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退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响

汪洪 , 苏凤莲 , 周圣明 , 宋学平 , 刘艳美 , , 尹平 , 孙兆奇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.050

采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响.X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射.在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰.空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射.实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质.

关键词: ZnO薄膜 , 磁控溅射 , X射线衍射 , 光致发光

Al2O3衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性

汪洪 , 苏凤莲 , 宋学平 , 刘艳美 , , 周圣明 , 孙兆奇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.022

用脉冲激光沉积法在Al2O3(0001)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究.X射线衍射的结果表明在不同温度下生长的ZnO薄膜均具有高度c轴择优取向,衬底温度400℃时,膜的应力较小质量较高.ZnO薄膜有很强的紫外发光峰,紫外发光峰的强度与衬底温度密切相关,并发现当衬底温度从300℃增到400℃时,紫外发射峰出现6nm的蓝移.

关键词: ZnO薄膜 , 脉冲激光沉积 , X射线衍射 , 光致发光谱

Ag-MgF2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究

徐志元 , 孙兆奇 , , 孙大明

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.022

以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成.在400~1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400~600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730~1250cm-1的吸收谱带;在200~800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220~800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340~580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(>51%).

关键词: Ag-MgF2金属陶瓷薄膜 , 复合结构 , 光学特性

在Si基底上真空蒸发沉积Ag-MgF2复合薄膜的内应力研究

, 孙大明 , 孙兆奇 , 宋学萍 , 赵宗彦 , 刘艳美

功能材料

报道了用电子薄膜应力分布测试仪测量了不同温度、不同厚度的Ag-MgF2复合薄膜的内应力变化情况,得到了基底温度(退火温度)在300~400℃范围内薄膜平均应力最小,且处于张应力向压应力转变区域.XRD分析表明,在Ag-MgF2复合薄膜中Ag对复合薄膜内应力的影响大于MgF2.

关键词: Ag-MgF2复合薄膜 , 内应力 , 微结构

Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征

汪洪 , 周圣明 , 宋学平 , 刘艳美 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.021

采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响.X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向.不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化,应力分布最为均匀的退火温度为500℃.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右).实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜.

关键词: ZnO薄膜 , 磁控溅射 , X射线衍射 , 应力 , 光致发光

MgF2在变温过程中的结构变化研究

刘艳美 , 赵宗彦 , , 杨坤堂 , 韩家骅 , 孙兆奇

功能材料

采用X射线衍射仪高温附件测定了MgF2粉末从室温至1000℃的温度范围内的XRD谱,用Rietveld全谱拟合方法精化了各个温度下的相关参数.研究发现:置于大气中的纯MgF2高温易氧化,在700℃左右存在一个异常膨胀区,MgF2的两个F原子随温度升高有一种围绕Mg原子转动的趋势.

关键词: MgF2氧化 , Rietveld全谱拟合 , 固态相变

基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响

, 孙大明 , 孙兆奇 , 宋学萍 , 赵宗彦

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.02.004

用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响.结果表明:基底温度在300℃~400℃范围内,φ20.4 mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀,应力为张应力.XRD分析表明:当基底温度在300℃~400℃范围内,Ag-MgF2薄膜中的Ag和MgF2组分的晶格常数接近块体值,说明通过改变基底温度可以降低薄膜内应力.

关键词: Ag-MgF2金属陶瓷薄膜 , 应力 , 基底温度 , 微结构

《金属学报》纪念薰奖金基金简章

金属学报

<正> 一、为纪念薰创办和主编《金属学报》,继承并发扬他毕生致力于科技进步的业绩,特设立《金属学报》纪念薰奖金基金.二、基金来源是乐于赞助的科研单位、高等院校、企业、团体的捐赠.基金属于专款,全部存入银行,每年支取利息,直接用于奖励.

关键词:

重金属铬(Ⅵ)和铅对南京土壤中赤子胜蚓生长及繁殖的影响?

王婉华 , 陈丽红 , 刘征涛 , 王晓南 , 张聪

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.10.2015042102

以南京化学工业园的土壤为研究对象,分析土壤中重金属 Cr (Ⅵ)和 Pb 对赤子胜蚓( Eisenia fetida)生长及繁殖的影响.结果表明,与对照组比较,暴露28 d时,较低浓度的Cr(Ⅵ)(4—8 mg·kg-1)和Pb (1000—1500 mg·kg-1)能促进赤子胜蚓的生长发育,而较高浓度的 Cr (Ⅵ)(32—64 mg·kg-1)和 Pb (3000 mg·kg-1)则显著抑制赤子胜蚓的生长发育;赤子胜蚓的产茧量随着Cr(Ⅵ)和Pb浓度的升高被显著抑制,其中,Cr(Ⅵ)抑制赤子胜蚓产茧量的EC50(半数有效浓度)、NOEC(无观察效应浓度)和LOEC(最低观察效应浓度)分别为22.86(20.56—25.42)、8、16 mg·kg-1.Pb抑制赤子胜蚓产茧量的EC50、NOEC和LOEC分别为2280.34(2200.90—2362.65)、1500、2000 mg·kg-1;与人工土壤中Cr(Ⅵ)和Pb对赤子胜蚓产茧量的28 d?EC50有显著性差异.

关键词: Cr(Ⅵ) , Pb , 南京土壤 , 人工土壤 , 赤子胜蚓 , 生长 , 繁殖

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