钱善华
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胡含
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刘科言
,
李庆忠
材料保护
目前,对液晶材料与蓖麻油混合后的润滑性能研究不多.在四球试验机上开展齿轮油、蓖麻油、含液晶材料4-正戊基-4'-氰基联苯(5CB)添加剂蓖麻油的磨损试验研究,分析了其磨斑直径WSD与负荷的变化规律,初步探讨了液晶添加剂5CB对蓖麻油的作用机理.结果表明:5CB能够改善蓖麻油的润滑性能,最大无卡咬负荷从490 N提高到784 N；当负荷高于784 N时,含3％5CB蓖麻油对应的WSD低于含l％5CB所对应的WSD；当负荷为1 536 N时,含3％5CB蓖麻油出现了烧结现象,而成品齿轮油产生1.28 mm的WSD.5CB添加剂能够改善蓖麻油的润滑性能,但尚不能完全达到或超过矿物油的润滑性能,需在今后的研究中继续改进.
关键词:
润滑性能
,
蓖麻油
,
液晶添加剂
,
4-正戊基-4'-氰基联苯
,
磨斑直径
,
重载工况
熊次远
,
李庆忠
,
钱善华
,
闫俊霞
人工晶体学报
本文通过硅片旋转磨损试验模拟线切割过程,以评价切割液的切割性能.首先,通过对比试验选出线切割液的主要组份；接着,通过正交试验优化各组份的含量并得到最优配方；最后,在相同条件下将最优配方与某市场切割液进行比较.结果表明:自制最优配方切割液MRR为7820 nm/min,Ra为9.12 nm.与市场切割液相比MRR稍低,但表面粗糙度要好.分析原因是由于新配方切割液在分散性和润滑性方面有所提高,而且碱性变强,加大了化学作用,有效的提高了晶片表面质量.
关键词:
硅片
,
多线切割
,
线切割液
,
材料去除率(MRR)
莫益栋
,
李庆忠
材料科学与工程学报
以混合磨料氧化铈和氧化硅、pH调节剂羟乙基乙二胺、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮为原料配制抛光液,通过对TFT-LCD玻璃基板进行超声波精细雾化化学机械抛光的正交试验研究,优化了抛光液的成分,并对传统抛光和雾化抛光进行了对比.结果表明:当氧化铈和氧化硅的质量分数分别为4％和10％、pH值为11、表面活性剂的质量分数为1.5％时,材料去除率MRR为215nm/min,表面粗糙度Ra为1.6nm.在相同的试验条件下,传统抛光的去除率和表面粗糙度分别为304nm/min和1.5nm;虽然雾化抛光去除率略低于传统抛光,但抛光液用量仅为传统的1/8.
关键词:
化学机械抛光
,
玻璃基板
,
精细雾化
,
抛光液
,
正交试验
壮筱凯
,
李庆忠
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.024
目的：研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。结果雾化抛光硅片的平均位错密度为1.2×104/cm2,边沿处的位错密度小于其他区域。在相同的工艺参数下,雾化施液CMP的抛光液消耗量约为传统CMP的1/10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀分散,没有出现位错排等严重缺陷。通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。结论相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。
关键词:
雾化施液
,
硅片
,
位错腐蚀坑
,
传统抛光
,
雾化参数
壮筱凯
,
李庆忠
硅酸盐通报
雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能.首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度.然后利用显微共聚焦拉曼光谱仪分析了抛光前后硅片表面残余应力的变化行为以及应力的分布情况.最后利用差动蚀刻速率法测取了亚表层的损伤深度并分析了抛光参数对损伤深度的影响规律.研究表明:随着表层到亚表层深度的增加,微裂纹损伤愈加严重,硅片边沿处的位错密度和形貌要明显好于中心区,位错平均密度为1.2×104/cm2;雾化抛光后的硅片表面被引入残余拉应力,应力沿硅片对角线方向呈对称分布;亚表层的损伤深度大约为0.99 μm,随着雾化器电压的增大呈递减趋势,而抛光垫转速和抛光压力都存在一个最佳的参数使损伤深度达到最小.
关键词:
雾化施液
,
位错
,
微裂纹
,
残余应力
,
亚表层损伤深度
王陈
,
李庆忠
,
朱仌
人工晶体学报
针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除速率的影响和机理.采用不同粒度的磨料及组合进行了雾化施液CMP抛光实验.实验结果表明:磨料粒径在15 nm至30 nm范围内,粒度比较大的磨料能够传递更多的机械能,较小的磨料比较大的磨料具有更强的化学活性,对硅片表面材料的去除影响更为显著.向当前抛光液中加入5wt％的15 nmSiO2时,材料去除率增加至196.822 nm/min,而加入相同质量的30 nm SiO2时,材料去除率增加至191.828 nm/min.说明小尺寸的磨料在雾化施液CMP过程中不仅起着机械作用,还起着增强化学活性的作用.
关键词:
超声波
,
雾化施液
,
CMP
,
磨料粒径
,
材料去除率
金属学报
<正> 一、为纪念李薰创办和主编《金属学报》,继承并发扬他毕生致力于科技进步的业绩,特设立《金属学报》纪念李薰奖金基金.二、基金来源是乐于赞助的科研单位、高等院校、企业、团体的捐赠.基金属于专款,全部存入银行,每年支取利息,直接用于奖励.
关键词:
罗鹏
,
金鑫
,
徐承伟
,
薛致远
,
高强
,
张永盛
腐蚀与防护
采用GPS卫星同步断电法对忠武管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠武管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.
关键词:
阴极保护
,
通电电位
,
断电电位
金属学报
<正> 1983年3月20日凌晨,《金属学报》的创刊人、主编李薰同志和我们永别了。 李薰同志1913年11月20日出生于湖南省邵阳县。1937年以优异成绩通过湖南省试,留学英国Sheffield大学,先后获得哲学博士和冶金学的科学博士学位。1950年受中国科学院郭沫若院长聘,翌年毅然回归祖国。历任中国科学院金属研究所所长,中国科学院
关键词:
