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管道阴极保护断电电位测量结果分析

罗鹏 , 金鑫 , 徐承伟 , 薛致远 , 高强 , 张永盛

腐蚀与防护

采用GPS卫星同步断电法对管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.

关键词: 阴极保护 , 通电电位 , 断电电位

卤化银光纤式CO2激光手术刀

高建平 , 卞蓓亚 , , 张久明

材料导报

卤化银多晶光纤[AgClxBr(1-x),0≤x≤1]是一种性能优良的中红外传能尤纤.光纤原料采用高真空熔炼、氯气气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法提纯,光纤用热挤压法成型.已制成的直径Φ1.0(mm)光纤L=1.64(m)输出CO2激光功率>20(W),损耗0.3~0.5dB/m.Forurier红外光谱(FTIR)测量结果显示,光纤在4~16μm波段内有良好的透过率.用光纤制成的光纤式CO2激光传榆系统(光纤式CO2激光子术刀),光纤手术刀长度L=1.3~1.8(m),输出功率>10~15(W),配有普通型和腔内专用型两种结构的输出端头.

关键词: CO2激光 , 光纤传输系统 , 卤化银光纤

卤化银多晶光纤传输CO2激光性能的研究

高建平 , 卞蓓亚 , 陈惠民 ,

无机材料学报

通过采用高真空熔炼、反应气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法对卤化银原料进行提纯,并用热挤压成型方法制得卤化银光纤.本文研究了卤化银原料的提纯和光纤成型工艺对损耗的影响,研究结果表明,增加提纯次数可降低卤化银光纤预制棒的吸收系数.通过合理控制工艺参数,提纯后的卤化银原料制成的光纤预制棒,经CO激光量热计法测量在10.6μm处的吸收系数<5×10-4cm-1,热挤压成型的光纤在10.6μm处的损耗为0.3~0.5dB/m,直径φ10mm、长度1.64m的光纤可传输CO激光功率>20W.

关键词: 红外光纤 , silver halide , loss

反应氯气气氛下卤化银光纤原料的超提纯

高建平 , 卞蓓亚 , 项海波 , 杭文根 ,

无机材料学报

采用反应氯气气氛下水平区域熔融生长单晶的方法对卤化银原料进行超提纯,反应氯气气氛是由裂解低沸点碳氯化合物得到;化合物的通式为CHCl4-(=0,1,2).提纯的温度为450~500℃,温区移动速度为0.2~0.8mm/min;载流气体Ar的流量为80~160mL/min.提纯后的卤化银原料红外吸收光谱显示,在4000~800cm-1(2.5~12.5μm)区域内的吸收随波长的增加而降低,中红外4000~600cm-1(2.5~16μm)区域是卤化银材料最佳的传输波段.用此原料制成的光纤可传输3.3~16μm中红外光谱;传输10.6μmCO激光的损耗为0.3~0.5dB/m.

关键词: 红外光纤 , silver halide , ultrapurification

卤化银多晶光纤传输 CO2激光性能的研究

高建平 , 卞蓓亚 , 陈惠民 ,

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.021

通过采用高真空熔炼、反应气氛下区域融熔和高真空石英安瓿内单晶生长等特殊工艺方法对卤化银原料进行提纯, 并用热挤压成型方法制得卤化银光纤. 本文研究了卤化银原料的提纯和光纤成型工艺对损耗的影响,研究结果表明, 增加提纯次数可降低卤化银光纤预制棒的吸收系数. 通过合理控制工艺参数,提纯后的卤化银原料制成的光纤预制棒, 经CO2激光量热计法测量在10.6μm处的吸收系数<5×10-4cm-1,热挤压成型的光纤在10.6μm处的损耗为0.3~0.5dB/m,直径1.0mm、长度1.64m的光纤可传输CO2激光功率>20W.

关键词: 红外光纤 , 卤化银 , 损耗

热处理对卤化银多晶光纤显微结构的影响Q

高建平 , 卞蓓亚 , 张议 ,

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.003

热挤压法成型的卤化银多晶光纤,经不同温度热处理后,光纤的显微结构发生了变化. 扫描电镜形貌分析结果显示,热处理温度T170C,显微结构未发生变化,晶粒尺寸12. T=200C时,晶粒尺寸1020;T=250C时,晶粒尺寸2030;T=300C时,晶粒尺寸3040. 光纤显微硬度测量结果也显示,热处理温度>170C后,光纤的显微硬度随热处理温度的升高而降低,在200C?附近硬度降至最低值.

关键词: 红外光纤 , 卤化银 , 热处理 , 显微结构

卤化银多晶光纤热挤压成型的研究

高建平 , 卞蓓亚 , 张议 ,

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.03.026

采用热挤压法成型制备出卤化银多晶光纤。光纤端面扫描电镜形貌分析结果显示,挤压温度120~210℃,晶粒大小基本不变,晶粒尺寸1~2μm。挤压温度>210℃后,随着挤压温度升高挤压压力降低,在250℃时晶粒尺寸5~10μm,挤压温度的升高导致卤化银多晶光纤的晶粒长大,引起光纤散射损耗的增高。挤压模具中加入润滑剂可同时降低挤压压力和挤压温度,但引起光纤传输损耗的增加。

关键词: 红外光纤 , 卤化银 , 热挤压成型 , 显微结构

反应氯气气氛下卤化银光纤原料的超提纯

高建平 , 卞蓓亚 , 项海波 , 杭文根 ,

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.041

采用反应氯气气氛下水平区域熔融生长单晶的方法对卤化银原料进行超提纯,反应氯气气氛是由裂解低沸点碳氯化合物得到,化合物的通式为CHnCl4-n(n=0,1,2).提纯的温度为450~500℃,温区移动速度为0.2~0.8mm/min,载流气体Ar的流量为80~160mL/min.提纯后的卤化银原料红外吸收光谱显示,在4000~800cm-1(2.5~12.5μm)区域内的吸收随波长的增加而降低,中红外4000~600cm-1(2.5~16μm)区域是卤化银材料最佳的传输波段.用此原料制成的光纤可传输3.3~16μm中红外光谱,传输10.6μmCO2激光的损耗为0.3~0.5dB/m.

关键词: 红外光纤 , 卤化银 , 超提纯

卤化银光纤原料的超提纯

高建平 , 卞蓓亚 ,

无机材料学报

高纯原料的制备是制造高品质光纤最重要的环节,本文采用氯气氛下水平区熔法生长单晶的提纯方法对卤化银原料进行超提纯.区域熔融提纯后的卤化银原料红外吸收光谱测量显示在800~4000cm-1范围内吸收随波长的增加而降低.经CO2激光量热计法测量提纯后的卤化银原料在10.6μm处的吸收系数为5×10-4Cm-1,较提纯前降低两个数量级,制成的光纤传输损耗03~0.5dB/m

关键词: 红外光纤 , silver halide , ultrapurification

卤化银光纤原料的超提纯

高建平 , 卞蓓亚 ,

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.03.007

高纯原料的制备是制造高品质光纤最重要的环节,本文采用氯气氛下水平区熔法生长单晶的提纯方法对卤化银原料进行超提纯.区域熔融提纯后的卤化银原料红外吸收光谱测量显示在8004000cm-1范围内吸收随波长的增加而降低.经CO2激光量热计法测量提纯后的卤化银原料在10.6μm处的吸收系数为5×10-4cm-1,较提纯前降低两个数量级,制成的光纤传输损耗0.30.5dB/m.

关键词: 红外光纤 , 卤化银 , 超提纯

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