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采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构,通过180°、90°弯曲实验和450 ℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高.

关键词: 化学气相沉积(CVD) , SiOx膜层 , 结合强度

CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用

刘立 , 沈复初 , 袁骏 , 叶必光 , 田丽 , 郦剑

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.032

本文综述了近十几年来CVD技术在不同基底材料上制取含硅化合物膜层的研究应用,并提出了目前存在的问题.

关键词: CVD , 含硅化合物膜

沅陵沈家垭金矿床围岩蚀变特征及地质意义

谢新泉

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2005.04.005

沈家垭金矿床位于雪峰弧形隆起带转折部位,含金蚀变带赋存于板溪群马底驿组中上部粉砂质板岩中,受层间破碎带控制,官庄-黄土铺逆掩断层、陈家-香草湾逆掩断层呈NE45°～80°走向贯穿矿区中北部,控制了金矿(化)体的产出,已发现了3条矿脉,延伸长,厚度大,品位高,矿石矿物主要是自然金.次有少量辉锑矿、毒砂、黄铁矿等.脉石矿物主要是石英、绢云母、绿泥石等.围岩蚀变发育,类型多样,其中绢云母化、黄铁矿化、硅化是重要的找矿标志.

关键词: 金矿 , 围岩蚀变 , 金矿化 , 含矿岩系

离心倾液法与初晶Si的生长

王渠东 , 于文江 , 金俊泽

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.020

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法--离心倾液法.用该方法获得了过共晶Al-Si合金初晶的Si的生长形貌,发现了初晶Si存在位错台阶生长机制,并且,借助该生长机制成功地解释了初晶Si的分枝和初晶Si包裹共晶组织的形成机理.此外,观察到了共晶体包裹初晶Si生长的过程.

关键词: 离心倾液法 , 固-液界面 , 初晶Si , 台阶生长

汽轮机初凝区腐蚀机理分析

朱志平 , 黄可龙 , 周艺 , 周琼花

腐蚀学报（英文）

从汽轮机初凝区的存在物质着手，通过电中性与物料平衡公式推导了在NH3、CO2、HCl、CH3COOH共存时其pH值的精确计算方程式，计算了4种物质的浓度在0.1 mg/L～0.5 mg/L之间变化时初凝水滴的pH值，由10幅图形表示计算结果，并分析了初凝区的腐蚀过程机理，及应该采取的措施.

关键词: 初凝水滴分配系数酸腐蚀

汽轮机初凝区腐蚀机理分析

朱志平 , 黄可龙 , 周艺 , 周琼花

腐蚀学报（英文） doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2006.01.006

从汽轮机初凝区的存在物质着手,通过电中性与物料平衡公式推导了在NH3、CO2、HCl、CH3COOH共存时其pH值的精确计算方程式,计算了4种物质的浓度在0.1 mg/L～0.5 mg/L之间变化时初凝水滴的pH值,由10幅图形表示计算结果,并分析了初凝区的腐蚀过程机理,及应该采取的措施.

关键词: 初凝区 , 初凝水滴 , 分配系数 , pH值 , 酸腐蚀

铝电解质初晶温度测定装置及初晶点数模的研究

任凤莲 , 李海斌 , 蔡震峰 , 游玉萍

冶金分析 doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2005.03.003

电解质初晶温度是铝电解生产过程中的一个重要参数,本文研究了直接测定铝电解质初晶温度的装置.整套装置由进样系统、高温炉、炉温控制系统、计算机测控系统组成.采用新装置可以在线实时读取数据并自动绘制温度曲线,获取结果方便准确,减少了人为误差.同时采用均匀设计法进行试验设计,考察了Na3AlF6-Al2O3-MgF2-CaF2-LiF五元体系的初晶温度,并由此建立了该体系初晶温度的数学模型.由此模型得出的预报值与实测值之间的绝对误差在±5 ℃以内.

关键词: 初晶温度 , 测量 , 铝电解质 , 装置 , 数学模型