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图形化的衬底电极改善碳纳米管的场发射特性

吕文辉 , 宋航 , 金亿鑫 , 魏燕燕 , 郭万国 , , 陈雷锋 , 赵海峰 , 李志明 , 蒋红 , 缪国庆

功能材料

用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电...

关键词: 碳纳米管 , 场发射 , 图形化的衬底电极 , 两级场放大

碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性

吕文辉 , 宋航 , 金亿鑫 , 魏燕燕 , 郭万国 , , 陈雷锋 , 赵海峰 , 李志明 , 蒋红 , 缪国庆

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.008

采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳...

关键词: 碳纳米管 , 场发射阴极 , 银台阵列 , 电泳淀积 , 电化学淀积

热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

, 蒋红 , 宋航 , 李志明 , 赵海峰 , 吕文辉 , 刘霞 , 郭万国 , 阎大伟 , 孙晓娟 , 缪国庆

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009

采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图...

关键词: 碳纳米管 , 线阵列 , 热化学气相淀积 , 场发射特性

In0.82Ga0.18As材料的低温电学性质研究

刘霞 , , 蒋红 , 宋航

低温物理学报

利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82 Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓度和迁移率随温度变化的关系,并利用位错...

关键词: In0.82Ga0.18As , 变温霍尔效应 , 散射机制

非线性Jaynes-Cummings模型纠缠演化和最大纠缠态产生

赵加强 , , 逯怀新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.05.015

利用数值计算的方法,研究了Kerr介质腔中的J-C模型二能级原子和单模光场作用过程中信息熵和纠缠演化,得到了Kerr效应对纠缠态纠缠性质的影响.结果表明,Kerr介质对耦合体系的纠缠度有强烈的影响,在合适的Kerr效应下,量子态将长时间保持最大纠缠.

关键词: 量子光学 , 纠缠度 , Kerr介质 , 信息熵

铸坯表面痕形成机理研究

王贺利 , 雷作胜

连铸

介绍了几种铸坯表面痕形成的机理,并对各种机理的优缺点进行了阐述.

关键词: 方坯 , 表面缺陷 , , 形成机理 , 结晶器

铸坯表面痕形成机理的研究

张志强 , 张炯明

钢铁研究

详细分析了铸坯凝固初期弯月面处与痕形成有关的许多显著而短暂的现象,总结了痕形成的机理,讨论了影响

关键词: , 弯月面 , , 非正弦振动

铸坯表面痕形成机理研究

王贺利

连铸

本文介绍了几种铸坯表面痕形成的机理,并对各种机理的优缺点进行了阐述。

关键词:

430铁素体不锈钢铸板坯

叶红刚 , 陈兴润 , 莫志斌 , 潘吉祥

连铸 doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-4006.20140074

利用光学显微镜对430铁素体不锈钢板坯表面痕深度和形貌进行观察.结果表明:利用金相法测量痕深度,测量的结果可以达到很高的精度.430

关键词: 430 , 铁素体不锈钢 , 铸坯 ,

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