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离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

杨宇 , 陈刚 , 邓书康 , 高立刚 , 刘焕林 , 吴国元 , 俞帆 , 陈长青 , 陈亮 , 郝瑞亭

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束外延 , XRD , Raman散射

大锥角锥形床内颗粒横向混合的实验研究

甘露 , 卢啸风 , 王泉海 , 宋杨凡 , 杨宇 , 胡清 , 谢国威 , 葛展铭

工程热物理学报

在900 mm×200 mm×800 mm的冷模试验台上,试验研究了带气体入口直段的大锥角锥形床内示踪颗粒的横向扩散过程,系统考察了床料粒径dp、过余速度u-umff、静止床层高度h和气体入口直段宽度δ对床内示踪颗粒横向扩散系数Dsr的影响.结果表明:在大锥角锥形床中,横向混合试验持续时间间隔对示踪颗粒横向扩散系数的计算结果影响较大;示踪颗粒的横向扩散系数Dsr随着床料粒径dp的增大而减小,随着过余速度u-umff、静止床层高度h和气体入口段宽度δ的增大而增大.

关键词: 大锥角锥形床 , 气体入口直段 , 示踪颗粒 , 横向扩散系数

阳离子Gemini表面活性剂溶液的自组装结构

杨宇 , 周广刚 , 孟思炜 , 邱贝贝 , 徐志彦 , 王雨翔 , 孙晓亮 , 李桢禹 , 卢贵武

人工晶体学报

两亲性表面活性剂(Gemini)是通过一个联接基团将两个传统表面活性剂分子在其亲水头基处连接在一起而形成的一类新型表面活性剂.构建了表面活性剂分子球簧结构模型,采用耗散粒子动力学方法(DPD),研究了表面活性剂在水溶液中的自组装行为,考察了添加剂醇分子对表面活性剂自组装结构以及临界胶束浓度(CMC)的影响.结果表明随着表面活性剂分子浓度的增加,其水溶液中依次出现球状、蠕虫状以及层状胶束等自组装结构;添加醇分子可提高表面活性剂疏水基团在溶液中的溶解性从而增大表面活性剂溶液的CMC,具有抑制胶束生成的作用.

关键词: Gemini表面活性剂 , 耗散粒子动力学 , 自组装 , 临界胶束浓度

原子核的反常宇称能谱研究

徐延冰

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.002

将具有负宇称的 fp 空间扩大到包含1g9/2 轨道, 采用修正的表面相互作用(MSDI), 对64Ge, 66Ge, 68Ge, 70Se, 72Se, 74Se, 76Kr 和 78Kr等偶偶核作了形变Hartree-Fock计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对偶偶核64Ge, 74Se和奇A核79Kr进行了能谱计算, 得到其正、负宇称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.

关键词: 形变Hartree-Fock态 , 角动量投影 , 单粒子能谱 , 反常宇称态

Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

邓荣斌 , 王茺 , 陈寒娴 , 杨瑞东 , 秦芳 , 肖军 , 杨宇

功能材料

对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.

关键词: 退火 , 微晶硅薄膜 , 钽 , 太阳能电池

Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究

杨瑞东 , 陈寒娴 , 邓荣斌 , 孔令德 , 陶东平 , 王茺 , 杨宇

功能材料

采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.

关键词: Ge/Si纳米多层膜 , 埋层 , 纳米晶粒

温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响

张学贵 , 王茺 , 杨杰 , 潘红星 , 鲁植全 , 李亮 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧.

关键词: 离子束溅射 , 量子点 , 表面形貌 , Raman光谱

溅射Ar+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响

宋超 , 杨瑞东 , 冯林永 , 陈寒娴 , 邓荣斌 , 王国宁 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.

关键词: 离子束溅射 , Ge薄膜 , Ar+能量 , 结晶性