文定良
,
汪凡
,
赵吉庆
,
杨钢
,
颜润浦
腐蚀与防护
doi:10.11973/fsyfh-201606009
通过浸泡试验、电化学试验研究了HastelloyB3合金在不同条件盐酸中的腐蚀行为.结果表明:合金在不同HCl含量与温度的纯盐酸中均具有良好的耐蚀性,随着温度与HCl含量的提高,合金腐蚀速率虽有所增长,但仍然处于钝化态;盐酸中添加氧化性离子Fe3+后,腐蚀速率急剧增大并伴随着点蚀,随着Fe3+含量的提高,腐蚀速率快速增大;在纯盐酸中,HastelloyB3表面生成M04+钝化膜,对基体起到保护作用,但添加氧化性Fe3后,钝化膜中的Mo4+极易被氧化成Mo6+,发生溶解,使合金由钝态向过钝化态转变,导致耐蚀性急剧下降;HastelloyB3合金适用于不同HCl含量与温度的纯盐酸中,但不适用于含氧化性离子或溶解氧高的盐酸中.
关键词:
HastelloyB3合金
,
盐酸
,
腐蚀
,
钝化膜
许媛媛
,
叶耕心
,
赵莎莎
,
郭智勇
,
储成顶
,
姚余有
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.05.034
建立了羊水中利凡诺药物浓度的测定方法.采用正丁醇一步提取样品后进行高效液相色谱测定.方法的检测限为 0.7 ng/mL,回收率为89.6%~100.2% ,日内精密度(以相对标准偏差(RSD)计)为1.4%~6.3% ,日间精密度(RSD)为2.2%~6.5%.该方法完全符合中国药典 2005 版规定,可作为临床检测方法.
关键词:
高效液相色谱法(HPLC)
,
利凡诺(rivanol)
,
羊水(amniotic fluid)
姚翠霞
,
张术根
,
王超
中国有色金属学报
粤北曲仁碳酸盐岩盆地北缘聚集的铅锌硫化物矿床地质矿化特征相比于其他MVT矿床,具有成矿特殊性。为了确定该类矿床成矿流体和物质的来源以及成矿作用过程,对研究区矿床地层、断裂构造地球化学特征、稀土元素、硫铅同位素和流体包裹体特征进行系统研究。结果表明:地层、构造以及稀土元素研究结果显示该类铅锌硫化物矿床经历了黄铁矿矿化与铅锌矿化两个成矿作用过程,前者与赋矿层灰岩的物源联系更紧密,后者的成矿金属物质并非直接来自赋矿层灰岩,而是由通过北东、北西向断裂向上运移的盆地深部流体提供,且局部受到中基性岩浆侵入活动轻微改造;矿石及相关地质体同位素地球化学特征显示铅主要来自盆地基底碎屑岩层,部分来自盆地深部壳源重熔型花岗质岩浆,少部分来自盆地碳酸盐岩层,而硫主要为地层硫,小部分为壳源岩浆硫;闪锌矿流体包裹体气液相成分、盐度和温度结果显示铅锌热液成矿期古地热高异常,盆地基底碎屑岩含水系统及燕山期岩浆热液参与铅锌成矿。综合矿床地球化学特征可知,粤北曲仁盆地北缘凡口式MVT铅锌矿床属于两期热液叠加-改造热液型铅锌矿床。
关键词:
凡口式MVT铅锌矿床
,
地球化学特征
,
成矿流体
,
成矿物质来源
,
成矿作用过程
董俊
,
史冰川
,
何永国
,
栾石林
人工晶体学报
本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证.采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式描述的规律,可作为理论特性曲线使用.
关键词:
硅多晶
,
磷检
,
电阻率
,
净载流子
腐蚀学报(英文)
在会上交流已公开发表文章题录区域碳钢土壤腐蚀数据模式识别研究李洪锡,张淑泉,银耀德,高英发表于:腐蚀科学与防护技术,1993,5(l):70混凝土土壤腐蚀快速试验研究马孝轩,陈从庆,仇新刚发表于:腐蚀科学与防护jkk,1995,7():84模糊聚类分析在土壤腐蚀性评价中的应用来光铃,曹楚南,林海潮发表于:中国腐蚀与防护学报,1993,13(4):303我国典型地区大气腐蚀性的综合评价汪轩义,屈祖玉,李长荣发表于:腐蚀科学与防护技术,1995,7(4)钢铁材?...
关键词:
王满
,
薛林福
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.11.004
在深入研究分析黑龙汪省西北部金矿成矿地质背景的基础上,以地理信息系统为平台(GIS),建立了地质、物探、化探和遥感数据库,用字符串表示研究区地质点的各种地质信息组合,利用自组织特征映射(SOM)神经网络对其进行模式分类,圈定了金矿成矿有利区,这一研究对该地区今后的矿产资源预测与评价有重要的参考价值.
关键词:
SOM网络
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GIS
,
成矿预测
,
金矿
,
黑龙江省西北部
王佩璇
,
王宇
,
史宝贵
金属学报
在316L不锈钢片表面上用离子束辅助沉积(IBAD)和溅射沉积加上离子注入方法制备Si-C薄膜, 测量氚通过钢片的渗透率, 并用XPS, AES, XRD及TEM等分析薄膜的成分和结构, 结果表明, 改性膜使不锈钢的氚渗透降低近5个数量级, 随着制备条件的汪同, 膜中的C/Si原子比不同, 用双靶(Si, C)加C离子轰击的IBAD方法可得到的较高的C/Si比.
关键词:
碳化硅
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