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中间包传热边界对钢液流动及传热计算的影响

彭政 , 温良英 , 杨中平 , 陈登福

连铸

以某厂T型中间包为例,建立了中间包内钢液流动、传热数学模型。针对数值模拟中存在的传热边界条件的准确性问题进行探讨,引入了中间包包衬散热计算模型,得出关于中间包包衬结构的热流散失与内壁温度的关系,作为中间包内钢液流动、传热计算的边界条件。利用商用Fluent软件模拟计算,并比较分析了不同边界条件对中间包内钢液流动、传热的影响,结果表明提出的边界条件模型法使计算模拟结果更符合实际。

关键词: 中间包 , 内衬 , 边界条件 , 传热 , 流动

用杨立铭方法估算大于126的幻数

李先卉 , 周治宁 , 钟毓澍 , 杨泽森

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.01.009

采用Woods-Saxon形成的密度函数，按照杨立铭方法以及稍微修改的方法进行估算都得出，紧接126的幻数应该接近于184．

关键词: 超重核幻数 , 杨立铭方法 , Thomas-Fermi近似

甘肃杨坪金矿床控矿特征及找矿方向

张银斗

黄金

杨坪金矿床赋存于下古生界丹凤群大草坝组变火山—沉积建造中,金矿化严格受层间挤压破碎(片理化)带控制,赋矿岩性为蚀变的二云石英片岩、绢云母石英片岩、绿泥石英片岩等变质岩及黄铁矿化石英脉,金矿化受变质、构造及次生氧化三重作用控制.对杨坪金矿床的地质特征及控矿特征进行了系统的研究,总结了找矿标志,并指出了找矿方向.

关键词: 地质特征 , 控矿特征 , 找矿标志 , 找矿方向 , 杨坪金矿床

杨砦峪金矿床地质特征及深部成矿远景评价

张庆超

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2004.10.006

杨砦峪金矿床为河南灵宝小秦岭地区一重要大型石英脉型金矿床,矿床空间产出受太华群变质地层、岩浆岩及断裂构造控制,层间断裂为主要容矿构造.矿脉内矿体产出表现出"尖灭再现"、"尖灭侧现"规律.综合研究表明,小秦岭地区金矿床深部具有存在第二矿化富集段的可能性,在杨砦峪矿区,矿脉东段深部仍存在较好的成矿远景和找矿潜力.

关键词: 杨砦峪金矿床 , 石英脉型 , 地质特征 , 深部成矿远景

稀土保水剂在新疆杨育苗上的应用研究

王永刚 , 张宇生 , 张宏江

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.05.011

本文研究了应用稀土保水剂对干旱地区新疆杨育苗的效应,结果表明:应用稀土保水剂能极大地提高苗木成活率,加速苗木的生长发育,根系数量、株高、地茎等生长量指标均明显高于对照.因此,应用稀土保水剂对育苗的成功率、培育壮苗都有一定的作用.

关键词: 稀土保水剂 , 育苗 , 成活率 , 生长量

延边东部杨金沟金矿床地质特征与成矿物理化学条件研究

李晨辉

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.12.006

在野外调研基础上,通过对杨金沟金矿床地质特征的研究和包裹体显微测温的分析,讨论了成矿条件和矿床成因.结果表明,该矿床赋存于古生代变质岩系与华力西晚期花岗岩接触带附近,明显受断裂构造控制；金矿石主要有蚀变岩型和石英脉型两种,金矿物以细粒—微细粒的包体金、裂隙金和晶隙金形式赋存于石英、黄铁矿等矿物的内部、晶隙或裂隙中；石英中主要发育气液二相包裹体、C02包裹体和含C02三相包裹体,成矿流体为中温(230 ～ 270℃)、中低盐度(3.37％～15.65％)、低密度(0.78～0.91 g/cm3)的NaCl-H20-C02体系.结合区内铜金矿床对比分析认为,杨金沟金矿床形成于板块俯冲后的伸展环境,金矿化与燕山晚期中酸性侵入体具有密切的时空和成因联系.

关键词: 地质特征 , 流体包裹体 , 杨金沟金矿床 , 延边东部地区

杨立铭先生简历

原子核物理评论

关键词:

材料科学与工程专家--杨道明

李茂山

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2000.06.015

关键词:

脉冲电镀铁中平均电流密度对镀层的影响

徐金霞 , 蒋林华 , 刘大智 , 陈施英 , 冯文生

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2006.04.004

应用现代脉冲电镀技术,分别在钢和铜基体上电镀铁层,以期获得性能优良的镀层.研究了平均电流密度对铁镀层的沉积速度、外貌、显微硬度和显微结构的影响.结果显示:随着平均电流密度的增加,铁镀层外貌先变好后变差;脉冲电沉积速度加快,以16 A/dm2的沉积效率最高;不同条件下的镀层显微硬度呈近似的"正态分布"关系;铁镀层的显微结构为立方晶型,有明显的择优取向.

关键词: 脉冲电镀 , 平均电流密度 , 铁镀层 , 显微硬度 , 结合力 , 显微结构

PVT法生长6H-SiC单晶中平面六方空洞缺陷研究

李翠 , 杨立文 , 蒋秉轩 , 杨志民

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.06.017

平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量.因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义.使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平面六方空洞的分布和形貌特征,并研究其形成机制.结果表明,平面六方空洞的形成主要由籽晶背向分解造成的.籽晶背向分解存在两个必要条件:籽晶背面存在与其相接触的气孔；气孔内与籽晶背面相接触的区域比其他区域温度高.籽晶背面的TaC致密膜层能够抑制籽晶背面的分解.结合使用在籽晶背面生成致密TaC膜层和粘结固定两种措施,有效地抑制了籽晶的背面分解,得到了无平面六方空洞缺陷的SiC晶体.

关键词: PVT , 6H-SiC单晶 , 平面六方空洞 , 背向分解