刘金锋
,
刘忠良
,
武煜宇
,
徐彭寿
,
汤洪高
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00720
利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜, 通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响. 研究结果表明, 1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性. 在更高的衬底温度下生长, 会导致大的孔洞形成, 衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错, 从而使晶体质量变差. 在低衬底温度下生长, 由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
关键词:
碳化硅薄膜
,
Si substrate
,
solid source molecular beam epitaxy
,
substrate temperature
刘金锋
,
刘忠良
,
武煜宇
,
徐彭寿
,
汤洪高
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.030
利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3G-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
关键词:
碳化硅薄膜
,
硅衬底
,
固源分子束外延
,
衬底温度
徐延冰
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.002
将具有负宇称的 fp 空间扩大到包含1g9/2 轨道, 采用修正的表面相互作用(MSDI), 对64Ge, 66Ge, 68Ge, 70Se, 72Se, 74Se, 76Kr 和 78Kr等偶偶核作了形变Hartree-Fock计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对偶偶核64Ge, 74Se和奇A核79Kr进行了能谱计算, 得到其正、负宇称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.
关键词:
形变Hartree-Fock态
,
角动量投影
,
单粒子能谱
,
反常宇称态
罗鹏
,
金鑫
,
徐承伟
,
薛致远
,
高强
,
张永盛
腐蚀与防护
采用GPS卫星同步断电法对忠武管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠武管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.
关键词:
阴极保护
,
通电电位
,
断电电位
密文天
,
张雪松
,
辛杰
,
穆军青
黄金
doi:10.11792/hj20161004
孔沙湾金矿床位于老挝中辽地区的西部巴莱县,矿床金平均品位达3.65×10-6。在下二叠统的剪切构造带中发现厚度大于300 m的透镜状、细脉状金矿(化)体,判断该地层为矿区主要含矿层位。金矿体的产出受NNE向为主的宽缓复式褶皱、断裂和纵向、NNW向的断裂、次级褶皱以及横向次级断裂控制,同时矿区大量节理裂隙、面理构造以及众多小型次级断裂构造发育。矿区单元素异常总体呈NE向,与矿区大断裂构造方向一致;硅质岩及角岩中的Au元素异常平均值较高,达0.021×10-6及0.022×10-6;二叠系玄武岩和硅质岩中Au元素异常值最高,达0.69×10-6,具备良好的成矿远景。推断孔沙湾金矿床类型属于为受构造和次级构造破碎带控制的热液蚀变岩型金矿床。
关键词:
孔沙湾金矿床
,
元素异常
,
成矿远景
,
金矿床类型
白尔隽
,
王智魁
,
李险峰
,
马英君
,
赵广义
,
陆景彬
,
尹利长
,
孙慧斌
,
霍俊德
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.04.005
用熔合蒸发反应58Ni(23Na,3p)(Ein=70 MeV)和58Ni(28Si,a4p)(Ein=130 MeV)研究了78Kr的高自旋态,用美国劳伦斯伯克利国家实验室的γ球测量了实验中产生的瞬时符合事件,对新发现的一个负宇称带用多普勒位移衰减法对1 004 keV(10-→8-)和873 keV(8-→6-)作了多普勒展宽谱线形状测量.得到了负宇称带10-态能级的寿命τ=(2.2±0.3)ps,8-态能级的寿命τ=(1.6±0.2)ps.故可知此负宇称带呈现长椭形变,与正宇称带的扁椭形变形状共存.
关键词:
高自旋态
,
多普勒位移衰减法
,
寿命
,
形状共存