刘训春
,
陈俊
,
王润梅
,
王惟林
,
李无瑕
,
李爱珍
,
陈建新
,
陈意桥
,
陈晓杰
,
杨全魁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.
关键词:
单电源
,
InGaP/InGaAs
,
LNA
孟兆祥
,
于广辉
,
叶好华
,
雷本亮
,
李存才
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.022
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.
关键词:
GaN
,
HVPE
,
流体动力学
张永刚
,
刘天东
,
朱诚
,
洪婷
,
胡雨生
,
朱福英
,
李爱珍
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.020
研制了InGaP/GaAs串接太阳电池,结果表明,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28 ℃),填充因子在79%～81%之间,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论.
关键词:
光伏
,
串接太阳电池
,
化合物半导体
,
InGaP/GaAs
王笑龙
,
于广辉
,
雷本亮
,
隋妍萍
,
孟胜
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.001
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺.用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料.孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深.刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物.扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上.刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力.
关键词:
氮化镓
,
纳米孔
,
阳极氧化铝
,
ICP刻蚀
,
Raman
魏林
,
李耀耀
,
李爱珍
,
徐刚毅
,
张永刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.004
报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果.与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%.通过对比镀膜和未镀膜器件的闻值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1.
关键词:
分布反馈量子级联激光器
,
高反射率腔面镀膜
梅斌
,
徐刚毅
,
李爱珍
,
李华
,
李耀耀
,
魏林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.007
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好.
关键词:
高分辨X射线衍射
,
InGaAs
,
InAlAs
,
错向角
,
摇摆曲线
,
倒空间mapping
田招兵
,
张永刚
,
李爱珍
,
顾溢
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.012
采用了H3PO4/H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs/InP和InAIAs/InP材料湿法腐蚀特性进行了研究,研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响.结果表明该腐蚀液体系具有良好的均匀性,腐蚀速率随浓度呈指数关系,表面形貌基本不受浓度影响.在增加腐蚀液中双氧水含量时,腐蚀速率先增大后减小,表面形貌良好;增加磷酸浓度腐蚀速率亦有增大趋势,表面出现尖锥状小丘.并对腐蚀液配比变化对腐蚀特性影响及腐蚀机理进行了讨论分析.
关键词:
InGaAs/InAlAs
,
湿法腐蚀
,
异质结
李爱珍
,
邹元爔
金属学报
报告了在三个温度下铅、锡在液态镓汞间的分配数据。并对分配系数-浓度的曲线形状作了简单的讨论。 此外还报告了35℃下镁在液态镓汞间的分配数据。
关键词:
赵智彪
,
齐鸣
,
朱福英
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.009
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量.
关键词:
氮化镓
,
RF-Plasma分子束外延
,
原子力显微镜
,
X射线衍射分析
,
缓冲层
