苏燕
,
赵颖
,
蔡宁
,
孙建
,
魏长春
,
远存达
,
李媛
,
纪伟伟
,
杨瑞霞
,
熊绍珍
人工晶体学报
利用钛酸四丁酯水解反应,结合溶胶-凝胶与水热处理法制备了TiO2纳米团聚体.以该团聚体制备染料敏化太阳电池的光阳极,不但可以保持纳米粉体高比表面积的优点,同时可以提高对太阳光的散射率,简化电池制备工艺.本文研究了水解pH值对粉体物理性质、电池效率的影响规律.结果表明,水解的pH值对TiO2纳米粒子的尺寸、分布以及染料敏化太阳电池光阳极的显微形貌、电池光电特性都有很大影响.当pH值为1时,制备的电池效率最高达到5.77%(Jsc=15.04 mA/cm2,Voc=0.73 V, FF=0.53).
关键词:
pH值
,
散射率
,
TiO2纳米团聚体
苏燕
,
赵颖
,
蔡宁
,
远存达
,
李媛
,
纪伟伟
,
杨瑞霞
,
熊绍珍
人工晶体学报
以钛酸四丁酯为前驱物,冰醋酸为水解抑制剂,浓硝酸为胶溶剂,结合溶胶-凝胶与水热处理法成功制备了具有高比表面积的纳米二氧化钛胶体.除水、酸后,浓缩并添加有机粘结剂制成了纳米TiO2浆料.刷制多孔电极并组成电池后测试了其光电特性.调整胶溶剂-浓硝酸的添加量,制备了具有不同颗粒大小、晶型、比表面积的TiO2纳米颗粒.为了提高多孔薄膜的光散射效应,在浆料中添加了400 nm TiO2粉体,研究了其掺入量对电池特性的影响.结果表明,当硝酸加入量为 1 mL、掺入20%大颗粒TiO2时,制备的电池效率达到4.19%(Jsc=8.32 mA/cm2, Voc=0.76 V, FF=66.31%).
关键词:
染料敏化
,
太阳电池
,
比表面积
,
水热法
杨帆
,
杨瑞霞
,
陈爱华
,
孙聂枫
,
刘志国
,
李晓岚
,
潘静
人工晶体学报
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性.由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加.
关键词:
磷化铟
,
富磷
,
液封直拉法
,
缺陷
张苑
,
蔡宁
,
赵颖
,
赵大伟
,
刘广陆
,
纪伟伟
,
杨瑞霞
影像科学与光化学
采用无水相体系的胶体通过丝网印刷工艺制备TiO2薄膜电极,研究发现曲拉通(Triton X-100)可以明显改变TiO2电极显微结构,且对染料敏化太阳电池的性能影响显著.过少或过多的曲拉通都将导致开路电压、短路电流、填充因子以及效率的降低.由3 g P25粉末配制的胶体中,曲拉通适宜的加入量约为0.8 mL.
关键词:
染料敏化太阳电池
,
TiO2薄膜
,
Triton X-100
,
丝网印刷
焦宝臣
,
张晓丹
,
赵颖
,
孙建
,
魏长春
,
杨瑞霞
人工晶体学报
利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在coming 7059衬底上生长出P型透明导电膜.该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上.X射线衍射的测试结果表明:P型透明导电膜具有c轴择优生长特性.通过霍耳测试得到P型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21 Ω·cm、迁移率是0.22 cm2/(V·s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3.此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47 V.
关键词:
ZnO薄膜
,
P型
,
透明导电薄膜
,
太阳电池
陈爱华
,
杨瑞霞
,
杨帆
,
刘志国
,
孙聂枫
人工晶体学报
运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶.运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性测试.结果表明,晶格的应变导致了PL发光峰峰位的变化,晶格应变与残留应力测试结果相一致,说明材料生长过程中的热应力是导致样品晶格常数分布不均匀的主要因素.
关键词:
磷化铟
,
液封直拉法
,
晶格应变
,
残留应力
齐晓光
,
雷青松
,
杨瑞霞
,
薛俊明
,
柳建平
人工晶体学报
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能.研究表明,在硅烷浓度为5％时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性.作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92％的太阳电池.
关键词:
RF-PECVD
,
非晶硅薄膜
,
硅烷浓度
,
HIT太阳电池
姜霞
,
赵正平
,
张志国
,
骆新江
,
杨瑞霞
,
冯志红
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.014
基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.
关键词:
AlGaN/GaN
,
高电子迁移率晶体管
,
解析模型
,
自热效应
,
直流Ⅰ-Ⅴ特性
