王东生
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于涛
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游彪
,
夏奕东
,
胡安
,
刘治国
无机材料学报
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
关键词:
栅极电介质材料
,
high-k
,
LaAlO3 thin films
王东生
,
于涛
,
游彪
,
夏奕东
,
胡安
,
刘治国
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.038
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min 650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压士1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能.C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
关键词:
栅极电介质材料
,
高介电常数
,
LaAlO3薄膜
陈泽民
,
路品
,
贾岩
材料保护
为了克服传统锌系磷化工艺的诸多缺点,在传统的锌系磷化液中加入马丙共聚物和铜脲配位化合物,通过正交试验优选出了一种环保、单组分、低温无渣的新型磷化工艺,并将此工艺制得的磷化膜的性能、形貌、成分与普通锌系磷化膜进行比较.结果表明:最佳的新型磷化工艺为1.0g/L铜脲配位化合物,1.5 g/L氧化锌,15.0mL/L磷酸,10.0 mL/L马丙共聚物,磷化时间15 min,磷化温度20℃;最佳工艺时磷化液游度酸度8点,总酸度30点;新型工艺制得的磷化膜为均匀致密的球状结晶,耐蚀性、漆膜附着力、抗冲击力均优于普通锌系磷化膜.
关键词:
低温锌系磷化
,
铜脲配位化合物
,
马丙共聚物
,
性能
,
形貌
张发生
,
戴韧
工程热物理学报
本文在平面叶栅风洞上实验测量了设计工况下，具有压力面及吸力面单排离散气膜孔射流的导向叶栅卜游流场，对比研究不同射流比时叶型损失的变化。实验中主流与射流采用相同的工质。结果表明：压力面射流及吸力面射流时，平均总压损失随射流比的增加均表现出先减小后增大的变化趋势，但是损失增大或减小的数值不同，吸力面射流及压力面射流都会使尾迹区发生改变。高压射流气体的动量和质量对损失数值的影响，在小射流比时可以忽略，但是在大射流比时则必须要考虑，才能准确地反映叶型流动损失。
关键词:
平面叶栅
,
气膜射流
,
损失系数
,
叶片尾迹
