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黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展

李春彦 , 王锐 , 杨春晖 , 徐衍岭 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.023

砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势.长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂.砷化锗镉晶体在5.5μm处存在吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的.本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收.

关键词: 砷化锗镉 , 开裂 , 受体缺陷 , 生长

ZnGeP2晶体的合成与生长

杨春晖 , 王猛 , 夏士兴 , 孙亮 , , 吕维 , 姚宝权 , 王月珠

人工晶体学报

采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为22×90 mm2.晶体透光范围0.7~12.0 μm,平均透过率达到56%;OPO光参量震荡器件尺寸6×6×15 mm3,采用2 μm的泵浦光,产生4 W以上的3.8~4.5 μm激光输出.

关键词: ZnGeP2晶体 , 合成 , 生长 , 透过率 , 光参量震荡

ZnGeP2晶体近红外吸收特性的研究

夏士兴 , 杨春晖 , , 马天慧 , 王猛 , 雷作涛 , 徐斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体, 晶体毛坯尺寸达直径20mm×90mm, 选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品. 从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性. 实验结果显示: 晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大, 表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小, 这是由于晶体内缺陷密度发生了改变, 且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡, 进而导致晶体的近红外吸收产生差异. 理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷和受主缺陷的吸收光谱. 计算结果表明: 受主缺陷对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷. 

关键词: 磷化锗锌 , near infrared absorption , defects density , donor defects , acceptor defects

ZnGeP2晶体近红外吸收特性的研究

夏士兴 , 杨春晖 , , 马天慧 , 王猛 , 雷作涛 , 徐斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,品体毛坯尺寸达Ф20mm×90mm,选取品体尾部、品体中部、籽品端三个部位厚度为4.0mm的抛光品片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明品体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷Ge+Zn和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施丰缺陷Ge+Zn.

关键词: 磷化锗锌 , 近红外吸收 , 缺陷密度 , 施主缺陷 , 受主缺陷

ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展

, 杨春晖 , 王猛 , 夏士兴 , 马天慧 , 吕维

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01089

ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料. 晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展. 本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况. 首先, 利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷V0P和Ge+Zn, 其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.02±0.03)eV, E(V0P)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV. 对晶体作了电子照射及高温退火等处理后, 又分别发现了两种缺陷V 3-Ge和VPi. 其次, 利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致, 但由于理论模拟与实际情况还存在差距, 有些计算结果与实验结果相矛盾. 因此, 将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.

关键词: ZnGeP2晶体 , electron paramagnetic resonance , acceptors , donors , density

高品质ZnGeP2晶体光参量振荡元件及应用

雷作涛 , , 宋梁成 , 姚宝权 , 杨春晖

人工晶体学报

在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸φ(40~50) mm× 140 mm的高品质单晶.切割出多种6mm×6mm×(16~30) mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05 μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波(3~5μm)40W和远波(8~10 μmn)3W的激光输出.

关键词: ZnGeP2晶体 , 垂直布里奇曼法 , 元件 , 光参量振荡

ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展

, 杨春晖 , 王猛 , 夏士兴 , 马天慧 , 吕维

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.001

ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge+Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.

关键词: ZnGePz晶体 , 电子顺磁共振 , 受主缺陷 , 施主缺陷 , 密度泛函理论

车金矿工业指标的选择论证

唐俊智

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2006.11.006

文中阐述了上车金矿的矿山概况、矿产资源、开采条件,结合矿山实际开采情况,采用类比法、价格法(经济盈亏平衡)对生产经济技术指标进行对比分析,及时调整了矿山工业指标,达到了经济、合理利用矿产资源的目的.

关键词: 工业指标 , 选择论证 , 车金矿

江西金山金矿田林西金矿床矿体原生晕特征

丁高明 , 卢树东 , 刘国荣 , 肖淳

黄金 doi:10.11792/hj20160904

林西金矿床位于金山金矿田的中北部,是与韧-脆性剪切带有关的石英脉型、蚀变岩型金矿床。在综合研究和利用矿区以往地质地球化学资料基础上,选取矿区40号勘探线为典型地质剖面,对该剖面坑探工程控制的Ⅰ号金矿带进行系统采样和数据分析与统计计算。利用相关分析、聚类分析、因子分析方法,确定了金矿床的原生晕组合特征。通过绘制和分析原生晕元素轴向异常分布图和叠加图、地球化学参数计算图,初步归纳了矿床构造叠加晕总体特征,并分析了矿体原生晕特征的地质意义以及对深部盲矿体预测的应用。研究认为:As与 Au关系密切, As、Sb和Hg为金矿体的前缘指示元素组合;Pb、Zn、Cu分布于矿体周围,为矿体的近矿晕指示元素组合;Mo、Mn和Co元素为矿体的尾晕元素组合;尾晕的反带异常、前缘晕与尾晕叠加等特征对深部盲矿体预测有重要指示作用。

关键词: 原生晕 , 林西金矿床 , 金山金矿田 , 盲矿体预测

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