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报道了激光二极管列阵(LDA)端面泵浦的全固态腔内倍频525 nm绿光激光器.Yb:YAG晶体掺杂浓度10-at.%,几何尺寸为φ4 mm × 1 mm,利用半导体致冷器(TEC)对其进行温度控制.倍频晶体选用按Ⅰ类临界相位匹配角度切割的LBO,位相匹配角度为(θ,φ)=(90°,12.2°).采用线性平凹腔结构,在LDA泵浦功率为11.3 W时,获得了最高功率为244 mW的525 nm连续激光输出,光-光转换效率为1.98%

关键词: 激光技术 , Yb:YAG晶体 , 525 , nm绿光激光器 , 腔内倍频全固态激光器

SMC晶须增强高密度聚乙烯复合材料的拉伸性能

潘宝风 , 刘军 , 宋斌 , 程立 , 浦列

高分子材料科学与工程

采用一种新型SMC晶须纤维增强HDPE制备出SH复合材料,并运用扫描电镜(SEM)、动态机械力学分析(DMA)等方法对复合材料的拉伸性能进行了研究,并在此基础上进一步研究了材料在高温下的长期拉伸蠕变性能.结果表明:与纯HDPE相比,随着晶须含量的增加,SH复合材料的拉伸强度、模量有大幅的提高,这些改善归因于晶须纤维与基体材料之间良好的兼容性及两者之间的界面强度增强;晶须对HDPE增强的同时还提高了SH复合材料的长期耐蠕变性能,随着晶须含量的增加,复合材料表现出更多的线性力学性能.

关键词: SMC晶须 , 聚乙烯 , 拉伸性能

泵浦脉冲宽度对受激布里渊散射保真度的影响

张祎 , 吕志伟 , 何伟明 , 王雨雷 , 哈斯

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.03.018

为了研究泵浦脉冲宽度对受激布里渊散射(SBS)相位共轭保真度的影响,分别采用CCl4、N-hexane、CS2三种不同的SBS介质,在泵浦脉宽分别为12 ns、7 ns和2 ns的情况下,采用列阵相机法对保真度进行实验研究.结果表明:泵浦脉宽对SBS相位共轭保真度有很大影响.当泵浦脉宽远大于介质声子寿命时,保真度保持较高数值,且比较稳定;当泵浦脉宽逐渐接近并近似等于声子寿命时,保真度的值开始逐渐降低,降低的幅度也逐渐增大,稳定性也开始变差;当泵浦脉宽减小到小于声子寿命时,保真度大幅度降低,波动性增大,相位共轭情况很差.

关键词: 非线性光学 , 相位共轭保真度 , 列阵相机 , 声子寿命 , 受激布里渊散射

LD泵浦Nd:YAG 1.38 W高效率蓝光激光器

李斌 , 姚矣 , 李永大 , 曹思维 , 陈金强 , 林楠

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.02.006

报道了利用光纤耦合LD列阵泵浦Nd:YAG晶体,Ⅰ类临界相位匹配LBO内倍频来获得高效的473 nm蓝光激光.采用三镜折叠腔结构,通过对系统的优化设计,在注入泵浦功率为12.5 W时,获得了连续输出1.38 W的基模473 am蓝光激光,光-光转换率达11%.

关键词: 激光技术 , LD泵浦 , Nd , YAG/LBO , 三镜折叠腔 , 蓝光激光

浦项POCOS彩涂板生产实践

王剑

金属世界 doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2006.01.009

本文主要介绍浦项制铁POCOS彩涂卷板生产中为提高生产产量、降低能耗、提高产品市场竞争力所采取的行之有效的措施和生产实践经验.对于我国彩涂卷板生产具有很好的借鉴和指导作用.

关键词: 彩涂板 , 提高产量 , 降低能耗 , 产品开发

双包层掺杂光纤端面泵浦技术的研究

宋志强 , 尚亮 , 毛庆和

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.02.009

设计了一种基于准直聚焦透镜组的双包层掺杂光纤端面泵浦耦合系统,通过分析多模光纤耦合输出的泵浦光束参量经准直聚焦透镜光学系统后的变换特性,给出了能够满足泵浦光束与双包层掺杂光纤内包层模场分布匹配条件的透镜组参数及其位置参数设计要求,并利用结构参数与双包层掺杂光纤完全相同的未掺杂双包层光纤进行了耦合功率的实验测试,当泵浦源输出功率为50 W时,获得了34.1 W的入纤泵浦功率,泵浦耦合效率达到近70%,为搭建双包层光纤激光器奠定了基础.

关键词: 纤维与波导光学 , 端面泵浦 , 耦合效率 , 模式匹配 , 高斯光束

PDP 列驱动芯片能量恢复效率模型

华国环 , 刘清惓

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142906.0989

为了分析 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率，提出了2种分析模型.DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件.CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的 DPLD 管；VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的 DPLD 管；测试结果显示 CRC 和 VCCS 模型都具备较高的精度，模型误差分别是2.26％和4.04％.CRC 模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个，分别是：充电时间、沟道电阻、负载电容.2种模型分析的对比结果表明，沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大，使用较小沟道电阻的 DPLD 管可以显著提高 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率.CRC 和 VCCS 模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率.

关键词: 分析模型 , PDP列驱动芯片 , DPLD管 , 寻址功耗 , 能量恢复效率