张素敏
,
李焕勇
,
李培森
,
介万奇
人工晶体学报
本文以气固反应硫化得到的γ-La2S3粉体为原料,采用热压烧结的方法制备出了γ-La2S3多晶体片.研究了不同Ca2+掺杂量对得到粉体相结构的影响,并分析了烧结温度、保温时间对多晶体γ-La2S3红外透过率的影响.结果表明:掺入碱土金属离子Ca2+有利于低温获得稳定的高温型γ-La2S3相,在Ca/La物质的量比为1:5～1:15时能得到纯相的γ-La2S3粉体.在烧结温度为1100 ℃,保温时间为1 h时制备出的γ-La2S3多晶体片,晶粒细小均匀,无明显气孔,在10～14 μm波段的最大红外透过率约为40%.
关键词:
稀土化合物
,
γ-La2S3
,
热压多晶
,
红外透过率
李焕勇
,
介万奇
功能材料
用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差＜4℃.经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体.XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质.
关键词:
化学气相输运
,
光学性质
,
输运剂
,
ZnSe单晶
汪晓芹
,
介万奇
,
李焕勇
,
刘莉
,
谭一平
人工晶体学报
采用水热法,以ZnSO4·7H2O为Zn源,Na2SeO3为Se源,NaOH溶液为反应介质,N2H4·H2O为还原性助剂,在140℃下反应24 h,合成了直径为1～4μm、分散性较好的ZnSe微球.SEM、XRD和UV-Vis测试发现,NaOH和N2H4·H2O共同控制着ZnSe的形貌,制备的ZnSe微球是由平均尺寸为20.7 nm的ZnSe纳米晶在N2微泡上聚集而成的中空球.
关键词:
ZnSe
,
微球
,
中空球
,
水热法
王小军
,
李焕勇
人工晶体学报
选择ZnSe多晶合成中具有最大气体总压力的Zn-Se-NH4Cl体系,通过在合成温度下减小石英坩埚内外压力差的途径,设计了专门的气体高压晶体合成炉,研究了所建立的高压炉的基本高温高压性能.并在此基础上成功小批量合成了的高纯的ZnSe多晶,结果表明自行设计建造的高压炉批量合成ZnSe高熔点化合物多晶材料是可行的,并且该设备也可以用于其它Ⅱ-Ⅵ族高熔点非氧化物高纯多晶的合成.
关键词:
高压合成炉
,
ZnSe多晶
,
多晶合成
刘国和
,
李焕勇
,
张海洋
,
王小军
,
靳英坤
人工晶体学报
采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe(5N)、Mg(5N)和Te(7N)为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为φ15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体.分别采用X射线衍射、紫外可见分光光度计和红外光谱仪研究了晶体的结构及光学性质,通过PL谱和化学腐蚀的方法分析了晶体的结晶质量.结果表明:所生长的晶体具有立方相结构,晶格常数为0.61585 nm,略大于ZnTe晶格常数,晶锭中质量最好部分的晶片红外和紫外透过率接近60％,室温下其禁带宽度约为2.37 eV.77 K温度下,PL谱中存在A和B两个主要的发光带,位错腐蚀坑密度在105 cm-2数量级.
关键词:
高温垂直Bridgman法
,
Zn1-xMgxTe晶体
,
透过率
,
腐蚀坑密度
李寒松
,
李焕勇
人工晶体学报
本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析.研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40％ ～42％,具有较高的结晶质量.该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3 ×l09 Ω·cm.
关键词:
化学气相输运法
,
ZnSe单晶
,
光电特性
,
透过率
,
电阻率
汪晓芹
,
介万奇
,
周安宁
,
李焕勇
功能材料
用NH4F/H2O2对Br2-MeOH抛光CdZnTe晶片表面进行了表面钝化处理,通过I-V测试及XPS分析分别对钝化前后的CZT晶片的电学性能和表面组成进行了表征.I-V测试结果表明NH4F/H2O2对CdZnTe晶片表面有较好的钝化效果,电流下降率随所加偏压的增加而下降.在10V偏压下,电流下降最明显,下降率为73.7%.与欧姆定律发生偏离的临界场强为333V/cm.XPS分析发现,用NH4F/H2O2处理可使CdZnTe表面富集的Te 79.28%被氧化成TeO2,氧化层的厚度约为3.15nm.钝化后的表面更接近CdZnTe的化学计量配比.
关键词:
CdZnTe
,
表面漏电流
,
钝化
,
TeO2
李焕勇
,
介万奇
,
熊鹏
,
付红志
稀有金属材料与工程
在NiE(E=S,Se)纳米粒子辅助下,采用CVD方法,在NiE(E=S,Se)-Zn系统中成功生长出立方闪锌矿结构一维ZnE(E=S,Se)纳米线.生长的ZnSe和ZnS纳米线长度达几十微米,具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量.研究表明,ZnE纳米线生长过程中,ZnNi合金充作实际的催化剂,生长遵循氧化还原反应助VLS机理.基于此机理,通过调控NiE纳米粒子的尺寸可以有效控制ZnE纳米线的直径.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
,
纳米线
,
ZnS
,
ZnSe
,
VLS生长机制
田世俊
,
李焕勇
人工晶体学报
采用高纯Zn、Mg、Se2单质为原料,以NH4Cl作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功生长出ZnMgSe单晶.通过XRD、RO-XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了ZnMgSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明:ZnMgSe单晶具有良好的结晶性能,在400～800 nm范围内透过率达到40％～50％,在2.2 ～2.6 eV范围内存在与深能级电子复合相关的发光带.研究证明由Zn、Mg、Se2单质在输运剂NH4Cl辅助下一步直接合成ZnMgSe单晶是可行的.
关键词:
ZnMgSe单晶
,
化学气相运输
,
透过率
靳英坤
,
李焕勇
人工晶体学报
采用化学气相沉积的方法,以锌粉、硝酸铜为原料,在硅衬底上制备了铜锌合金微米杆.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱(EDS)对沉积产物的结构、形貌和成分进行了测试与表征.结果表明,生长的铜锌合金微米杆为金属间化合物Cu3Zn合金,为立方相结构,直径在0.1 ～5 μm之间,长度可达3～30μm.锌在铜锌合金微米杆的生长中起着至关重要的作用.铜锌合金微米杆的生长属于气固反应诱导下的气液固(VLS)生长机制,与经典的气液固(VLS)生长机制具有明显不同的特点.
关键词:
Cu3Zn
,
合金微米杆
,
化学气相沉积
,
生长机制
