·3[Y2(CO3)3·3H2O]、10[Al(OH)3]·3[Y2(CO3)3·3H2O]的前驱体.前驱体经900℃煅烧2h后,正、反滴定工艺得到的粉体主相为YAG(Y3Al5O12),但有少量的YAP(YAlO3),一步注入工艺则得到纯的YAG相.晶粒尺寸分别为85 nm、70 nm和65nm,且一步注入工艺获得的粉体粒径分布较窄,分散性良好.

关键词: 钇铝石榴石(YAG) , 共沉淀法 , 纳米粉 , 十二烷基苯磺酸

复合添加剂对方镁石-尖晶石砖性能的影响

, 董生永 , 蒋明学 , 江阔 , 郝英

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2002.04.006

以电熔镁砂和烧结镁铝尖晶石为原料,以TiO2、ZrO2、Al2O3和Fe2O3组成复合添加剂进行正交实验,测定了试样的体积密度和耐压强度,对实验数据进行了正交直观分析,并对试样进行了XRD分析和SEM分析.结果发现:添加剂影响耐压强度的顺序为TiO2>ZrO2>Fe2O3>Al2O3;试样的主晶相为方镁石,次晶相为尖晶石,同时还有少量玻璃相;试样的大小颗粒均与基质结合紧密,基质中有脱溶晶相,此晶相发育良好.

关键词: 方镁石-尖晶石砖 , 添加剂 , 复合 , 体积密度 , 耐压强度

氮化反应合成β'-Sialon材料的工艺研究

, 蒋明学

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2002.06.006

研究了以硅粉、铝粉和氧化铝粉为原料氮化反应制备不同Z值β'-Sialon材料的氮化工艺制度:以10℃@min-1的升温速度升到600℃,再以小于2℃@main-1的升温速度升到700℃,保温2.5h;以10℃@min-1的升温速度升到1200℃,再以2℃@min-1的升温速度升到1350℃,保温6 h.炉内气氛为流动氮气,流速小于0.2 m3@h-1.所有试样的氮化率都在80%以上,说明该工艺制度是合适的.物相分析表明:氮化最终产物以β'-Sia-lon为主,高Z值试样残余较多的α-Al2O3,并伴生少量15R相;烧结后试样的β'-Sialon呈棱柱状.

关键词: β'-Sialon , 氮化反应 , 合成工艺

外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜

刘敬松 , 李惠琴 , , 徐光亮

人工晶体学报

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZTⅡ(001)[010]SROⅡ(001)[010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.

关键词: 外延生长 , Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜 , 射频磁控溅射 , 漏电流 , 损耗

铅基弛豫铁电单晶体的生长技术

, 姚熹 , 徐卓 , 惠曾哲

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.007

铅基弛豫铁电单晶体由于其优异的压电性能在机电换能领域具有广泛的应用前景.介绍了铅基弛豫铁电单晶体生长技术的研究进展,比较了不同生长技术的优缺点,指出了目前晶体生长中出现的问题,并展望了其研究方向.

关键词: 弛豫铁电单晶体 , 生长技术 , 高温熔剂 , Bridgman

石墨烯电输运特性的研究进展

王进 , 吴卫东 , , 王雪敏 , 王瑜英

材料导报

二维蜂巢状结构的石墨烯拥有独特的电学特性,其极高的电子迁移率、异常的量子霍尔效应、室温下亚微米尺度的弹道输运特性使之成为电子元器件研究的热点.简要介绍了近年来石墨烯电学方面的发展概况,其中包括晶界、晶畴对电学性能的影响,石墨烯场效应晶体管,石墨烯量子点,石墨烯pn结,石墨烯电学性能在磁场中的应用和石墨烯相关衍生物的电学性质.

关键词: 石墨烯 , 电学 , 场效应晶体管 , 量子点

氧化镁陶瓷的烧结工艺研究

智顺华 , , 王超 , 李海燕 , 王宁会

人工晶体学报

以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷.TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750 ℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒大小为22.25 nm.MgO陶瓷最佳烧结温度为1500 ℃,所得到的陶瓷结构致密、气孔较少、收缩率较高、透光性最好.随着烧结温度的升高,MgO陶瓷中的晶粒有沿(200) 晶面择优生长的趋势.

关键词: MgO陶瓷 , 烧结温度 , 均相沉淀法

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