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氧化锌掺钇透明导电薄膜的制备及光电特性研究

宋淑梅 , 田林 , 辛艳青 , 姜丽莉 , 李延辉 , 庞志勇 , 林亮 , 韩圣浩

功能材料

采用射频磁控溅射法,室温下在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新型透明导电薄膜YZO(ZnO掺杂Y2O3简称YZO).在薄膜厚度为600nm的情况下,研究了薄膜电学特性随溅射功率和溅射气压的变化情况.X射线衍射谱表明YZO薄膜是多晶膜,具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向.最佳溅射条件下制备的薄膜电阻率为8.71×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到92.3%,禁带宽度为3.57eV.

关键词: 透明导电薄膜 , YZO , 射频磁控溅射 , 电阻率 , 透过率

GZO/Ag/GZO多层薄膜制备、结构与光电特性的研究

田林 , 张之圣 , 宋淑梅 , 辛艳青 , 姜丽莉 , 李延辉 , 韩圣浩

功能材料

采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO/Ag/GZO(ZnO掺杂Ga_2O_3简称GZO)多层薄膜.X射线衍射谱表明GZO/Ag/GZO多层薄膜是多晶膜,GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向;Ag层是立方结构,具有(111)取向.在GZO层厚度一定的情况下,研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响.研究发现,当Ag层厚度为10nm时,3层膜的电阻率为9×10~(-5)Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到89.7%,薄膜对应的品质因子数值为3.4×10~(-2)Ω~(-1).

关键词: GZO/Ag/GZO , 多层膜 , 溅射方法 , 透明导电膜

磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜

梁朝旭 , 李帅帅 , 王雪霞 , 李延辉 , 宋淑梅 , 田林

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件.重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响.制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2%.

关键词: 磁控溅射 , IGZO , 非晶薄膜 , 透明导电膜

薄膜厚度对ZnO∶Y薄膜结构及光电特性影响

田林 , 宋淑梅 , 辛艳青 , 李延辉 , 杜桂强 , 韩圣浩

人工晶体学报

室温下采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新型ZnO∶Y (ZnO掺杂Y2O3,简称ZnO∶Y)透明导电薄膜.研究了薄膜厚度对ZnO∶Y薄膜结构、光电特性的影响.结果表明:不同厚度的ZnO∶Y薄膜均为多晶薄膜,具有ZnO六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向.随薄膜厚度增加,其电阻率减小,当薄膜厚度增至800 nm时,其电阻率为8.36×10-4 Ω·cm,迁移率为15.3 cm2 ·V-1 ·s-1,载流子浓度为4.88×1020 cm-3.不同厚度的薄膜在可见光范围内平均透过率均为90%以上,当薄膜厚度从200 nm增加到800 nm时,薄膜禁带宽度从3.68 eV减小到3.61 eV.

关键词: 磁控溅射 , ZnO∶Y薄膜 , 电阻率 , 透过率

射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响

, 王昆仑 , 刘媛媛 , 李延辉 , 宋淑梅 , 田林

人工晶体学报

在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律.结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载流子霍尔迁移率高达24 em2·V-1·s-1.随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV.研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率.随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律.当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020 cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1· s-1.

关键词: 铟锡锌氧化物薄膜 , 光学带隙 , 光电特性 , 射频功率

同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响

宋淑梅 , 宋玉厚 , 田林 , 贾绍辉 , 辛艳青 , 李延辉

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜.利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性.结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30%,薄膜的电阻率达到2.65×10-4 Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为91.5%.

关键词: ITO , 同质缓冲层 , 电阻率 , 透过率

有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电特性对比研究

田林 , 韩圣浩 , 张鹏 , 王爱芳

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.002

讨论了在低温条件下制备的ZnO:Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polvimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究.两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6~5.16 g/cm3.在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性.

关键词: ZnO:Al薄膜 , 光电特性 , 射频磁控溅射

Cr基及其化合物过渡层对TiCN涂层性能的影响

李方正 , 王昆仑 , 赵继凤 , 郑小燕 , 辛艳青 , 田林

中国表面工程 doi:10.11933/j.issn.1007-9289.20160923001

为研究过渡层材料及结构对TiCN涂层性能的影响,设计3种Cr基及其化合物过渡层,利用多弧离子镀技术制备TiCN涂层.膜系分别为Cr/TiCN、Cr/CrN/TiCN和Cr/CrN/CrCN/TiCN.利用SEM、XRD、纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损试验机和球磨仪对涂层的微观结构和性能进行表征.结果表明:随着过渡层由单层Cr依次加入CrN和CrCN,涂层原有的柱状晶生长被抑制并最终消除.与具有Ti过渡层的TiCN相比,涂层不再具有明显择优取向,(111)峰强度大大减弱而(200)峰发生宽化.具有CrN和CrCN过渡层的样品硬度和附着力明显高于以单层Cr为过渡层的样品,Cr/CrN/CrCN/TiCN膜系硬度和附着力最高,分别为(30.11±0.34) GPa和(37.21±0.46) N.摩擦磨损试验结果表明:CrCN过渡层的引入显著提升了涂层耐磨性,其对应样品摩擦因数最低,达到0.111,并在球磨测试中表现稳定,而其它膜系均出现不同程度的磨损形貌.

关键词: 过渡层 , TiCN涂层 , 硬度 , 附着力 , 耐磨性

立铭方法估算大于126的幻数

李先卉 , 周治宁 , 钟毓澍 , 泽森

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.01.009

采用Woods-Saxon形成的密度函数,按照立铭方法以及稍微修改的方法进行估算都得出,紧接126的幻数应该接近于184.

关键词: 超重核幻数 , 立铭方法 , Thomas-Fermi近似

甘肃坪金矿床控矿特征及找矿方向

张银斗

黄金

坪金矿床赋存于下古生界丹凤群大草坝组变火山—沉积建造中,金矿化严格受层间挤压破碎(片理化)带控制,赋矿岩性为蚀变的二云石英片岩、绢云母石英片岩、绿泥石英片岩等变质岩及黄铁矿化石英脉,金矿化受变质、构造及次生氧化三重作用控制.对坪金矿床的地质特征及控矿特征进行了系统的研究,总结了找矿标志,并指出了找矿方向.

关键词: 地质特征 , 控矿特征 , 找矿标志 , 找矿方向 , 坪金矿床

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