殷景华
,
蔡伟
,
王培林
,
郑玉峰
,
王中
,
李美成
,
赵连城
功能材料
采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→S...
关键词:
退火温度
,
PrSi/Si异质结
,
硅化物
,
薄膜
,
表面形貌
李美成
,
殷景华
,
蔡伟
,
赵连城
,
陈学康
,
杨建平
,
王菁
功能材料
PtSi红外探测器是一种重要的光电器件,在军事和民用方面均起着非常重要的作用.高质量硅基PtSi薄膜的制备是高性能器件研制的基础.本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi薄膜的方法.并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势.
关键词:
红外探测器
,
纳米薄膜
,
脉冲激光沉积
,
激光分子束外延
陈广文
,
殷景华
,
薛占林
,
桂太龙
材料研究学报
用溶胶—凝胶方法,采用电泳工艺在Al基片上制成Al2O3薄膜.膜物质主要是非晶态,但含有少量微晶.随着热处理温度的升高,进晶含量增加,这种湿敏膜在中,高湿区有良好的感湿性能.
关键词:
溶胶—凝胶法
,
electrophore technique
,
Al_2O_3 film
,
null
李广
,
殷景华
,
刘晓旭
,
冯宇
,
田付强
,
雷清泉
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2011.06.006
采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/氮化铝(PI/AlN)纳米复合薄膜,用小角散射(SAXS)、扫描电镜(SEM)对薄膜进行表征,研究了不同纳米掺杂量对材料电阻率、介电常数(ε)和介质损耗因数(tanδ)的影响.结果表明,随着纳米AlN含量的增加,分形结构由质量分形转变为表面分形,当AlN含量为1％时,复...
关键词:
聚酰亚胺
,
氮化铝
,
小角散射
,
介电常数
,
体积电阻率
殷景华
,
蔡伟
,
王明光
,
郑玉峰
,
赵连城
功能材料
在p-Si衬底上,分别淀积5 nm Au膜和5nmPt膜,形成Pt/Au/p-Si结构,500℃退火后形成硅化物薄膜.采用X射线光电子谱和X射线衍射谱研究薄膜成分和相分布,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察薄膜表面形貌和界面结构.测试结果表明,薄膜中含有PtSi相和Au相,表面较平坦,PtSi相...
关键词:
Pt/Au/p-Si
,
薄膜
,
硅化物分布
,
表面和界面结构
殷景华
,
范勇
,
王暄
,
林家齐
,
雷清泉
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.02.026
无机纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜具有优良的耐电晕特性,通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用,利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌,能谱仪测试孔区附近元素分布.研究表明:杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10～50 μm范围内,随半径增加,其表面由颗粒大小不...
关键词:
纳米颗粒,聚酰亚胺
,
薄膜
,
击穿孔
,
微结构
殷景华
,
杨红军
,
梅金硕
,
雷清泉
高分子材料科学与工程
利用Materials Studio 3.0分别模拟了聚酰亚胺(PI)/α-Al2O3和聚酰亚胺(PI)/SiO2材料体系的表面结合能,结果表明,在(012)晶面,6.0 nm×4.0 nm范围内,随着纳米颗粒超晶格尺寸增大,PI/α-Al2O3结合能增加,PI/SiO2体系结合能变小;悬挂在α-A...
关键词:
分子模拟
,
结合能
,
聚酰亚胺
,
α-氧化铝
,
氧化硅
殷景华
,
蔡伟
,
李美成
,
赵连城
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-PtSi变为Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi.
关键词:
PtSi
,
薄膜
,
表面形貌
,
组织结构
殷景华
,
郑馥
,
李雪
,
赵连城
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.06.016
利用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了PtSi的价电子结构,并利用X射线光电子谱(XPS)分析了PtSi薄膜中阶电子的能谱.结果表明,Pt和Si化合形成PtSi以后,Si和Pt的杂阶均向较低杂阶方向移动,化合物中含有较高密度的晶格电子,使PtSi具有良好的导电性.X射线光电子谱测试结果表明,...
关键词:
PtSi
,
价电子结构
,
导电性
