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hcp-Ti中辐照诱发缺陷演化及温度效应的分子动力学研究

姚曼 , 高晓 , 曾维鹏 , 王旭东 , 徐海譞 , Simon R.Phillpot

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00007

运用分子动力学方法研究了hcp-Ti中的级联碰撞.建立晶体结构模型,选取不同的初级碰撞原子方向和能量,分别研究了级联碰撞中所产生的点缺陷的演化情况,给出初始物理图景.对级联碰撞中的两大特征分布“离位峰”及“热峰”进行分析,定量讨论了损伤区瞬态温度分布,局部“熔化区域”的变化,辐照诱发峰值缺陷数和稳定缺陷数等,为分析材料辐照损伤行为提供了数据.本工作中运用的计算方法可作为研究材料辐照诱发缺陷形成微观机制的一个有效手段.

关键词: hcp-Ti , 级联碰撞 , 分子动力学 , 辐照诱发缺陷 , 温度

沈曾民教授和她的科研活动

李安邦 , 迟伟东

新型炭材料 doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2003.03.014

关键词:

拓荒钢铁情系中华——记近代中国钢铁工业的奠基者李维格先生

王同起

中国冶金 doi:10.3969/j.issn.1006-9356.2008.12.011

李维格先生是近代中国的政治家、实业家和教育家,曾倡导推进戊戌变法、创办汉冶萍有限公司,主持上海交通大学工作,还捐出巨额家产支持中国的高等教育事业.在冶金方面,他多次出国考察,改进炼钢设备,注重培养中国工程技术人员,创办了最早的冶金职业专门学校,并大胆改革钢铁企业用人和管理制度,是近代中国冶金业伟大的拓荒者和奠基人,为中国钢铁冶炼的近代化和民族工程技术人员的培育做出了重要贡献.

关键词: 李维格 , 钢铁 , 拓荒

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: 一维 , 二维 , 三维 , Si基纳米线 , 制备

低维材料的研究

李燕 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文 , 周晓燕

材料导报

主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.

关键词: 低维材料 , 介质超晶格 , 金属超晶格 , ZnO量子线

氮化镓低维材料

陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.013

本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

关键词: 氮化镓低维材料 , 生长动力学 , 形貌稳定性

基于二维方孔光栅的平面三维显示

孔令胜 , 王天聪 , 蔡盛 , 钟兴 , 张雷 , 徐开 , 金光 , 乔彦峰 , 贾继强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029

一维狭缝光栅实现平面三维显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二维透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一维狭缝光栅和二维透镜阵列提出了一种基于二维方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二维方孔光栅的平面三维显示原理可行.其像质因子略小于一维狭缝光栅的像质因子,但继承了一维狭缝光栅和二维透镜的优点,是实现平面三维显示的一种新的发展方向.

关键词: 平面三维显示 , 纵横视差 , 像质因子

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光

三维RIM充模模拟

任世杰 , 戴干策

高分子材料科学与工程

采用混合数值方法对三维RIM充模过程进行了数值模拟,即在模腔宽度上采用有限元法,而在厚度方向上采用有限差分方法,对三维问题进行求解.采用这种方法,避开了直接求取三维有限元所带来的困难.同时采用了任意拉格朗日-欧拉法处理流动前缘.文中对数值结果进行了讨论.

关键词: 反应注射成型 , 充模 , 数值模拟

高维量子态存储

丁冬生 , 周志远 , 史保森

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.008

量子通信网络主要由用于存储和操纵量子态的存储单元和联络存储单元之间的信息载体构成.光子是信息载体的最佳选择,存储单元可以由固态材料或气态原子组成.相对于二维空间,编码于一个高维空间的光子可以携带更大的信息量.若能够实现编码于高维空间的量子态存储,则在增大存储单元存储容量的同时,还可以提高网络的信道容量和传输效率,因而高维量子态的存储研究成为当前量子信息领域的热点领域.简要回顾了国内外在高维量子态存储方面的进展,着重介绍了近期基于冷原子系综实现单光子条件下高维量子态存储的突破性进展,提出了构建高维量子网络需要解决的关键问题.

关键词: 量子光学 , 量子存储器 , 高维编码态 , 轨道角动量 , 存储