郝鑫
,
王新华
,
黄福祥
,
杨光维
,
赵和明
钢铁
为了研究LF-VD精炼工艺的脱硫效果，进行了9炉工业试验。通过对BOF-LF-VD和KR-BOF-LF-VD工艺冶炼中厚板钢中硫含量和炉渣成分的分析，研究了炉渣成分和工艺参数对脱硫的影响。结果表明，采用适宜的精炼渣系，通过LF-VD精炼能把钢中硫质量分数从转炉终点200×10-6左右脱至20×10-6以下；炉渣成分w((MgO))=4%～7%、w((SiO2))=7%～11%、w((CaO))/[w((Al2O3))+w((SiO2))]=1.62时，实现最高硫分配比接近500；VD精炼比LF精炼钢液搅拌强烈，能进一步脱硫。研究结果对优化中厚板炉外精炼脱硫工艺具有指导意义。
关键词:
中厚板
,
脱硫
,
硫分配比
,
炉渣
,
动力学
杨光维
,
郝鑫
,
杨叠
,
王新华
,
黄福祥
,
王万军
钢铁
doi:10.13228/j.boyuan.issn0449-749x.20130621
研究了EAF→LF→VD→软搅→CC工艺生产GCr15轴承钢冶炼过程钢中T[O]及非金属夹杂物的变化情况。通过将电炉出钢碳质量分数控制为0.2%～0.4%、出钢加铝强脱氧及造预精炼渣、LF精炼过程造高碱度强还原性炉渣、VD真空强搅拌及防止中间包二次氧化，可以生产w(T[O])等于8×10－6的轴承钢。在炉外精炼过程中夹杂物经历了Al2O3→MgO·Al2O3→CaO-MgO-Al2O3演变。LF精炼过程夹杂物平均尺寸减小，经过VD真空处理后尺寸增加，接着在软搅和中间包过程继续减小。利用VD真空处理可以去除高达74%的夹杂物。
关键词:
GCr15轴承钢
,
夹杂物
,
TO
,
Al2O3
,
Al2O3·MgO
,
CaO-MgO-Al2O3
杨光维
,
初仁生
,
王新华
,
黄福祥
,
王万军
,
尹雨群
钢铁
利用ASPEX全自动扫描电镜对X70管线钢RH真空处理过程的夹杂物形貌、成分、数量和尺寸进行了系统研究.结果表明,RH过程中夹杂物主要为液态球状含少量MgO的CaO-Al2O3系夹杂物.夹杂物随RH真空处理时间的增加而减少,RH处理28 min后,钢液中夹杂物去除率达70％.除延长RH真空处理时间外,减少RH进站夹杂物可大幅降低RH终点夹杂物数量.总体夹杂物和1～5μm夹杂物数量随RH真空处理时间单调递减;对于大于5 μm的夹杂物,其数量先增大后减少,而且随着夹杂物尺寸的增加,数量达到最大值所需真空处理时间增加.RH真空处理后,夹杂物平均尺寸有所增加,由2.2～2.5μm增加到3.0～3.9μm.
关键词:
管线钢
,
RH真空处理
,
夹杂物
,
去除
,
液态
,
ASPEX
初仁生
,
杨光维
,
黄福祥
,
王万军
,
王新华
钢铁研究学报
利用ASPEX扫描电镜(SEM+ EDS)对某厂两种钙处理工艺(工艺A:LF→钙处理→RH,工艺B:LF→RH→钙处理)生产X70管线钢冶炼和浇铸过程中的夹杂物进行系统的研究.结果表明:工艺A生产的X70管线钢板中夹杂物是CA6和CA2(C代表CaO,A代表Al203)为主的高熔点的钙铝酸盐.产生此类夹杂物的主要原因是RH真空精炼中钙的严重损失以及中间包的二次氧化.CA6和CA2等夹杂物极易聚集成大尺寸夹杂物,经过轧制后严重影响钢板性能,甚至导致钢板探伤不合格.工艺B生产的X70管线钢中夹杂物为CaO-Al203(少量)-CaS系夹杂物,这种夹杂物尺寸小,弥散分布,对轧板性能危害小.
关键词:
X70管线钢
,
钙处理
,
非金属夹杂物
,
聚集
胡志勇
,
杨成威
,
姜敏
,
杨光维
,
王万军
,
王新华
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00128
采用高温共聚焦激光显微镜(CSLM)对含Ti复合夹杂物诱导晶内针状铁素体(IAF)进行动态原位观察,并用OM,FE-SEM,EDS和EPMA研究奥氏体晶粒尺寸和冷却速率对含Ti复合夹杂物诱导生成IAF的影响.结果表明,IAF的开始生成温度随奥氏体晶粒尺寸的增加,先升高后降低；生成IAF体积分数随冷却速率的提高显著增加,归功于IAF开始生成温度的提高.贫Mn区的形成是含Ti复合夹杂物(Ti-Mn-O)+ (Si-Al-Mn-O) +MnS诱导生成IAF的主要驱动力.此外,在该实验条件下得出,当奥氏体晶粒尺寸在132-255 μm时,IAF开始生成的温度范围为550-633℃；奥氏体晶粒尺寸为176 μm,冷却速率为5℃/s时,室温组织中IAF体积分数高达90％.
关键词:
晶内针状铁素体(IAF)
,
含Ti复合夹杂物
,
高温激光共聚焦显微镜(CSLM)
,
原位观察
,
贫锰区(MDZ)
胡卫兵
,
史伯安
,
但悠梦
,
谭志斗
,
吴少尉
,
朱艳秋
,
徐文光
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011
在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.
关键词:
一维
,
二维
,
三维
,
Si基纳米线
,
制备
李燕
,
姜斌
,
邓宏
,
蒋书文
,
周晓燕
材料导报
主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO3/SrTiO3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景.
关键词:
低维材料
,
介质超晶格
,
金属超晶格
,
ZnO量子线
孔令胜
,
王天聪
,
蔡盛
,
钟兴
,
张雷
,
徐开
,
金光
,
乔彦峰
,
贾继强
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.029
一维狭缝光栅实现平面三维显示具有低成本、光栅参数易于改变和无需对焦的优点,但存在遮挡画面影响亮度的缺点;二维透镜阵列具有全视差且深度感知自然的优点,但存在显示像素低和观察视角小的缺点.为了同时兼顾上述两种方案的优点,结合一维狭缝光栅和二维透镜阵列提出了一种基于二维方孔光栅的平面立体显示方案.Lighttools软件仿真实验结果表明:基于二维方孔光栅的平面三维显示原理可行.其像质因子略小于一维狭缝光栅的像质因子,但继承了一维狭缝光栅和二维透镜的优点,是实现平面三维显示的一种新的发展方向.
关键词:
平面三维显示
,
纵横视差
,
像质因子
