樊武厚
,
李正军
,
毕晨曦
,
但卫华
,
王健
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2012.05.007
采用溶胶-凝胶法制备出水性聚氨酯( WPU )/SiO2纳米杂化物(WPUS),将WPUS和水性聚氨酯乳液复配制得复合涂膜.通过纳米粒度仪测定了WPUS及不同WPUS含量复合乳液的粒径及其分布;通过原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光分光光度计、拉伸实验机、视频高速接触角测量仪和吸水率测试等研究了不同WPUS含量复合涂膜的微观形貌和性能.结果表明:随WPUS含量增大,复合乳液的平均粒径和多分散指数(PDI)逐渐增大,但都保持在100 nm以内;随着WPUS含量从2%增大到10%,涂膜的表面粗糙度增大、SiO2分布变得不均匀,拉伸强度、断裂伸长率都表现出先增大后减小的趋势,在WPUS含量为4%~6%时具有最佳的力学性能;加入WPUS后,复合膜的耐水性提高、透光率减小,但透光率都保持在90%以上,其中700 nm处透光率表现出先减小后增大的趋势.
关键词:
水性聚氨酯
,
纳米杂化物
,
二氧化硅
,
溶胶-凝胶法
樊武厚
,
李正军
,
但年华
,
黄金
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅱ).021
在阴离子水性聚氨酯分散体(WP U )存在下,采用溶胶-凝胶法,通过前驱体正硅酸乙酯(TEOS)的水解、缩合反应,制备出不同 SiO2含量的 WPU/SiO2(WPUS)杂化材料。通过透射电镜、扫描探针显微镜、动态热机械分析仪、紫外-可见光分光光度计分别研究了不同m(TEOS)/m(WPU)对 WPUS 杂化乳液粒子形貌和杂化膜表面形貌、玻璃化转变温度(Tg )及透明度的影响。结果表明,当m(TEOS)/m(WPU)不超过0.50时,杂化乳液中 SiO2粒子以纳米尺寸均匀分散,WP U软段T g 向高温区移动,随着其增大到2.00,SiO2粒子逐渐增大到200 nm 以上,并有形成无机连续相的趋势,且 WP U 软段T g 又向低温区移动;当m(TEOS)/m(WPU)不超过1.00时,杂化膜表面粗糙度逐渐增大,可见光透光率逐渐减小,而随着其增大到2.00,WPUS 杂化膜表面粗糙度减小,可见光透光率增大,即杂化膜透明度提高。
关键词:
溶胶-凝胶法
,
水性聚氨酯
,
SiO2
,
杂化材料
,
透明度
樊武厚
,
李正军
,
但年华
,
黄金
高分子材料科学与工程
在阴离子水性聚氨酯分散体(WPU)存在下,通过前驱体正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MTES)的共水解缩合反应,在m(前驱体)/m(WPU)为1时制备出WPU/SiO2 (WPUS)复合材料.研究了n(MTES)/n (TEOS)对WPUS复合乳液平均粒径及粒子形貌、膜表面形貌及耐水性能的影响.结果表明,随着n(MTES)/n (TEOS)由0增大到1.5,复合乳液平均粒径由130 nm逐渐减小为107 nm;没有加入MTES的乳液中SiO2粒子以无规则形态非均匀分布,而加入MTES后乳液中SiO2为均匀分布的规则球形;随n(MTES)/n (TEOS)增大,复合膜表面SiO2分布均匀度逐渐提高,表面粗糙度逐渐减小,同时膜的水接触角逐渐增大,吸水率逐渐下降.
关键词:
前驱体
,
水性聚氨酯
,
二氧化硅
,
复合材料
,
表面性能
罗鹏
,
金鑫
,
徐承伟
,
薛致远
,
高强
,
张永盛
腐蚀与防护
采用GPS卫星同步断电法对忠武管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠武管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.
关键词:
阴极保护
,
通电电位
,
断电电位
李世鸿
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2001.01.013
概括介绍了厚膜金导体浆料。通过改变金粉、粘结剂和有机载体等主要组份的类型和含量,可以制得多种金浆料。①粘结剂类型对厚膜金导体的性能有较大的影响。根据附着机理分类,厚膜金导体分为4种主要类型,即玻璃结合型、反应结合型、混合结合型和表面活化结合型。②金粉颗粒的均匀性、单分散性、表面形态及尺寸对浆料的印刷性能和烧结性能影响大。颗粒表面越光滑,对提高印刷性能越有利。光滑的表面吸附有机载体较少,可减少导体膜在烘干—烧结时的收缩率。③有机载体的含量和流变学性能影响金浆料的印刷性能及烘干—烧结时的收缩率。④金浆中添加起合金化作用的元素,可提高导体在铝丝键合体系及Pb-In焊接体系的热老化性能。⑤为适应新的厚膜工艺技术的需要,研制可光刻的厚膜金导体浆料和金的金属有机浆料[Au MOC]。
关键词:
金
,
浆料
,
厚膜导体