武照强
,
冯开才
高分子材料科学与工程
合成了以聚12-羟基硬脂酸为溶剂化链,四乙烯五胺为锚固基团的"梳形"超分散剂t-PTHSA,并将其用于聚乙烯/高岭土复合材料.超分散剂对聚乙烯/高岭土复合材料的力学性能具有明显的增强效果和分散作用.复合材料脆断面的金相显微镜直接观察和基于热重分析的数理统计法研究结果表明,数均分子量为2900的t-PTHSA超分散剂对超微细的无机填料高岭土有良好的分散效果.
关键词:
12-羟基硬脂酸
,
超分散剂
,
聚乙烯
,
高岭土
武照强
,
孟令芝
功能材料
设计合成了一种新的乙烯基荧光功能单体邻(2-甲基)丙烯酰氧基-苯甲醛缩氨基硫脲(ScMA),经1H NMR(核磁共振氢谱)证实了它的结构和组成.并用此单体与N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)通过自由基聚合制备了荧光共聚物PVP-ScMAⅠ、PVP-ScMAⅡ和PVP-ScMAⅢ.实验结果表明,在碱性条件下,聚合物的荧光强度对pH的变化非常敏感;而在中性及酸性条件下,对pH的变化几乎没有响应
关键词:
聚乙烯吡咯烷酮
,
荧光聚合物
,
pH敏感
,
荧光
童伟芳
,
杨坚
,
武照强
,
陈红
材料导报
以4-溴-1,8-萘二甲酸酐为原料,经亚胺化、酯化等反应,设计合成了一种新的乙烯基荧光功能单体N-甲基丙烯酰氧乙基-4-溴-1,8-萘酰亚胺(NPMA),并用此单体与N-异丙基丙烯酰胺(NIPAAm)通过自由基聚合制备了荧光共聚物PⅠ、PⅡ和PⅢ.采用1H NMR(核磁共振氢谱)、UV-vis(紫外-可见)光谱和荧光光谱对共聚物的结构及性能进行了表征,结果表明聚合物对金属pd2+具有高灵敏度的选择性识别作用.
关键词:
萘酰亚胺
,
N-异丙基丙烯酰胺
,
荧光聚合物
,
pd2+
罗鹏
,
金鑫
,
徐承伟
,
薛致远
,
高强
,
张永盛
腐蚀与防护
采用GPS卫星同步断电法对忠武管道进行了断电电位测量,对结果进行了分析,评价了忠武管道阴极保护系统的有效性,并提出了改进建议.结果表明,三层PE管道相比于环氧粉末涂层管道更容易出现过保护现象,而且还容易受到干扰;电位是反应管道所处状态的主要指标,阴极保护系统的通电电位呈规律分布,但断电电位影响因素复杂,无明显规律.
关键词:
阴极保护
,
通电电位
,
断电电位
李铸国
,
华学明
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜, 研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明, 高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃, 当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时, 沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长, 薄膜微观结构致密, 硬度达到25GPa, 残余压应力小。
关键词:
TiN薄膜
,
null
,
null
李铸国
,
华学明
,
吴毅雄
,
三宅正司
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016
用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.
关键词:
TiN薄膜
,
物理气相沉积(PVD)
,
择优取向
,
离子照射
陈旭荣
,
王荣
,
何军
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.01.001
在强子物理研究中,3π产生的理论和实验有非常重要的意义,是目前世界上很多大型实验设备的重要研究对象.3πt强子物理包含丰富的物理内容,可以作为探索低能区强相互作用的有力工具.同时,3πt产生过程是寻找奇特轻介子态的主要途径之一.另外,通过研究3π产生反应道还可以寻找“失踪”共振态和重子激发态之间的级联衰变.介绍了目前国际各大高能物理实验室的3πt产生过程的实验、理论研究以及分波分析技术现状,重点介绍了美国杰弗逊国家实验室(Jefferson Lab,简称JLab)的CLAS(CEBAF Large Acceptance Spectrometer)实验上的3πt反应过程.最后,指出了3π强子物理研究的意义和未来的研究方向.
关键词:
3π
,
奇特态
,
重子谱
,
三级级联衰变
,
分波分析
郭洪生
,
郭骐语
,
杨高照
,
朱学彬
,
胡青元
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.318
在国内首次采用高强度窄脉冲DPF中子源,采用直照法测量零功率堆瞬发中子时间常数α.由于外中子源本底太强,导致直照中子和散射中子产生的干扰信号比测量信号高三个量级.为有效地抑制外本底,针对不同能量的干扰中子,采用不同材料进行屏蔽.通过数值模拟的方法优化辐射屏蔽体设计,在屏蔽中子的同时也对散射γ进行了有效屏蔽,使测量信噪比达到了7.5:1,并与实验结果相符合,实验中所采用的新型无机晶体也有效抑制了中子本底.
关键词:
瞬发中子时间常数
,
非期望中子本底
,
数值模拟
,
信噪比
,
零功率堆
