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Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

杨炬 , , 钱永彪 , 史伟民 , 王林军 , 刘冬华 , 闵嘉华 , 李志峰 , 苏宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.004

本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1~2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4%左右,红外透过率大于60%,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.

关键词: CdZnTe晶体 , 布里奇曼法 , CdZnTe熔体平衡分压 , γ探测器

CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法

闵嘉华 , , 钱永彪 , 王昆黍 , 刘洪涛 , 詹峰 , 秦凯丰 , 樊建荣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.013

采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性.

关键词: CZT共面栅器件 , 权重势 , 电子俘获 , 电荷感应效率

高分子凝胶法蓝色发光ZnS微晶的制备及形成机理

陈宗高 , 李冬梅 , , 闵嘉华 , 王灵玲 , 徐慧超 , 陈建明 , 毛日华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.005

本研究采用高分子凝胶法在聚乙烯醇基体上制备了ZnS微晶.常温下,采用金相显微镜、X射线衍射仪及荧光分光光度计对样品进行了表征.结果表明,PVA膜中的微晶分布均匀,粒径大小为0.2~1μm.微晶具有明显的立方相结构,衍射峰有宽化现象.发现PL光谱的激发峰与发射峰都为双峰结构,发射最高峰在440nm处,半高宽为50nm左右.在紫外灯照射下,肉眼观看该薄膜样品,发出耀眼的蓝光.探讨了微晶在聚乙烯醇稳定剂中的形成机理,聚乙烯醇在体系中起着包覆、稳定及表面修饰作用.

关键词: 高分子 , 凝胶法 , 硫化锌微晶 , 蓝光

Au-CZT与Au/Cr-CZT接触性能比较

梁小燕 , 闵嘉华 , 赵岳 , 王长君 , , 秦凯丰 , 胡冬妮 , 周晨莹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.001

本文通过附着力测试,应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au-CZT与Au/Cr-CZT接触进行研究.结果表明采用Au/Cr复合电极可提高电极附着强度和热稳定性.在老化实验中,Au-CZT界面附着力下降了61.98%,而Au/Cr-CZT仅降低28%.Au/Cr电极器件的漏电流较低,~(241)Am射线下能谱响应更佳.分析其原因可能是Au与CZT间的Cr层降低了接触层内的热应力,合金化过程促进了金-半界面的互扩散,使Au和CZT更易形成欧姆接触,综合考虑Au/Cr复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.

关键词: 复合电极 , 金半接触 , 应力模拟分析 , CZT探测器

CdS纳米微晶在PAN膜中的形成与特性

彭小雷 , , 王林军 , 刘祖刚 , 史伟民 , 钱永彪 , 闵嘉华 , 刘引烽

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.001

采用离子络合法在PAN膜中制备了CdS纳米微晶. 根据红外吸收 (IR) 光谱和原子力显微镜 (AFM) 的测试结果提出了可能的形成机理, 并采用X射线衍射分析 (XRD)、紫外可见吸收光谱 (UV)、激发和发射光谱 (PL) 对其特征进行了初步表征.

关键词: PAN , 离子络合法 , CdS纳米微晶

热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究

闵嘉华 , , 刘洪涛 , 钱永彪 , 滕建勇 , 樊建荣 , 李万万 , , 金玮

稀有金属材料与工程

对电阻率为103~6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108~9Ω·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理.结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级.非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10-4 Pa,退火时间达48 h后,电阻率可以提高到2.6×109Ω·cm.

关键词: CdZnTe热处理 , Cd/Zn平衡分压 , In扩散

溶胶络合转化法制备CdS纳米微晶及其特性研究

, 彭小雷 , 史伟民 , 刘祖刚 , 钱永彪 , 王林军 , 闵嘉华 , 刘引烽

功能材料

依据高分子链上的配位基团与金属离子间络合反应平衡原理以及溶液中双电层扩散模型,提出了用溶胶络合转化法在甲壳胺中制备CdS纳米微晶的新方法.采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射图谱(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV)及激发-发射光谱等手段研究了甲壳胺膜中CdS纳米微晶的特性,室温下的量子尺寸效应由实验得到了证实.此外分别采用Scherrer公式和AFM技术对晶粒尺寸进行了估算与测定,并对两种结果进行了比较与分析,由这种方法制备的纳米微粒尺度可由实验条件控制在2~18nm之间.

关键词: 溶胶络合转化法 , 甲壳胺 , Cd3纳米微晶 , 原子力显微镜

垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究

李万万 , , 闵嘉华 , 郁芳 , , 王昆黍 , 曹泽淳

无机材料学报

在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。

关键词: CdZnTe , vertical bridgman method , finite element method , experimental study

声光晶体TeO2的生长及缺陷研究

季小红 , , 刘冬华 , 李冬梅 , 钱永彪 , 史伟民 , 闵嘉华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.01.016

本文研究了直拉TeO2晶体中的主要晶体缺陷形成机理,讨论分析了TeO2单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明:晶体裂缝主要与温度梯度有关,温度梯度大于20~25℃/cm及出现界面翻转时,易造成晶体的开裂,位错密度增加;晶体中的包裹体主要为气态包裹体,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关,转速15~18r/min,拉速0.55mm/h,固液界面微凹,可以减少晶体中的气态包裹体;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起,当台阶间距较宽时,易形成包裹体。

关键词: 声光晶体 , TeO2晶体 , 晶体缺陷 , 工艺参数

Au/CdZnTe电极接触的热处理优化工艺

梁小燕 , 闵嘉华 , 王长君 , , 顾莹 , 赵岳 , 周晨莹

稀有金属材料与工程

系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au/CdZnTe电极接触特性的影响.结果表明,在353~373 K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能,测试得到电极与CdZnTe接触势垒较低,接触电阻较小,欧姆系数最佳,并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能.而当热处理温度高于400 K时,Au电极沉积表面形貌明显变差,CdZnTe样品的漏电流大幅增加.这可能是由于随着热处理温度的增加,CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧,产生大量的Cd空位引起的.

关键词: CdZnTe , M-S接触 , 热处理 , 真空蒸发 , 电学性能

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