袁剑峰
,
杨柏梁
,
朱永福
,
李牧菊
,
刘传珍
,
吴渊
,
廖燕平
,
王刚
,
邵喜斌
,
刘宏武
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.005
介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.
关键词:
a-Si
,
HTFT开关器件
,
有源层
,
栅绝缘层
,
界面特性
刘传珍
,
杨柏梁
,
张玉
,
李牧菊
,
吴渊
,
廖燕平
,
王大海
,
邱法斌
,
李轶华
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002
利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
关键词:
金属诱导晶化
,
多晶硅薄膜
,
退火
刘传珍
,
杨柏梁
,
朱永福
,
李牧菊
,
袁剑峰
,
王刚
,
吴渊
,
刘洪武
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.010
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性, 对器件参数的选择进行了分析.
关键词:
多晶硅
,
薄膜晶体管
,
有源矩阵液晶显示
朱永福
,
李牧菊
,
杨柏梁
,
刘传珍
,
廖燕平
,
袁剑锋
,
刘雅言
,
申德振
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.008
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜.分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(Prf)的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、 NH和NH2基团的吸收峰强度的影响, 同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响.
关键词:
等离子体化学气相沉积
,
非晶氮化硅薄膜
,
红外光谱
梁兆颜
,
闫石
,
宣丽
,
杨柏梁
,
黄锡珉
,
谢景力
,
张彦杰
,
赵英英
,
张金宝
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.007
研究了紫外光聚合物材料PV4的化学性质;采用偏光显微照相技术, 研究了这种材料膜对液晶LC-6710A的取向能力;用原子力显微镜(AFM), 研究了光聚合前后聚合物取向膜微观形貌的变化;测量了这种材料引起的液晶预倾角、单面光控取向层扭曲向列液晶显示器件(TN-LCD)的电光特性和时间响应特性;分析了液晶分子取向排列的机理.
关键词:
紫外聚合物PV4
,
液晶
,
光排列
,
预倾角
刘传珍
,
杨柏梁
,
李牧菊
,
吴渊
,
张玉
,
李轶华
,
邱法斌
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.008
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.
关键词:
p-si薄膜
,
激光退火
,
能量密度
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
刘传珍
,
袁剑峰
,
吴渊
,
廖燕平
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.007
建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.
关键词:
栅电极电阻
,
交叠电容
,
沟道电容
,
信号延迟
,
RC常数
刘传珍
,
杨柏梁
,
李牧菊
,
朱永福
,
袁剑峰
,
寥燕平
,
吴渊
,
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.006
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型.利用TFT的线性近似和Elmore模型,计算了周边驱动电路中的信号失真,讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对TFT开态电阻的要求.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源矩阵液晶显示
,
延迟
李牧菊
,
杨柏梁
,
朱永福
,
袁剑峰
,
刘传珍
,
廖燕平
,
吴渊
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.007
用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬底温度Ts和射频功率Prf的依赖关系.
关键词:
非晶硅
,
化学气相淀积
,
红外光谱
,
金相显微
