樊良伟
腐蚀与防护
利用硝酸滴定试验、失重试验、动电位极化方法以及电化学阻抗谱技术,研究了Cu-Zn-Ni铜合金稀土镧盐型缓蚀剂,在3.5%NaCl溶液中的缓蚀作用.结果表明,协同型缓蚀剂BTA(苯并三氮唑)+TTA(甲基苯并三氮唑)和BTA+LaCl3能够很好地提高该铜合金在3.5%NaCl溶液中的耐腐蚀性能.当缓蚀剂中同时含有BTA、TTA、LaCl3(BTA:3 g·L-1,TTA:14 g·L-1,LaCl3:7g·L-1)时所表现出来的缓蚀效率最高.Cu-Zn-Ni合金经BTA+TTA+LaCl3缓蚀剂处理后,在NaCl溶液中室温下的腐蚀速率为2μm/a.
关键词:
铜合金
,
电化学阻抗谱
,
极化
,
失重
,
缓蚀剂
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
朱德锐
,
龙启福
,
沈国平
,
李丹丹
,
刘德立
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.01.2014041201
以青海湖野生菌株Halomonas ventosae QHL5为材料,初步探讨了多种因素对胞内相容溶质四氢嘧啶( Ectoine)合成的影响.通过设置OSM培养基( Oesterhelt?Stoeckenius medium)的不同单因素诱导条件( Na+、K+、Mg2+、pH和温度等),培养 QHL5菌株,并采用80%乙醇抽提 QHL5胞内四氢嘧啶,进行高效液相色谱(HPLC)定量检测.结果表明,QHL5胞内四氢嘧啶积聚的最佳单因素培养条件为Na+浓度为1.5 mol·L-1,K+浓度为0.75 mol·L-1,Mg2+浓度为0.2 mol·L-1,pH 8.0和35℃.在优化条件下,QHL5积聚的四氢嘧啶最大浓度为379.6±8.26 mg·L-1,达到167.1±3.64 mg·g-1细胞干重. QHL5胞内的四氢嘧啶合成受到Na+的渗透刺激作用,生物量却受到高浓度Na+的抑制,低浓度Mg2+(0.1—0.6 mol·L-1)和中浓度的K+(0.5—1.2 mol·L-1)对四氢嘧啶的生物合成具有重要的渗透刺激作用.与已报道的四氢嘧啶合成菌株相比,QHL5能合成单一的、高浓度的四氢嘧啶,具备潜在的商业制备和应用开发价值.
关键词:
青海湖
,
Halomonas ventosae
,
相溶物质
,
四氢嘧啶
,
影响因素
孙丰月
,
丁正江
,
刘殿浩
,
张丕建
,
于晓飞
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.01.004
福山北部地区位于胶东栖(霞)-蓬(莱)-福(山)成矿带北段.该区粉子山群大面积出露,褶皱断裂构造发育,中生代燕山晚期伟德山超单元幸福山单元和雨山超单元王家庄单元、水夼单元斑岩出露广泛,形成一套完整的斑岩多金属成矿系统.与该成矿系统有关的矿床成矿系列包括邢家山(钼钨)、王家庄(铜锌)、杜家崖(金银)和隆口(金铜)等矿床式.从现有研究成果看,该区具有较大找矿潜力,中-低温热液脉型、斑岩-矽卡岩型多金属矿应作为找矿主攻方向.
关键词:
斑岩
,
成矿系统
,
成矿系列
,
胶东
,
福山北部