张大全
,
刘卫国
,
海涛
,
高立新
腐蚀与防护
doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2005.07.001
采用电化学方法研究了316L不锈钢材料在经三级处理以后的回用污水培养的微生物介质中的腐蚀行为.结果表明,不锈钢电极在回用污水接种的培养基介质中的自腐蚀电位较纯培养基介质中明显负移,阳极极化电流大于纯培养基介质中不锈钢电极的阳极极化电流,含菌培养基中不锈钢的电化学阻抗值小于相应的无菌培养基中的电化学阻抗值,这表明回用污水中的微生物对不锈钢材料的腐蚀起到促进作用.
关键词:
不锈钢
,
回用污水
,
微生物腐蚀
,
极化曲线
,
电化学阻抗谱
刘旭焱
,
崔明月
,
海涛
,
王爱华
,
蒋华龙
人工晶体学报
采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品.实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料.
关键词:
全局应变硅
,
纳米图形
,
应变弛豫
,
拉曼光谱
