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Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究

刘文超 , 李冰寒 , 周健 , 夏冠群

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.013

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究.结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10-4Ω@cm2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关.

关键词: Au/Ti/W/Ti , 砷化镓 , 欧姆接触

AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

李冰寒 , 刘文超 , 周健 , 夏冠群

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.019

制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压.

关键词: 异质结双极晶体管 , AlGaInP/GaAs , 直流特性 , 开启电压

Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

周健 , 夏冠群 , 刘文超 , 李冰寒 , 王嘉宽 , 郝幼申

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.020

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致.为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴.

关键词: 退火 , 热扩散 , 薄膜电阻

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