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膜厚可调CuS对电极的研制与光伏应用

冯忠磊 , 沈悦 , 皇甫民赞 , 吴启霜 , 陈祥 , , 顾峰 , 王林军

人工晶体学报

利用化学浴沉积法在FTO基底上制备了厚度可调CuS对电极(CE).通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计及电化学工作站对CuS对电极的物相结构、微观形貌、光学性质及电化学性能进行了表征.结果表明,在多硫电解液体系中,CuS对电极的电催化活性优于Pt电极;调控沉积周期,可进一步优化CuS对电极表面形貌及电化学性能;CuS对电极最佳沉积周期为6个周期(C),此时电荷转移电阻达到最小值0.67Ω/cm2,与CdSe胶态量子点敏化TiO2光阳极组装的电池,能量转换效率可达2.11%.

关键词: 材料 , CuS , 对电极 , 化学浴沉积法

GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 ,

稀有金属材料与工程

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征.结果表明,采用5 s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差.优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316 nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜.

关键词: 分布布拉格反射镜 , 气态源分子束外延 , X射线衍射 , 反射谱

气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构

刘成 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 黄占超 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.010

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构.通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μm VCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA.实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致.

关键词: 垂直腔面发射激光器 , 气态源分子束外延 , 光电特性

离子注入在1.3μm面发射激光器结构中的应用

刘成 , 春芳 , 劳燕锋 , , 谢正生 , 吴惠桢

功能材料

研究了H+离子注入对InP材料和1.3μm面发射激光器结构的电学、光学性能的影响.当离子注入后InP表面电学特性退化,在300℃以上退火后,材料表面回复较好,H+离子注入区电阻率约为InP体材料的104倍.接着,将离子注入工艺应用于1.3μm面发射激光器结构电流限制孔径的制作,通过比较电学特性得出450℃的最佳退火温度,并发现高温退火后电致发光强度增强.

关键词: 垂直腔面发射激光器 , 离子注入 , 退火

硅基纳米结构太阳电池研究新进展

王懿喆 , 马小凤 , 周呈悦 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.013

由于原材料蕴藏量非常丰富以及对环境无毒友好的特点,硅基太阳电池不仅在当前,而且在今后都将是光伏太阳电池的主流.传统晶体硅电池光电转换原理决定了其转换效率不可能在短期内有较大提高.基于量子限制原理的纳米结构材料具有独特的性能,能够实现全新结构的超高效率的光伏太阳电池.文章介绍了硅基太阳电池研究方面的一些最新研究进展,并指出了未来一些可能的发展方向.

关键词: 纳米结构 , 硅基太阳电池 , 硅量子点超晶格 , 热载流子电池 , 多界面器件

亚硫酸盐氧化气液反应过程模型研究

赵博 , , 冯武军 , 李彦 , 禚玉群 , 陈昌和

工程热物理学报

亚硫酸盐氧化是湿法烟气脱硫的重要反应过程,本文建立了该反应过程的物理模型,包括氧的相间传质扩散、本征化学反应和亚硫酸根扩散这三个步骤,宏观反应速率由其中最慢的一个步骤来决定,反应分为不同的控制阶段。在双膜理论和质量守恒理论的基础上,建立了稳态单气泡吸收过程的数学模型。在动力学控制阶段,反应速率与气泡的半径呈0阶关系;在扩散控制阶段,反应速率与气泡的半径呈-1阶关系。通过单气泡反应装置进行实验验证,实验结果与模型求解结果一致。

关键词: 传质 , 反应速率 , 扩散 , 单气泡模型

低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 ,

金属学报

本文研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中。利用该低温金属键合技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布布拉格反射腔镜(DBR)的反射率。实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200 ℃金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求。对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的。这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中。

关键词: 低温金属键合 , vertical cavity surface emitting laser , null

低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用

谢正生 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 刘成 ,

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.008

研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.

关键词: 低温金属键合 , 垂直腔面发射激光器 , 反射谱 , 光致荧光谱

家埠金矿缓倾斜薄矿体回采实践

滕建军 , 何顺斌 , 李威 , 张益岭

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.02.007

针对家埠金矿缓倾斜薄矿体,概述分析了其采矿方法的演变过程和存在问题;介绍了适合该类型矿体回采的小进路全面采矿法和短壁式崩落采矿法的试验应用情况,试验取得了较好的技术经济效果,为推广应用奠定了基础.

关键词: 缓倾斜 , 薄矿体 , 采矿方法

岩温对家洼金矿深部开采热环境的影响

赵小稚 , 崔嵛 , 王敬志

黄金 doi:10.11792/hj20140608

家洼金矿小尹格庄矿段已进入深部开采,岩温是影响采场热环境的主要热源;根据热传导理论分析,采用浅孔测量岩温的方法合理可行,通过测量得出了家洼金矿岩温随深度变化的规律;在此基础上,计算分析了岩温对井下风流温度升高的作用,认为该矿深部开采存在一定程度的热害,热环境有进一步恶化的趋势,需加强通风降温措施,切实改善井下作业环境。

关键词: 深部开采 , 岩体温度 , 热环境 , 热害

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