段宝兴
,
杨银堂
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.013
针对发展高速、低功耗CMOS电路,分析了CMOS技术对多层金属栅的要求;对于不同金属厚度的双层金属栅,利用MOS系统能带的变化得出半导体与多层金属功函数差取决于底层金属的功函数,这为只通过调节底层金属功函数以达到改变CMOS阈值电压提供了理论依据;利用不同厚度的双层金属系统能带变化分析获得,当多层金属栅的底层金属厚度小于其最大偶极层厚度时,功函数较厚膜材料变大,达到"厚度调变功函数"效应.
关键词:
CMOS
,
双层金属栅
,
阈值电压
,
调变功函数
杨银堂
,
贾护军
,
李跃进
,
柴常春
,
王平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.007
采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.
关键词:
碳化硅
,
欧姆接触
,
离子注入
,
传输线法
柴常春
,
杨银堂
,
李跃进
,
贾护军
功能材料
用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样刻蚀工艺条件下,以SF6+O2作为刻蚀气体要比以CF4+O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率;在任何气体混合比条件下经SF6+O2刻蚀后的样品表面都不会产生富碳(C)表面的残余SiC层;而经CF4+O2刻蚀后的样品表面是否产生富C表面残余SiC层则与气体混合比条件有关,但刻蚀后的样品表面更为细腻.文中还对不同刻蚀气体下的刻蚀产物进行了讨论比较.
关键词:
SiC薄膜
,
等离子体刻蚀(PE)
,
刻蚀气体
贾护军
,
杨银堂
,
柴常春
,
李跃进
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.018
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散.选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时,可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0～2.5nm/min.
关键词:
碳化硅薄膜
,
常压化学气相淀积
,
表面预处理
,
硅化
,
碳化
贾护军
,
杨银堂
,
李跃进
,
柴常春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.029
目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术.
关键词:
碳化硅
,
功率器件
,
界面态
,
复合栅介质
贾护军
,
杨银堂
,
柴常春
,
李跃进
功能材料
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长.利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析.提出并讨论了外延生长β-SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理.
关键词:
β-SiC薄膜
,
外延生长
,
化学组分
,
工艺
宋久旭
,
杨银堂
,
王平
,
郭立新
人工晶体学报
基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷；这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导；导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势.这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值.
关键词:
碳化硅纳米管
,
反位缺陷
,
电子结构
,
光学性质
