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多晶碳化硅的氧化技术研究

本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

CMOS双层可变功函数金属栅技术

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.013

针对发展高速、低功耗CMOS电路,分析了CMOS技术对多层金属栅的要求;对于不同金属厚度的双层金属栅,利用MOS系统能带的变化得出半导体与多层金属功函数差取决于底层金属的功函数,这为只通过调节底层金属功函数以达到改变CMOS阈值电压提供了理论依据;利用不同厚度的双层金属系统能带变化分析获得,当多层金...

关键词: CMOS , 双层金属栅 , 阈值电压 , 调变功函数

SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性

杨银堂 , 贾护军 , 李跃进 , 柴常春 , 王平

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.007

采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.

关键词: 碳化硅 , 欧姆接触 , 离子注入 , 传输线法

硅基外延β-SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀研究

柴常春 , 杨银堂 , 李跃进 , 贾护军

功能材料

用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样刻蚀工艺条件下,以SF6+O2作为刻蚀气体要比以CF4+O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率;在任何气体混合比条件下...

关键词: SiC薄膜 , 等离子体刻蚀(PE) , 刻蚀气体

表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

贾护军 , 杨银堂 , 柴常春 , 李跃进

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.018

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还...

关键词: 碳化硅薄膜 , 常压化学气相淀积 , 表面预处理 , 硅化 , 碳化

硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

贾护军 , 杨银堂 , 朱作云 , 李跃进

无机材料学报

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．

关键词: 外延生长 , deposition temperature , crystallinity , null

应变硅的应变量表征技术

段宝兴 , 杨银堂

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.005

本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法:Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应变量测法、ANSYS模拟分析法,为应变硅技术在CMOS技术中的应用提供科...

关键词: CMOS , 应变硅 , Raman光谱

SiC功率器件与电路中的栅介质技术

贾护军 , 杨银堂 , 李跃进 , 柴常春

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.029

目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介...

关键词: 碳化硅 , 功率器件 , 界面态 , 复合栅介质

Si基β-SiC薄膜外延生长技术研究

贾护军 , 杨银堂 , 柴常春 , 李跃进

功能材料

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长.利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析.提出并讨论了外延生长β-SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理.

关键词: β-SiC薄膜 , 外延生长 , 化学组分 , 工艺

含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

宋久旭 , 杨银堂 , 王平 , 郭立新

人工晶体学报

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷；这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导；导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了...

关键词: 碳化硅纳米管 , 反位缺陷 , 电子结构 , 光学性质

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