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110 kV棒形悬式瓷绝缘子结构应力分析

蔡洙郁 , 荆洪阳 , 樊利国

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.04.009

为了解棒型悬式瓷绝缘子的应力分布情况及其解决方法,用有限元法分析了0℃到-40℃温度环境条件下棒型悬式瓷绝缘子胶装部位的结构应力的分布,结果表明:沥青缓冲层不但改变了胶装部位的应力分布,还显著降低了胶装部位的应力大小,从而为棒型悬式瓷绝缘子的设计提供了可靠依据.

关键词: 瓷绝缘子 , 缓冲层 , 温度结构应力

金属再生利国利民

宋学信 , 陆峻

金属世界 doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2003.01.011

关键词:

青海湖樊氏盐单胞菌QHL5四氢嘧啶合成影响因素分析?

朱德锐 , 龙启福 , 沈国平 , 李丹丹 , 刘德立

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.01.2014041201

以青海湖野生菌株Halomonas ventosae QHL5为材料，初步探讨了多种因素对胞内相容溶质四氢嘧啶（ Ectoine）合成的影响．通过设置OSM培养基（ Oesterhelt?Stoeckenius medium）的不同单因素诱导条件（ Na＋、K＋、Mg2＋、pH和温度等），培养 QHL5菌株，并采用80％乙醇抽提 QHL5胞内四氢嘧啶，进行高效液相色谱（HPLC）定量检测．结果表明，QHL5胞内四氢嘧啶积聚的最佳单因素培养条件为Na＋浓度为1．5 mol·L－1，K＋浓度为0．75 mol·L－1，Mg2＋浓度为0．2 mol·L－1，pH 8．0和35℃．在优化条件下，QHL5积聚的四氢嘧啶最大浓度为379．6±8．26 mg·L－1，达到167．1±3．64 mg·g－1细胞干重． QHL5胞内的四氢嘧啶合成受到Na＋的渗透刺激作用，生物量却受到高浓度Na＋的抑制，低浓度Mg2＋（0．1—0．6 mol·L－1）和中浓度的K＋（0．5—1．2 mol·L－1）对四氢嘧啶的生物合成具有重要的渗透刺激作用．与已报道的四氢嘧啶合成菌株相比，QHL5能合成单一的、高浓度的四氢嘧啶，具备潜在的商业制备和应用开发价值．

关键词: 青海湖 , Halomonas ventosae , 相溶物质 , 四氢嘧啶 , 影响因素

中国硅酸盐学会将组团参加第14届意大利国际玻璃展览会

硅酸盐通报

关键词:

第十一届国际腐蚀会议将于1990年4月召开

中国腐蚀与防护学报

<正> 最近收到意大利冶金协会(Associalzlone Italiana di Metallurgia,简称AIM)寄来的会议通知,第十一届国际腐蚀会议将于1990年4月2～6日在意大利佛罗伦萨市(Florence)召开,由国际腐蚀学会理事会委托意大利冶金协会组织,由意大利国家科学研究院赞帮。

关键词:

路漫漫兮,无氰碱铜

袁诗璞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.08.017

无氰电镀利国利民.钢铁件要直接电镀无氰碱铜,置换问题易于解决,但要同时解决钢铁件的钝化问题却十分困难.只有提高无氰碱铜电镀的工艺性能,使其易于维护管理,才能经受大生产的长期考验,取得推广应用.在无氰碱铜电镀废水处理方面有待进一步深入研究.无氰碱铜电镀的方向是正确的,这条路还要继续艰苦地走下去.

关键词: 电镀 , 无氰 , 碱性镀铜

78Kr高自旋态的形状共存

白尔隽 , 王智魁 , 李险峰 , 马英君 , 赵广义 , 陆景彬 , 尹利长 , 孙慧斌 , 霍俊德

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.04.005

用熔合蒸发反应58Ni(23Na，3p)(Ein=70 MeV)和58Ni(28Si,a4p)(Ein=130 MeV)研究了78Kr的高自旋态，用美国劳伦斯伯克利国家实验室的γ球测量了实验中产生的瞬时符合事件，对新发现的一个负宇称带用多普勒位移衰减法对1 004 keV(10-→8-)和873 keV(8-→6-)作了多普勒展宽谱线形状测量．得到了负宇称带10－态能级的寿命τ＝(2.2±0.3)ps，8-态能级的寿命τ=(1.6±0.2)ps．故可知此负宇称带呈现长椭形变，与正宇称带的扁椭形变形状共存．

关键词: 高自旋态 , 多普勒位移衰减法 , 寿命 , 形状共存