栾澈
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朱世玲
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杨合
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薛向欣
材料与冶金学报
本文探索了低品位菱镁矿综合利用的新途径.以低品位菱镁矿为原料,在950℃煅烧,研究煅烧时间对低品位菱镁矿失重率的影响,通过正交实验研究时间、温度、CaCl2剂量、CO2流量对Mg2+、Ca2+溶出率的影响,确定镁溶出的最佳工艺条件,并使用氨法生产Mg(OH)2,沉淀洗涤烘干后生产出氧化镁.结果表明,菱镁矿950℃时最佳煅烧时间为2h,正交实验确定了镁溶出最佳工艺参数为:溶出温度50℃,溶出时间4h,CaCl2剂量1倍,CO2流量480 mL/h,在此条件下镁钙溶出率之比为11.2.使用氨法生产Mg(OH)2沉淀,最终在800℃下煅烧2.5h,制得氧化镁的纯度为90.6％,镁回收率为80.6％.
关键词:
低品位菱镁矿
,
煅烧
,
氧化镁
宋丽
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毛宇
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栾澈
,
杨合
材料与冶金学报
含钛高炉渣具有光催化性能,可处理水中有机污染物.为拓展去除污水中有机物的应用,选用含钛高炉渣作为光催化材料降解酸性铬兰K.用悬浮溶液法进行了光催化降解实验,探讨了光催化剂量、紫外光强度、外加电场及添加H2O2对光催化效果的影响.结果表明:对含钛高炉渣光催化剂的最佳加入量为0.01g/mL的酸性铬兰K溶液,酸性铬兰K的降解率受光强度的影响不显著.外加电场可提高溶液中酸性铬兰K降解率,外加电场电压大于20V后降解率基本不变,加入少量的H2O2能够提高酸性铬兰K的降解率.
关键词:
含钛高炉渣
,
光催化剂
,
降解率
,
酸性铬兰K
王昱征
,
薛向欣
,
杨合
,
栾澈
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.23.016
采用溶胶-凝胶法对 TiO2进行 Ce 及 Zn 单一和共掺杂改性.以金葡萄球菌、大肠杆菌和白念珠菌为菌种，研究组分对材料的可见光抗菌活性影响.运用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、比表面仪(BET)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS)等测试手段对样品的结构进行表征.实验结果表明，掺杂改性抗菌剂中适量Ce组分的作用，在于通过抑制抗菌剂的晶粒长大和拓展光响应范围等方面，增进抗菌剂的光催化性能.掺杂抗菌剂中适量 Zn 组分的作用在于提高材料的光催化抗菌性能.Zn、Ce 共掺杂 TiO2纳米材料表现出良好的协同抗菌效果，协同效应因子(SEF)＞0.
关键词:
抗菌性能
,
协同作用
,
Zn掺杂
,
Ce掺杂
肖云
,
魏国升
,
王瑛
腐蚀与防护
采用失重法、电化学阻抗谱法、极化曲线法测试了25℃时栾树籽提取物(KPSE)在5％ H2SO4溶液中对A3碳钢的缓蚀作用.结果表明,栾树籽提取物缓蚀剂质量浓度为15 g/L时,缓蚀率高达93.88％.因其在钢铁表面吸附而起缓蚀作用,吸附模型符合Langmuir吸附等温式.运用相关公式,求出△G的值在-20～0 kJ/mol之间,属于物理吸附；求出腐蚀反应的Ea,△H*和△S*值,并讨论了缓蚀机理.极化曲线表明栾树籽提取物是混合型缓蚀剂.
关键词:
栾树籽提取物
,
缓蚀率
,
硫酸
,
缓蚀机理
焦栋茂
,
王新征
,
李洪涛
,
郭烈萍
,
蒋百灵
人工晶体学报
基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/ Si…Al/ Si/ glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/ Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/ Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始品核数量增加的贡献.随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始品核位置并进行外延生长来实现的.经500℃退火1 h后,Al/ Si薄膜的截面形貌巾出现了沿Si(111)晶面生长的栾品组织.
关键词:
退火时间
,
非晶硅薄膜
,
晶化
,
扩散
