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MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究

戴姣燕 , 胡昌义 , 万吉高 , 方颖 , 欧阳 , 高文桂 , 刘伟平 , 杨家明

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2006.01.005

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜.研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响.研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势.大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征.当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm.

关键词: 低维金属材料 , Ir/C簇膜 , 成分 , 结构 , 金属有机化合物化学气相沉积

MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究

胡昌义 , 戴姣燕 , 方颖 , 欧阳 , 闫革新 , 刘伟平 , 程勇

稀有金属材料与工程

以乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在石英及YSZ基体上制备Pt/C薄膜,研究了Pt/C薄膜的结构和电化学性能.沉积过程中通入一定量的氧气可以大幅降低Pt/C薄膜中的含C量,含C较高的Pt/C薄膜的XRD谱线低而宽,具有非晶态衍射特征.在500℃测量温度下,以Pt/C薄膜为电极的YSZ氧气浓差电池的电动势及电流输出高于传统的Pt电极.

关键词: MOCVD , Pt/C薄膜 , 成分 , 结构 , 性能

贵金属化学气相沉积的研究进展

胡昌义 , 戴姣燕 , 陈松 , 欧阳 , 王云

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2005.02.014

简要介绍了贵金属薄膜和涂层材料化学气相沉积(CVD)技术的研究进展,包括贵金属的CVD制备方法、沉积贵金属的各种前驱体化合物以及CVD制备的贵金属薄膜和涂层的应用状况等.

关键词: 金属材料 , 贵金属薄膜和涂层 , 化学气相沉积 , 前驱体 , 应用

化学气相沉积制备铂族金属涂层及难熔金属

魏燕 , 胡昌义 , 王云 , 欧阳 , 陈力 , 蔡宏中

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2008.02.013

综述了化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术制备高温抗氧化涂层-铂族金属(Pt、Ir)涂层及难熔金属(W、Mo、Ta、Nb、Re)的方法.并对部分有报道的沉积参数以及沉积参数对沉积层结构及性质的影响进行了介绍.

关键词: 金属材料 , 铂族金属薄膜 , 难熔金属 , 制备 , 化学气相沉积

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

德兴铜矿野外高位水池液位的无线传动态监控

朱永生 , 吴水生 , 廖庆华

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2003.06.014

野外高位生产水池和生活水池的动态监控,是保证供水,防止溢流,有效降低生产成本的重要手段.无线传动态监控系统和管理网络的建立使人们装上了监控的眼睛.

关键词: 动态监控 , 生产水 , 生活水 , 水池液位 , 水质指标 , 无线传系统

基于积分方法的二维平行剪切层声场预测

于潮 , 李晓东

工程热物理学报

本文采用二维Ffowcs Williams&Hawkings(FW-H)方程对平行剪切层声场辐射特性进行了研究.近流场时间精确数据通过计算气动声学(Computational Aeroacoustics,CAA)技术数值模拟获得,声场信息则通过FW-H方程对近流场内的可穿透积分面进行积分获得.该方法首先采用具有解析解的涡/尾缘干涉问题进行了校核,进一步采用CAA/FW-H匹配技术对二维平行剪切层声辐射问题进行了预测,计算结果表明,积分解与计算域内的CAA数值解吻合较好.

关键词: FW-H方程 , 计算气动声学 , 涡/尾缘干涉 , 剪切层

808nm高功率量子阱结激光器及其电噪声特性

胡贵军 , 石家纬 , 张素梅 , 齐丽云 , 李红岩 , 张锋刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.037

介绍了808nm高功率量子阱结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系.结果表明,808nm高功率量子阱结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性.

关键词: 半导体激光器 , 高功率 , , 噪声

光纤激光器空间相干合束场特性分析

高昆 , 许立新 , 王安廷 , 明海 , 刘洋 , 王小兵 , 程勇

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.04.006

基于Fraunhofer标量衍射理论,计算了按圆周形排列的6束光纤激光相干合束的场光强分布,并对其能量集中程度进行了讨论.分析表明合成光束的场光强分布可等效于若干平面波干涉结果与单束衍射包络之积,当单元激光器所排列的圆周直径在5倍单元激光束腰宽度以下的时候,合成光束将有超过90%的能量落在单元光束的86.5%能量圆以内.结论指出适当选择单元激光器的排列间距可以控制能量的集中程度,甚至使合成光束的能量集中度优于原单元激光器产生的高斯光束.

关键词: 激光技术 , 相干合束 , 标量衍射模型 , 能量集中度 , 光束质量

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

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