刘长友
,
介万奇
,
张滨滨
,
查钢强
,
王涛
,
谷智
人工晶体学报
采用物理气相输运法( PVT),以Cr2+∶ ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体.紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770nm左右出现了
关键词:
硒化锌
,
Cr2+掺杂
,
物理气相输运法
刘长友
,
孙晓燕
,
王涛
,
查钢强
,
介万奇
材料导报
室内自然环境下在三乙醇胺( Triethanolamine,TEA)中利用硼氢化钾(KBH4)固相还原单质硒(Se),获得了稳定的硒氢酸根离子(HSe-).在TEA中通过HSe-与ZnSO4·7H2O反应制备了橙黄色中间体.有机元素分析、全谱直读等离子体发射光谱(ICP)分析、红外光谱和紫外-可见光...
关键词:
硒化锌
,
室温反应
,
固相还原
刘长友
,
谷智
,
王涛
,
查钢强
,
介万奇
功能材料
研究了低浓度（0.01～0.20mol/L）N2H4.H2O条件下ZnO微晶的低温水热结晶特性。N2H4.H2O弱碱性和N2H5＋吸附配位性影响ZnO微晶的形核和各晶面的生长速率。随着N2H4.H2O浓度的提高,ZnO微晶分别呈板条状、六角片状和六角棒束状。碱性分散剂和超声的分散作用影响主要在成核阶...
关键词:
氧化锌
,
水热合成
,
结晶习性
,
水合肼
陈曦
,
王涛
,
周伯儒
,
何杰
,
李阳
,
杨帆
,
徐亚东
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体.采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分布,并与垂直布里奇曼法生长的同成分CdZnTe晶体进行了对比分析.结果表明,移动加热器法生长的CdZnTe晶体沿径向的成分和缺陷分布均匀,均优于垂直布里奇曼法生长...
关键词:
CdZnTe
,
移动加热器法
,
成分
,
缺陷均匀性
周岩
,
介万奇
,
何亦辉
,
蔺云
,
郭欣
,
刘惠敏
,
王涛
,
徐亚东
,
查钢强
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.028
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密...
关键词:
CdZnTe
,
Cd/Zn 合金
,
退火
,
Te 夹杂
,
迁移机制
刘惠敏
,
王涛
,
何亦辉
,
周岩
,
张昊
,
徐亚东
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
基于缺陷化学理论,考虑到富Te的CdTe晶体中可能存在的点缺陷,建立了在Te气氛下退火时,热力学平衡态晶体中的点缺陷模型,其中包括Cd间隙(Cdi)、Cd空位(VCd)、Te间隙(Tei)和Te反位(TeCd).利用质量作用定律和伪化学平衡方程计算了富Te情况下本征CdTe晶体中的点缺陷浓度和费米能...
关键词:
缺陷化学
,
CdTe
,
点缺陷
,
费米能级
王泽温
,
介万奇
,
李培森
,
谷智
,
刘长友
,
李强
,
查钢强
,
汪晓芹
稀有金属材料与工程
采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变...
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
电学参数
,
霍尔迁移率
杨睿
,
孙晓燕
,
刘长友
,
徐亚东
,
查钢强
,
王涛
,
介万奇
人工晶体学报
利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态.结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrx Te晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集；红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则...
关键词:
Zn1-xCrTe
,
碲溶剂法
,
富碲相
李强
,
介万奇
,
傅莉
,
汪晓芹
,
查钢强
,
曾冬梅
,
杨戈
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.052
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进...
关键词:
CZT晶体
,
PL谱
,
I-V特性
,
C-V特性
蔺云
,
介万奇
,
查钢强
,
张昊
,
周岩
,
汤三奇
,
李嘉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015
采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分...
关键词:
近空间升华法
,
CdZnTe外延厚膜
,
PL谱
,
应变弛豫
