陈健
,
魏文铎
,
孙秀魁
,
杨明川
,
胡壮麒
金属学报
用X射线衍射(XRD),电子衍射(ED),透射电镜(TEM)和X射线电子能谱(EDAX)方法研究用惰性气体凝聚法制备的Fe_(50)Pd_(50)合金超微粒子(UFP)的X射线衍射峰宽化机制,结果表明其反常宽化是由于合金粒子间的成分不均匀引起的成分宽化量与衍射角θ和成分不均匀而引起的平均晶格常数变化率e_c有关,可表示为:川Gaussian,Cauchy和混合线形计算了平均粒径,Cauchy和混合线形得到的结果与电镜观测值符合较好当粒径较小时,由各种线形算出的结果比较相近,它们之间的差异随着粒径增大而增大,
关键词:
合金超微粒子
,
X ray diffraction
,
composition broadening
王猛
,
杨明川
,
荣光
,
黄德武
,
罗荣梅
稀有金属材料与工程
为深入研究钨合金杆式弹穿甲侵彻过程中的变形、失效模式,利用扫描电镜和有限元数值模拟,观测、分析钨合金残余弹芯头部剖面显微组织的变形演化.结果表明:穿甲侵彻过程中,钨合金弹芯头部发生剧烈的塑性变形而呈“蘑菇头”形状,钨晶粒被严重压扁,表出现良好的动态塑性.弹芯“蘑菇头”前端垂直侵彻方向1mm处产生绝热剪切带,剪切带内W颗粒和W-W界面上均有微裂纹产生,并表现出溶化现象.数值模拟表明,钨合金在侵彻过程中“蘑菇头”不断形成和脱落,弹芯因此发生销蚀而逐渐变短.弹芯“蘑菇头”处材料剧烈变形如同塑性流动,变形局部化主要出现在“蘑菇头”两侧边缘或前端垂直于侵彻方向处.
关键词:
穿甲力学
,
失效模式
,
变形局部化
,
塑性流动
,
数值模拟
李博宇
,
董星龙
,
刘圆圆
,
杨明川
,
刘方军
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.06.011
使用独特的雾化干燥结合固定床技术合成WC-12Co纳米复合粉体,利用等离子喷涂法制备纳米结构WC-12Co涂层,通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等分析手段对等离子喷涂纳米结构WC-12Co涂层进行显微结构分析.结果表明涂层中除了WC相,不仅有W2C,W等非WC/Co相的产生,还出现了CoxWyCz(Co3W9C4,Co3W3C),Co3C等相及非晶和孪晶组织,在此基础上本工作将对等离子喷涂纳米结构WC-12Co涂层的形成机理作初步的研究与讨论.
关键词:
等离子喷涂
,
纳米复合粉体
,
纳米结构涂层
,
显微结构
,
形成机理
武占文
,
陈吉
,
史艳华
,
梁平
,
杨明川
腐蚀学报（英文）
利用直流电沉积方法将WC-Co双纳米颗粒和Ni复合镀于黄铜基体, 采用XRD和SEM表征复合镀层相组成和表面形貌, 用显微硬度计测定其硬度并用电化学方法评估镀层的耐蚀性. 结果表明, 与纯Ni镀层相比, 纳米复合镀层中Ni平均晶粒尺寸略有降低, 约为18 nm; 显微硬度提高58%, 约为HV 500. 在3.5% NaCl溶液中纯Ni镀层自腐蚀电流密度和自腐蚀电位分别为1.467 μA/cm2和-0.179 V, 纳米复合镀层则分别为8.369 μA/cm2和-0.265 V. Ni/WC-Co纳米复合镀层的硬度显著提高, 但其耐蚀性降低.
关键词:
纳米复合材料
,
Ni
,
WC-Co
,
microhardness
,
corrosion resistance
武占文
,
陈吉
,
朴楠
,
杨明川
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00131
利用直流复合电镀方法将WC纳米颗粒均匀分散到Ni镀层,用微米压痕仪测试了镀层的力学性能,用动电位极化曲线研究了镀层在pH=9.0的0.05 mol/L H3BO3+ 0.075 mol/L Na2B4O7缓冲溶液中的电化学性能.结果表明,与纯Ni镀层相比,纳米复合镀层的晶粒尺寸显著减小,约为21 nm;硬度提高了81％,达到651HV;自腐蚀电流密度降低约一个数量级,约为1.29×10-7A/cm2;破钝电位基本一致,但致钝电位(10 mV)更低,维钝电流密度(1.79×10 6 A/cm2)更小,仅为纯Ni镀层的1/7.利用Mott-Schottky理论结合点缺陷模型分析表明:表面钝化膜仍具有p型半导体特征,WC纳米颗粒显著降低基体Ni的晶粒尺寸,引起钝化膜中点缺陷密度和扩散系数的降低.
关键词:
纳米复合镀层
,
Ni-WC
,
腐蚀
,
钝化膜
,
硬度
宋贵宏
,
孟雪
,
杨明川
,
胡方
,
乔瑞庆
,
陈立佳
人工晶体学报
利用粉末冷压成型及真空烧结制备了不同Bi掺杂量的Mg-Si-Sn-Bi材料,并对制备材料组成和热电性能进行研究.结果表明,制备材料由Mg2Sn、Mg2Si和Mg2(Si,Sn)固溶体相组成.随测试温度的增加,制备材料的电阻率都急剧减小,这是典型的半导体特征.在研究范围内,掺杂Bi元素含量增加,制备材料的电阻率开始逐渐减小,但Bi掺杂量增加到一定值后,材料的电阻率又增加,而且掺杂后的材料电阻率都低于未掺杂的.制备材料的Seebeck系数是负值,表明这些材料都为n型半导体.对于掺杂Bi的材料,随着测试温度由室温增加到730 K,测得的Seebeck系数绝对值开始时轻微增加,约在240～270 K达到最大值,再随着温度增加,Seebeck系数绝对值又显著单调减小.对于掺杂Bi元素的材料,随Bi掺杂量的增加,Seebeck系数的绝对值先减少后增加,这是掺杂造成载流子浓度增加和散射过程加大相互竞争的结果.掺杂Bi的Mg-Si-Sn材料的功率因子都高于未掺杂的材料,且Bi掺杂量增加,制备材料的功率因子显著增加.对于1.29at％ Bi和1.63at％ Bi掺杂量的材料,功率因子分别在500 K和530 K存在一个极大值.
关键词:
Mg-Si-Sn材料
,
Bi掺杂
,
Seebeck系数
,
电阻率
,
真空烧结
门华
,
杨明川
,
徐坚
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.04.009
采用熔体铜模浇铸制备出具有不同厚度的Mg65Cu25-xCoxY10(x=2.5,5,7.5)合金薄板试样.利用X射线衍射确定铸态样品的非晶态性质,示差扫描量热计(DSC)分析合金的玻璃转变、晶化和熔化行为.在Mg65Cu25-xCoxY10合金中x小于5时,Co的添加对玻璃形成能力没有明显的影响,玻璃形成的临界厚度大约为2 mm;但当x增加至7.5时,合金的玻璃形成能力明显下降与无Co的合金相比较,含Co金属玻璃的玻璃转变温度Tg降低,过冷液态温度区间△Tx减小,但约化玻璃转变温度Trg没有明显的变化
关键词:
玻璃形成能力
,
非晶态合金
,
过冷液体
,
镁基合金
