许岗
,
李高宏
,
介万奇
材料导报
采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富...
关键词:
碘化汞
,
气相生长
,
形貌转变
郑曙阳
,
李高宏
硅酸盐通报
通过共滴定法制备羟基磷灰石(HAP)/魔芋葡甘聚糖(KGM)复合材料,用XRD、FT-IR、SEM、TEM等方法对材料进行了表征,研究了复合材料的组成以及HAP和KGM的相互作用方式.结果表明复合材料中KGM和HAP的质量比随着反应体系pH值的升高而下降;HAP/KGM复合材料间有物理力和化学力两种...
关键词:
魔芋葡甘聚糖
,
羟基磷灰石
,
复合材料
许岗
,
李高宏
,
介万奇
,
查刚强
材料导报
利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2.采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒.采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性.结果表明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧...
关键词:
碘化汞
,
电极
,
接触势垒
,
费米能级
,
钉扎
,
表面质量
,
欧姆特性
许岗
,
介万奇
,
李高宏
,
孙晓燕
稀有金属材料与工程
利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-Hgl2晶体.经过23 d的生长,获得了尺寸约为15 mm×12 mm×5mm的a-Hgl2晶体.通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试.结果表明,生长的α-Hgl2晶体富碘...
关键词:
碘化汞
,
热处理
,
探测器
金玲
,
杨忠
,
李高宏
,
马玉韩
,
李建平
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2003.03.009
对ZL109合金和SiCp/ZL109复合材料表面进行微弧氧化,利用扫描电镜对微弧氧化层微观组织特征进行了研究,比较测试两种材料微弧氧化层的硬度.发现ZL109合金和SiCp/ZL109复合材料都可以进行表面微弧氧化,其微弧氧化层由两层结构组成,分别为疏松层和致密层.ZL109合金微弧氧化层主要由不...
关键词:
微弧氧化
,
铝合金
,
铝基复合材料
,
微观组织
,
硬度
许岗
,
李高宏
,
介万奇
人工晶体学报
为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱.结果表明,波长约为580 nm时,存在着本征吸收限;波长大于580 nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45%以上;在1000～2500 nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.7...
关键词:
碘化汞
,
结构缺陷
,
自由载流子吸收
许岗
,
介万奇
,
李高宏
人工晶体学报
利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/H...
关键词:
碘化汞
,
Au
,
AuCl3
,
接触特性
,
I-V特性
