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锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

章国强 , 黄靖云 , 亓震 , 卢焕明 , 赵炳辉 , , 叶志镇

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005

SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.

关键词: 锗硅碳合金 , 应变弛豫 , 超高真空CVD

制备高纯度酸金的工艺研究

王大维 , 李岩松

贵金属

在旋转蒸发体系中,研究酸金的制备方法,并探索了不同条件下酸金产品的金含量。实验结果表明在105℃下蒸发45 min 为相对最优制备条件;用90℃蒸馏水洗涤90 min 为酸金最佳后续处理条件。

关键词: 无机化学 , 酸金 , 金含量 , 洗涤水 , 洗涤处理

利用废弃陶瓷材料制备莫来石轻质材料

徐娜娜 , 李淑静 , 李远兵 , 张金龙 ,

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2014.05.011

为了回收利用废弃陶瓷材料,节约资源,以废弃陶瓷材料为主要原料,加入不同量的黏土(质量分数分别为15%、25%、35%),外加锯末和结合剂,经混料、成型、烘干后,1200、1250、1300、1350、1400℃保温3 h热处理,然后检测试样的物理性能,并进行了物相和显微结构分析。结果表明,当废弃陶瓷材料与黏土的质量比为8515,烧成温度为1400℃时,试样的综合性能最优;由于热处理过程中发生了莫来石化,试样中的主要物相为莫来石;1400℃热处理后试样的孔隙直径比1200℃的大,基质结构也更加致密,由K2 O、SiO2、Al2 O3组成的液相也较多,因而使材料的强度增大。

关键词: 废弃陶瓷材料 , 黏土 , 莫来石 , 液相 , 强度

直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱研究

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.031

ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用.本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,晶粒大小约为100nm,晶粒内为结晶性能完整的单晶,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力.ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射.

关键词: ZnO薄膜 , 张应力 , 磁控溅射 , 光致发光

快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果

郭春林 , , 戴准 , 房剑锋 , 郑佳毅 , 杨德仁

材料科学与工程学报

二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段.本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用.在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值.采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围.通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果.单层SiNx薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs.

关键词: RTO , SiO2薄膜 , 太阳电池 , 钝化

UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

王亚东 , 黄靖云 , 叶志镇 , , 马德群 , 赵炳辉

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009

本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017~1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.

关键词: 超高真空化学气相沉积 , 实时B掺杂 , 硅外延

以科研促进《薄膜材料技术与物理》专业课程的教学改革

叶志镇 , 张银珠 , 黄靖云 ,

材料科学与工程学报

探索了科学研究对<薄膜材料技术与物理>新技术专业课程教学的深化与拓展,强调理论与科学实验相结合,提倡学生进行研究式学习,以期加强对学生综合能力、创新能力的培养,取得更好的教学效果.

关键词: 科研 , 薄膜材料技术与物理 , 教学改革

一步电沉积法制备铜铟硫薄膜的研究

刘红娟 , , 杨德仁 , 杨华 , 王子奇

人工晶体学报

本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2(CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可见分光光度计对制备的薄膜进行了表征,并研究了Cu/In比对薄膜结晶性和光学性能的影响.研究表明:通过优化电解液成分、pH值和电沉积条件,可得到均匀致密、与衬底结合力强的CIS薄膜;Cu/In比的增大有助于提高退火后薄膜的结晶性能,增大晶粒尺寸;所制备的薄膜均为单一黄铜矿相,具有较好的光吸收性能,其禁带宽度约为1.47 eV.

关键词: CIS薄膜 , 一步电沉积 , Cu/In比 , 退火

黏土加入量对废高压电瓷制备莫来石轻质砖性能的影响

, 李淑静 , 董舜杰 , 李艳 , 李远兵 , 徐娜娜

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2015.02.014

为了合理利用以SiO2和Al2 O3为主要成分的高压电瓷废品,利用回收的废高压电瓷配合不同比例的黏土(其质量分数分别为10%、15%、20%、25%、30%),同时加入锯末为造孔剂,在1 400℃烧成后制备了轻质莫来石砖,并研究了黏土加入量对轻质莫来石砖物理性能、物相组成及显微结构的影响.结果表明:随着黏土加入量的增加,试样的体积密度及耐压强度增大,显气孔率下降;加入30%(w)黏土合成的轻质莫来石砖综合性能最佳,其体积密度为1.17 g·cm-3,显气孔率为58.3%,耐压强度为4 MPa.

关键词: 高压电瓷 , 黏土 , 轻质莫来石砖 , 强度

不同介孔结构的SiO2对PMMA性能的影响

焦剑 , , 吕盼盼 , 崔永红 , 赵莉珍

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2014.06.013

分别采用二维六方孔结构SiO2(SBA-15)和蠕虫状孔结构SiO2 (MSU-J)与MMA原位聚合制备介孔SiO2/PMMA杂化材料.采用XRD、N2吸附-脱附、SEM、DSC和TGA等方法研究了材料的微观结构、力学性能、热性能和介电性能.结果表明:介孔SiO2对PMMA有增强增韧作用,同时也有利于杂化材料热性能和介电性能的提高.杂化材料的热稳定性和耐热性均高于PMMA,含4wt%的SBA-15/PMMA和7wt%的MSU-J/PMMA杂化材料的介电常数由2.91分别降至最低2.73和2.64.

关键词: 介孔二氧化硅 , 聚甲基丙烯酸甲酯 , 杂化材料结构 , 性能

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