孙朝阳
,
栾京东
,
刘赓
,
李瑞
,
张清东
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00641
采用近等温单轴压缩实验获得了AZ31镁合金变形温度为523-723K,应变速率为0.01-10s-1条件下的流动应力,分析了变形温度和应变速率对流动应力的影响规律.结果表明,AZ31镁合金变形过程中发生了动态再结晶,523K时形成细小组织；而723K时动态再结晶和长大的晶粒沿径向拉长.考虑实验过程塑性变形功和摩擦功引起的温度升高,在高应变速率条件下采用温度补偿修正了流动应力.在此基础上,建立了基于双曲正弦模型的峰值流动应力和统一本构关系,该模型利用材料参数耦合应变来描述流动应力的应变敏感性,进一步获得了合金热变形过程中流动应力与变形温度,应变速率和应变的定量关系.采用该本构关系模型预测流动应力具有较高的精度,预测值与实测值相关系数为0.976,平均相对误差为5.07％,实验条件范围内预测的流动应力与实验值几乎能保持一致.
关键词:
AZ31镁合金
,
热压缩变形
,
本构关系
,
流动应力
肖云
,
魏国升
,
王瑛
腐蚀与防护
采用失重法、电化学阻抗谱法、极化曲线法测试了25℃时栾树籽提取物(KPSE)在5％ H2SO4溶液中对A3碳钢的缓蚀作用.结果表明,栾树籽提取物缓蚀剂质量浓度为15 g/L时,缓蚀率高达93.88％.因其在钢铁表面吸附而起缓蚀作用,吸附模型符合Langmuir吸附等温式.运用相关公式,求出△G的值在-20～0 kJ/mol之间,属于物理吸附；求出腐蚀反应的Ea,△H*和△S*值,并讨论了缓蚀机理.极化曲线表明栾树籽提取物是混合型缓蚀剂.
关键词:
栾树籽提取物
,
缓蚀率
,
硫酸
,
缓蚀机理
霍晓迪
,
陈兵
,
李知勋
,
李淳东
,
刘华锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0058
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺.利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致.实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿.采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能.
关键词:
干法刻蚀
,
侧面接触方式
,
过孔
,
液晶面板
,
低温多晶硅技术
焦栋茂
,
王新征
,
李洪涛
,
郭烈萍
,
蒋百灵
人工晶体学报
基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/ Si…Al/ Si/ glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/ Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/ Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始品核数量增加的贡献.随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始品核位置并进行外延生长来实现的.经500℃退火1 h后,Al/ Si薄膜的截面形貌巾出现了沿Si(111)晶面生长的栾品组织.
关键词:
退火时间
,
非晶硅薄膜
,
晶化
,
扩散
