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不同减水剂对β型磷建筑石膏性能的影响

郜峰 , 赵志曼 , 全思臣 , 张文佳 , 姚毅惠 ,

硅酸盐通报

研究了聚羧酸系减水剂和磺化三聚氰胺减水剂在不同掺量的情况下对β型磷建筑石膏的流动性,减水率,凝结时间,以及绝干抗压强度的影响规律.同时利用软件对最佳减水剂(聚羧酸系)不同掺量的绝干抗压强进行非线性拟合,并将拟合结果和实验结果进行对比.结果表明,聚羧酸系减水剂对β型磷建筑石膏的流动性,凝结时间,以及绝干抗压强度有明显的改善,且减水效果较好;磺化三聚氰胺对β型磷建筑石膏的性能总体上没有影响.通过拟合和实验结果得出,掺量为0.48%聚羧酸系减水剂更适用于β型磷建筑石膏.

关键词: 减水剂 , 聚羧酸系 , 磺化三聚氰胺 , β型磷建筑石膏

首钢烧结配加地粉试验研究

王颖生 , 赵志星 , 成富全 , 赵勇

钢铁

介绍了首钢原料条件下配加地粉对烧结生产影响的实验室研究.随着地粉配入量的增加,烧结矿转鼓强度、成品率改善,燃耗有少量上升,利用系数增加,低温还原粉化指数变差.研究结果表明:在首钢目前条件下,配入10%~20%的地粉是可行的.二烧车间进行了地粉工业试验,其最高配比达到30%,工业试验时烧结各项指标变化与实验室试验结果基本一致.

关键词: 铁矿 , 烧结 , 转鼓强度 , 低温还原粉化

高比例迪粉烧结优化试验研究

武轶 , 黄发元 , 金俊 , 闫媛媛 , 夏征宇 , 熊德怀

钢铁研究

介绍了迪粉(YD粉)烧结配矿优化试验情况及不同硅源对高YD粉配比烧结过程的影响.试验结果表明:用具有高孔隙度的YD矿替代B粉、C粉和E粉后,混合料水分应适当提高,以改善混匀制粒效果.因原料装料密度降低,使原始料层透气性得到改善,烧结生产率得到提高,烧结矿还原性略有改善,T<,D>-T<,S>区间和T<,D>-T<,m>区间均呈现变窄趋势,这有利于改善高炉透气性和降低焦比,但烧结矿TI和成品率呈下降趋势,固体燃耗略有升高.当YD粉配比增加到30%时,不同的硅源对烧结指标的影响较大.

关键词: YD粉 , 烧结 , 配矿 , 硅源

树籽提取物在5%H2SO4中对A3碳钢的缓蚀性

肖云 , 魏国升 , 王瑛

腐蚀与防护

采用失重法、电化学阻抗谱法、极化曲线法测试了25℃时树籽提取物(KPSE)在5% H2SO4溶液中对A3碳钢的缓蚀作用.结果表明,树籽提取物缓蚀剂质量浓度为15 g/L时,缓蚀率高达93.88%.因其在钢铁表面吸附而起缓蚀作用,吸附模型符合Langmuir吸附等温式.运用相关公式,求出△G的值在-20~0 kJ/mol之间,属于物理吸附;求出腐蚀反应的Ea,△H*和△S*值,并讨论了缓蚀机理.极化曲线表明树籽提取物是混合型缓蚀剂.

关键词: 树籽提取物 , 缓蚀率 , 硫酸 , 缓蚀机理

N6-35-I汽轮发电机组找正实践

宋儒将

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.z1.038

通过N3-56-I型机组找中心实例介绍了汽轮发电机组找正的主要目的和测量方法,并提出了综合按联轴器找中心和按度配置两个条件综合分析的找正方法,简化了找正过程.

关键词: 找正 , 同轴度 , 端面平行度 , , 调整

用悬丝耦合弯曲共振法测定金属材料的杨氏模量和切变模量

周冀蕾

物理测试

研究了氏模量(E)、切变模量(G)和泊松比(μ)的关系,介绍了悬丝耦合弯曲共振法的优点,简单阐述了悬丝耦合弯曲共振法的原理,用悬丝耦合弯曲共振法测量金属试样的弹性模量。

关键词: 氏模量(E) , 切变模量(G) , 泊松比(μ) , 弯曲共振 , 扭转共振

相场模型参数对枝晶形貌的影响

赵代平 , 荆涛 , 柳百成

金属学报

定量研究了相场模型中过冷度、温度对相场的耦合系数、各向异性系数等参数对晶粒形貌的影响, 讨论了不同枝晶形貌和海藻状形貌的产生和转化. 研究了生长速度与晶粒形貌及相参数的联系, 分析了枝晶生长尖端的分叉及边枝的产生原理.

关键词: 相场 , null , null , null

高炉炉缸炉底合理结构研究

赵宏博 , 程树森 , 赵民革

钢铁

从传热学的角度出发,通过对炉缸炉底温度场的分析计算,论证了炉底全部砖层的热阻并不只是一个统一的整体,总热阻相同而结构不同的炉底,温度场分布也不同,阐明了全炭砖炉底和陶瓷杯复合炉缸炉底存在的弊端及其根本原因,进而根据铁水和冷却水的不同影响范围,提出"避热"和"冷"的概念.给出了"冷避热型梯度布砖法"的炉缸炉底设计,并经过计算分析论证了该类型的炉缸炉底利于可再生的"自保护"渣铁壳的形成和稳定存在,不但可以延长炉缸炉底的寿命,还可以降低其成本及热量损失.

关键词: 炉缸炉底 , 传热学 , 长寿实质 , 冷避热 , 梯度布砖法

退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响

焦栋茂 , 王新征 , 李洪涛 , 郭烈萍 , 蒋百灵

人工晶体学报

基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/ Si…Al/ Si/ glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/ Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/ Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始品核数量增加的贡献.随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始品核位置并进行外延生长来实现的.经500℃退火1 h后,Al/ Si薄膜的截面形貌巾出现了沿Si(111)晶面生长的品组织.

关键词: 退火时间 , 非晶硅薄膜 , 晶化 , 扩散

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