齐继伟
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彭景阳
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陈宗强
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李玉栋
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许京军
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孙骞
人工晶体学报
研究了外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响.在写入和擦除过程中分别或同时外加磁场,测量了不同擦除光强下磁场对光栅擦除过程的影响.结果表明,外加磁场对折射率光栅擦除时间存在明显影响.在光栅写入或光栅擦除过程分别外加磁场时,光栅擦除时间增加;但是当在写入和擦除过程同时外加磁场时,光栅的擦除时间明显变短.擦除时间变化与擦除光强相关,擦除光强越弱,磁场对擦除时间的变化越明显.进一步的研究发现擦除时间的变化来自于磁场对铌酸锂晶体中等效暗电导的影响.以上实验结果显示,外加磁场可以成为掺铁铌酸锂晶体光折变光栅的调控手段.
关键词:
掺铁铌酸锂晶体
,
磁场
,
光擦除
高分子材料科学与工程
专利名称:改性氯化聚丙烯、其制备方法和其与聚烯烃的混合物专利申请号:CN200580045739.3公开号:CN101094874申请日:2005.12.28公开日:2007.12.26申请人:韩国垓栋化学株式会社本发明涉及改性氯化聚丙烯、其制备方法和其与聚烯烃的混合物。本发明涉及含有改性氯化聚丙烯的聚烯烃混合物。本发明提供了含有新型胺改性氯化聚
关键词:
专利名称
,
高分子
,
氯化聚丙烯
,
烃混合物
,
制备方法
,
专利申请号
,
株式会社
,
聚烯烃
涂建维
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刘嘉
,
瞿伟廉
功能材料
自制了内置弹簧蓄能器的新型MR阻尼器,将自制的MR阻尼器在武汉理工大学测试中心完成了性能测试.研究了在不同电流输入下阻尼力-位移、阻尼力-速度之间的关系,提出了MR阻尼器的修正的Bingham力学模型.在此基础上,采用逆模式神经网络来模拟阻尼器的逆向模型,与其它主动控制算法形成了MR阻尼器的智能控制方法.通过对一栋三层剪切型结构进行仿真计算,我们知道通过逆模式神经网络可以得到连续的控制电流,实现阻尼力的连续可调,控制效果将优于半主动控制效果.
关键词:
逆模式
,
神经网络
,
MR阻尼器
,
结构控制
赵天从
金属学报
<正> 徐采栋先生编的“汞冶金的理论基础”是有色冶金方面一本好著作,对于提高我国有色冶金的理论水平和促进汞生产进一步发展将发挥其作用。 现代汞生产大都是采用火法冶金,其主要过程是汞矿石的焙烧、汞蒸气的冷凝及汞炱的处理。作者对这三部分的基本理论,着重从热力学和动力学两方面作了较深入的论述;对于汞的湿法冶金及汞的精炼过程也作了较详细的解释;此外对于汞及其他化合物的物理化学性质以及在冶金过程中汞的损失也
关键词: