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Zr57Cu15.4Ni12.6Al10Nb5块体非晶合金晶化行为研究

杨元政 , 仇在宏 , , 赵德强 , 谢致薇 , 匡同春 , 白晓军

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2005.04.009

用示差扫描量热仪(DSC)研究了Zr57Cu15.4Ni12.6Al10Nb5块体非晶合金的匀速升温晶化与等温晶化的晶化行为.在匀速升温晶化方式下,用Kissinger法与Ozawa法获得了块体非晶合金的激活能,对第一晶化分别为320.5kJ/mol和316.6kJ/mol,对第二晶化分别为324.5kJ/mol和320.5kJ/mol.该非晶合金的晶化表现出明显的动力学效应.在等温晶化方式下,用Johnson-Mehl-Avrami方程获得了晶化的Avrami指数为1.61,表明非晶合金的晶化受原子扩散控制.

关键词: ZrCuNiAlNb块体非晶合金 , 晶化 , 激活能 , 晶化指数

等温热处理对Zr57Cu15.4Ni12.6Al10Nb5块体非晶合金的组织结构与压缩性能的影响

杨元政 , , 仇在宏 , 赵德强 , 谢致薇 , 匡同春 , 白晓军

稀有金属材料与工程

对Zr57Cu15.4Ni12.6Al10Nb5块体非晶合金进行了等温热处理,用X射线衍射仪、扫描电镜、显微硬度计与压缩试验机研究了不同温度下的等温热处理后合金的组织结构变化、硬度变化与压缩性能变化.该非晶合金出现晶化的温度随热处理时间的增长而降低.在热处理时间相同的条件下,随热处理温度升高,合金的显微硬度有增大趋势.当非晶合金出现相分离或晶化时,其抗压缩强度将急剧下降,断裂方式由非晶态的断裂方式向晶态的断裂方式转变.

关键词: ZrCuNiAlNb块体非晶合金 , 等温热处理 , 显微硬度 , 压缩性能

渠道火花烧蚀法制备La0.7Sr0.3MnO3薄膜

黄丽 , 张群 , , 缪维娜 , 章壮健 , 华中一

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.009

采用新型渠道火花烧蚀技术在LaAlO3(001)基片上生长了La0.7S0.3MnO3(LSMO)薄膜.X射线衍射对样品结构的分析表明,制备的LSMO薄膜具有c轴取向生长的特点,薄膜与基片间因晶格不匹配而受面内应力挤压,发生弛豫而出现两相.在室温下采用振动样品磁强计测试样品的面内方向磁滞回线,表明制备的LSMO样品具有软磁性,矫顽力Hc=13 Oe.通过标准四探针法测量了LSMO薄膜的室温薄膜电阻与外加磁场的关系,得知零场电阻率ρ(0)=19.4 mΩ·cm,室温下4800 Oe外场作用下的磁电阻变化率为2.25%,对此用双交换作用机制定性地加以了解释.

关键词: LSMO , 铁磁性 , 磁阻 , 双交换机制 , 渠道火花烧蚀法

大块非晶合金的形成能力及研究进展

赵德强 , 杨元政 , , 仇在宏

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2003.03.011

综合评述了大块非晶合金形成的控制因素,从热力学、动力学和结构三个方面讨论了大块非晶合金的形成机理;并简介了大块非晶合金的制备技术和研究现状.

关键词: 大块非晶合金 , 控制因素 , 综述 , 形成机理 , 制备技术

锆基块体非晶合金的力学性能研究进展

仇在宏 , 杨元政 , 赵德强 , , 谢致薇

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2004.05.008

本文叙述了锆基块体非晶合金的制备方法,优异的性能,特别是对其力学性能研究领域的最新进展进行了综述.并与传统晶态合金作了适当的对比,锆基块体非晶合金具有优异的力学性能,如弹性比功、超塑性、断裂韧性等,此类合金的应用将不断拓宽.

关键词: 块体非晶合金 , 力学性能 , 制备技术

溶胶凝胶法制备ZnO:Ga作为电流扩散层的LED光电性能研究

, 王万晶 , , 张建华 , 吕建国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.011

采用溶胶凝胶法制备了ZnO:Ga (GZO)透明导电薄膜,并用做GaN基LED的电流扩散层.研究表明,GZO薄膜为多晶薄膜,透光率大于80%,粗糙度为Ra 4.6nm,制备的LED的开启电压为2.4V,并成功的点亮LED芯片.

关键词: 溶胶凝胶 , LED , GZO

基于柔性 PI 基底的氧化物 IGZO TFT 器件工艺及特性研究

陈龙龙 , 张建华 , , 石继锋 , 孙翔

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153005.0796

讨论了基于柔性 PI 基底上的底栅型 TFT 器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文 TFT 器件是基于氧化物 IGZO 为有源层,栅绝缘层采用 Si3 N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过 SEM 断面观察,干刻后双层结构taper 角度适合 TFT 器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的 TFT 器件迁移率达到14.8 cm2/(V.s),阈值电压 V th 约0.5 V,亚域值摆幅 SS 约0.5 V/decade,TFT 器件的开关比 I on/I of >106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED 或电子纸的驱动要求。

关键词: 柔性 , 薄膜晶体管 , 铟镓锌氧化物 , 迁移率

新型Zr57Nb5Cu15.4Ni12.6Al10大块非晶态合金的制备及其室温单轴压缩断裂行为

陶平均 , 杨元政 ,

材料导报

应用铜模真空吸铸法制备直径达5mm的棒状新型Zr57Nb5Cu154Ni12.6Al10大块非晶样品.X射线衍射检测证明样品完全为非晶态.通过等温示差扫描量热法(DSC)测试了Zr57Nb5Cu15.4Ni12.6Al10大块非晶的晶化动力学效应,同时研究了大块非晶合金的室温单轴压缩变形和断裂行为.结果表明:Zr57Nb5Cu15.4Ni12.6Al10块体非晶晶化过程具有动力学效应;其室温压缩变形过程主要表现为弹性变形;断裂面与压缩方向约呈45°,断口呈现典型的脉状花样.

关键词: Zr57Nb5Cu15.4Ni12.6Al10大块非晶 , 晶化 , 变形 , 断裂

热处理气氛对溶胶-凝胶法制备a-InGaZnO TFT器件的影响

, , 张建华

功能材料

采用溶胶-凝胶法制备了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,通过热重-差热示差技术分析了a-IGZO形成机理,并研究了热处理对a-IGZO薄膜的结构和光电性能影响.并用于薄膜晶体管(TFT)的有源层,制备的a-IGZO TFT,其具有明显的转移特性,其关态电流为10-11A,退火能够改善a-IGZO TFT器件性能,器件的开关比提高了两个数量级.

关键词: 溶胶-凝胶法 , a-IGZO薄膜 , 薄膜晶体管

17.8cm彩色AMOLED驱动模块的研制

尹盛 , 江博 ,

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20122703.0347

利用现场可编程门阵列结合液晶显示器(LCD)的驱动芯片研制了一个17.8 cm(7 in)彩色AMOLED显示模块.用Verilog硬件描述语言编写了显示驱动控制程序.通过对OLED显示屏的研究,选择了适合该显示屏的LCD驱动芯片.通过研究LCD驱动芯片的特性,结合驱动OLED的实际需求,提出了一种屏幕与IC的连接方案.采用奇偶列像素数据线交错排列、列驱动IC并行工作的方法,克服了LCD驱动芯片点反转导致屏幕亮度损失一半的问题.针对数据驱动IC只能接收6 bit/pixel的数据,而丢失了2 bit数据的问题,文章在图像处理中引入了数字半调技术,利用Bayer抖动法对输人数据进行处理,提高了输出图像的质量.

关键词: 有源驱动OLED , 驱动 , FPGA , Bayer抖动

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