吕正勇
,
施鹰
,
殷录桥
,
夏长泰
,
赛青林
,
狄聚青
人工晶体学报
采用光学浮区法生长了质量较好(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶,直径约为7 mm,长度约为25 mm.通过XRD分析,结果表明共晶中只有Al2O3和YAG两种晶相;通过SEM观察表明,两种晶相在三维空间交错生长,形成自生互穿网络结构,共晶间距为10 μm左右.在室温下,进行了发射光谱和荧光寿命的测试,发现随着Gd3+浓度的增加,发射光谱发生了红移,最大发射波长从555 nm移至570 nm,荧光寿命为65 ns附近,并测试了共晶荧光体与大功率蓝光芯片匹配所得的光色性能.
关键词:
(Y0.99-xCe0.01Gdx)3Al5O12-Al2O3共晶
,
浮区法
,
发射光谱
赵宁
,
邓建峰
,
钟毅
,
殷录桥
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2016.00569
研究了240 ℃,温度梯度为1045 ℃/cm的热迁移条件下Cu含量对Ni/Sn-xCu/Ni (x=0.3、0.7、1.5,质量分数,%)微焊点钎焊界面反应的影响。结果表明,在热迁移过程中微焊点发生了界面金属间化合物(IMC)的非对称生长和转变以及Ni基体的非对称溶解。在Ni/Sn-0.3Cu/Ni微焊点中,虽然界面IMC类型始终为初始的(Ni, Cu)3Sn4,但出现冷端界面IMC厚度明显大于热端的非对称生长现象。在Ni/Sn-0.7Cu/Ni和Ni/Sn-1.5Cu/Ni微焊点中,界面IMC类型逐渐由初始的(Cu, Ni)6Sn5转变为(Ni, Cu)3Sn4,且出现冷端滞后于热端的非对称转变现象;Ni/Sn-1.5Cu/Ni微焊点冷、热端发生IMC转变的时间均滞后于Ni/Sn-0.7Cu/Ni微焊点。通过分析微焊点冷、热端界面IMC生长所需Cu和Ni原子通量,确定Cu和Ni的热迁移方向均由热端指向冷端。微焊点中的Cu含量显著影响主热迁移元素的种类,进而影响冷、热端界面IMC的生长和转变规律。此外,热迁移促进了热端Ni原子向钎料中的扩散,加速了热端Ni基体的溶解,溶解到钎料中的Ni原子大部分迁移到冷端并参与界面反应。相反,热迁移显著抑制了冷端Ni原子的扩散,因此冷端Ni基体几乎不溶解。
关键词:
Sn-xCu钎料
,
热迁移
,
微焊点
,
界面反应
,
金属间化合物
林洋
,
殷录桥
,
张建华
上海金属
纳米粒子由于尺寸效应,可导致其熔点降低.对于无铅焊料而言,熔点的降低将减少因高熔点无铅焊料的使用而带来的封装过程的缺陷.通过电弧法制备了Sn3.5 Ag合金的纳米粒子.X射线衍射(XRD)及能谱(EDS)测试结果证明,母合金及所制备的纳米粉末中,都形成了金属间化合物Ag3Sn相,说明该制备过程的合金化完全.SEM二次电子像和TEM明场像结果说明所制备的纳米粒子呈球状,且尺寸均在50 nm以下,部分甚至小于10 nm.差示扫描量热仪(DSC)的测试结果证实所获SnAg纳米粒子的平衡熔点约为198.6℃,较之块状样品的平衡熔点(221℃)降低约22℃.说明采用纳米技术可以获得低熔点的Sn基纳米无铅焊料,是很有潜力的获取低熔点无铅焊料的技术途径.
关键词:
Sn3.5Ag
,
无铅焊料
,
纳米粒子
,
熔点降低
袁渐超
,
任司南
,
熊皓
,
刘保良
玻璃钢/复合材料
为研究复合材料在桥梁工程中的应用,以天津某复合材料人行桥为研究对象,采用ANSYS 11.0建立该桥空间有限元模型,对其进行结构验算与分析.分析结果表明,通过合理的结构设计和材料设计,复合材料桥梁可以满足现行的规范要求.最后探讨了复合材料桥梁设计面临的技术困难——结构设计准则和结点连接技术,并根据当前国内外复合材料的发展和环境恶化的加剧,对复合材料桥梁的应用前景做了展望.
关键词:
人行桥
,
复合材料
,
结构分析
,
设计准则
,
环保
聂玉华
电镀与涂饰
介绍了电缆桥架电弧喷涂的工艺流程,包括:桥架焊缝处理-表面喷砂处理-电弧喷锌-涂层封闭-检查-成品.讨论了各工序的特点和要求.
关键词:
电缆桥架
,
电弧喷涂
,
喷砂
,
封孔
腐蚀学报(英文)
在会上交流已公开发表文章题录区域碳钢土壤腐蚀数据模式识别研究李洪锡,张淑泉,银耀德,高英发表于:腐蚀科学与防护技术,1993,5(l):70混凝土土壤腐蚀快速试验研究马孝轩,陈从庆,仇新刚发表于:腐蚀科学与防护jkk,1995,7():84模糊聚类分析在土壤腐蚀性评价中的应用来光铃,曹楚南,林海潮发表于:中国腐蚀与防护学报,1993,13(4):303我国典型地区大气腐蚀性的综合评价汪轩义,屈祖玉,李长荣发表于:腐蚀科学与防护技术,1995,7(4)钢铁材?...
关键词:
陈静洪
,
陈松
,
谢明
,
王塞北
,
胡洁琼
,
王松
,
张吉明
,
陈永泰
贵金属
采用自主设计的电接触-高速摄像试验系统,在直流单分断模式下对纯银触头在电接触过程中所发生的熔桥行为进行观测,从而在不同的电流条件下对电接触过程中熔桥的形貌尺寸进行研究,同时通过SEM对电接触熔桥行为作用后纯银触头的表面进行形貌分析。结果表明,在DC 10 V (8~20 A)条件下,纯银触头在电接触过程中形成的熔桥有圆柱型和哑铃型2种形貌,并且其尺寸为微米级;熔桥的直径和长度都随电流的增大而呈现出先减小后增大的趋势,10~15 A范围内纯银触头在电接触过程中不易形成熔桥,电接触过程中电弧可能先于熔桥而产生,并且熔桥和电弧现象可以同时存在。
关键词:
纯银触头
,
电接触
,
熔桥
,
高速摄像