何知宇
,
赵北君
,
朱世富
,
陈宝军
,
李佳伟
,
张熠
,
杜文娟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01195
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多晶合成和单晶生长进行了研究.以高纯(99.9999%)As、Ge、Cd为原料,按照CdGeAs2化学计量比并适当富Cd、As配料,采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多晶材料,使用改进的坩埚下降法生长出φ15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明:合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构,晶格常数为a=b=0.5946nm,c=1.1217nm;生长出的CdGeAs2单晶体结构完整,结晶性好,晶体的易解理面为(101)面,红外透明范围589～4250cm-1,拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0.67eV.
关键词:
砷锗镉
,
多晶合成
,
单晶生长
,
XRD分析
,
红外透过谱
郑萍
,
陆维
,
杜文娟
,
孟中岩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.021
采用溶胶-凝胶法和快速热处理工艺,分别以不锈钢(SS)和镍合金(NC)为基片,成功制备了表面均匀、无裂纹的锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜.为了缓解金属基片与PZT薄膜之间由于晶格常数和热膨胀系数不同所造成的不匹配状态,引入了镍酸镧(LaNiO3,简写为LNO)薄膜作为过渡层.XRD和SEM结果表明,经过600℃下30min的晶化,PZT薄膜已经由无定型转化为钙钛矿相.以LNO为过渡层,在NC金属基片上制备的PZT薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗(1kHz下ε=717,tanδ=0.08),较低的漏电流(50kV/cm下J=2.6×10-7A/cm2)以及较好的铁电性能(+Pr=90μC/cm2,-Pr=14 μC/cm2,Ec=32.5kV/cm).同时,在SS基片上,通过引入LNO过渡层,制备的PZT薄膜也具有比较好的性能.
关键词:
PZT
,
LNO,sol-gel
,
金属基片
杜文娟
,
陆维
,
郑萍
,
孟中岩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.003
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Si电极上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜.研究了不同电极材料对PZT铁电薄膜的微结构及电性能的影响.(100)择优取向的PZT/LNO薄膜的介电性能和铁电性能较(111)/(100)取向的PZT/Pt薄膜略有下降,但在抗疲劳特性和漏电流特性方面都有了很大提高.PZT/LNO薄膜1010次极化反转后剩余极化几乎保持未变,直至1012次反转后,剩余极化仅下降了17%.
关键词:
PZT薄膜
,
LNO电极
,
电性能
,
疲劳
,
Pt电极
李雪芹
,
黄鹏程
低温物理学报
根据40T稳态混合磁体实验装置对试验杜瓦平台的要求,设计了40T混合磁体外真空杜瓦机械结构,采用ANSYS对杜瓦结构进行了稳定性分析和结构优化,最后用激光跟踪仪进行了测量.ANSYS数值模拟结果和激光跟踪仪测量实际数据对比分析,实际测量的最大变形在理论计算范围以内.
关键词:
40T混合磁体
,
杜瓦
,
ANSYS
,
激光跟踪仪
,
真空
周超
,
汪良斌
低温物理学报
随着环境污染的加重,具有高梯度磁场的高温超导磁分离系统作为一种新型高效便捷的污水处理系统得到发展和应用.本文主要介绍了制冷机传导冷却高温超导磁体的便于装卸杜瓦的设计,利用ANSYS软件分析了杜瓦的应力和形变,分析了漏热、温度分布和对磁体的冷却情况,使高温超导磁体在磁分离系统中满足要求并保持正常运行.
关键词:
磁分离
,
传导冷却
,
可装卸杜瓦
殷茜
,
卿敏
,
朴星海
,
边红业
,
程军
,
张景海
,
万多
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.11.005
杜荒岭金矿床产出于石英闪长岩中,矿化类型分爆破角砾岩筒型及放射状裂控蚀变岩型.流体包裹体研究表明,两类矿石石英中主要发育含NaCl子矿物三相、气相-富气相及气液二相等3种类型的原生流体包裹体.测温结果显示,包裹体均一温度总体为256.8～450 ℃,盐度S(NaCl)为31.9 %～44.2 %,反映了成矿流体为一类中高温、高盐度不均一的热液体系,具明显的浅成岩浆来源特征.
关键词:
杜荒岭金矿床
,
地质特征
,
流体包裹体
,
地球化学
