马艳
,
杜国同
,
杨树人
,
李正庭
,
李万成
,
杨天鹏
,
张源涛
,
赵佰军
,
杨小天
,
刘大力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.005
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.
关键词:
ZnO薄膜
,
MOCVD
,
PL谱
张源涛
,
崔勇国
,
张宝林
,
朱慧超
,
李万成
,
常遇春
,
杨树人
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性.此外,所生长n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小.在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流.
关键词:
ZnO薄膜
,
Si衬底
,
PL谱
,
异质结
王金忠
,
王新强
,
闫玮
,
殷宗友
,
马燕
,
姜秀英
,
杨树人
,
高鼎三
,
杜国同
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.005
在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数.当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低.当温度为550oC时,可生长出O:Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜.
关键词:
XRD
,
SEM
,
化学计量比
,
ZnO
刘博阳
,
杜国同
,
杨小天
,
赵佰军
,
张源涛
,
高锦岳
,
刘大力
,
杨树人
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.005
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法.并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜.使用X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究. X射线衍射谱图显示仅在2θ=34.72 °处有一个很陡峭的ZnO (002) 晶面衍射峰,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致.此衍射峰的半高宽为0.282 °,显示出较好的晶体质量.在室温光致发光谱中, 薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过10∶1,表明薄膜的光学质量较高.
关键词:
氧化锌
,
金属有机化学气相沉积
,
薄膜
,
生长
王金忠
,
王新强
,
王剑刚
,
姜秀英
,
杨树人
,
杜国同
,
高鼎三
,
功能材料
用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm.这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高.
关键词:
等离子体辅助MOCVD
,
X光衍射
,
光致发光
,
激光阈值
殷景志
,
杜国同
,
龙北红
,
杨树人
,
许武
,
宣丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80～125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1 dB; 较大的电流范围内FWHM值为40 nm.
关键词:
应变补偿
,
偏振不灵敏
,
半导体光放大器
张军胜
,
任玉东
,
吴小波
,
迟庆来
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.04.007
杨树金矿开采10多年来,采区内留有大量的低品位矿石.结合当前黄金市场和矿山技术经济状况及低品位矿石开采技术条件,寻求最佳经济效果的工业指标,重新确定表内表外矿量;利用统计学原理对近3年来的矿山生产实际指标进行统计分析,在浮选工艺稳定的前提下,分析入选品位、矿石性质及操作水平对选矿回收率的影响,从而研究出符合矿山实际的最佳配矿方式,使低品矿石得到充分利用.
关键词:
低品位矿石
,
工业指标
,
配矿利用
,
杨树金矿
黄绍锋
,
王卫京
,
吴晓波
,
马庆飞
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.05.006
采矿损失率和矿石贫化率是矿山企业采矿技术和管理水平的重要指标.针对传统损失贫化计算方法工作童大、数据不准确的实际问题,以辽宁金凤黄金矿业有限公司杨树金矿为例,利用三维可视化技术,通过建立采矿方法单体设计三维模型和矿体模型,以及生产采矿过程的相关辅助模型,利用这些模型参数和相关数据,获得损失贫化计算所需的各种数据,来探讨快捷、准确地计算采场矿石贫化率和采矿损失率的方法.
关键词:
三维可视化技术
,
采矿损失率
,
矿石贫化率
,
计算与管理
