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  • 论文(15)

不同工艺条件对FePt-AlN纳米薄膜磁性影响的研究

张恩 , 冯春 , 李宁 , 王海成 , , 王立锦 , 于广华

功能材料

利用磁控溅射方法,在加热的单晶MgO(100)基片上制备了以AlN为母体的FePt薄膜,再经过真空热处理后,得到了具有垂直磁各向异性且无磁交换耦合作用的FePt薄膜;同时,研究了掺杂AlN含量、薄膜的厚度及退火温度对薄膜的磁性能的影响.结果表明,非磁性相AlN的添加能够降低磁交换耦合作用,但同时也会...

关键词: 磁记录介质 , 垂直磁各向异性 , 磁交换耦合作用

Ni-P底层对化学镀Co-P薄膜性能的影响

王海成 , 杜中美 , 王立锦 , , 李明华 , 于广华

功能材料

采用化学镀工艺制备了Co-P磁记录薄膜,研究了非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的生长及性能的影响.研究结果表明:非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的晶体结构及取向无明显影响,镀态的Co-P薄膜均为密排六方结构, (100)、(002)、(101)的择优取向无明显变化;但非晶无磁的Ni-P底层可以提...

关键词: 化学镀 , Co-P , 磁记录薄膜 , Ni-P

FePt/Cu多层膜化降低L10-FePt有序化温度

李宝河 , 黄阀 , 杨涛 , 冯春 , , 朱逢吾

金属学报

采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜, 再经不同温度下真空热处理得到有 序L10-(FePt)100-xCux薄膜. 结果表明, Cu的添加可以降低FePt 薄膜有序化温度. [FePt(4 nm)/Cu(0.2 nm)]10多层膜在350 ℃热处理1 h后, 有序度增至0.6, 矫顽力达到...

关键词: FePt/Cu多层膜 , L10-FePt ordered phase , magnetron sputtering

NiFe薄膜AMR元件中非均匀退磁场和宽度的相关性

张辉 , , 于广华 , 吴杏芳 , 朱逢吾

金属学报

采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制制成了厚度t=20nm、长度l=2.5mm,宽度w分别为50μm、20μm、10μm、5μm、3μm的AMR元件。测量了AMR元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明,宽...

关键词: 各向异性磁电阻 , AMR Element , Non-uniform Demagnetizing field , Magnetization Switch

NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究

李明华 , 李伟 , , 于广华

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.009

采用磁控溅射制备了 NiFeCr (4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD 结果表明,薄膜不仅具有很强的 NiFe(11...

关键词: MgO , NiFeCr , 各向异性磁电阻 , 退火

非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响

张辉 , , 于广华 , 吴杏芳 , 朱逢吾

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.008

采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件.测量了NiFe元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,理论和实验符合.

关键词: 各向异性磁电阻 , AMR元件 , 非均匀退磁场

不同底层(Ag, Ti, Cu, Pt)对[Fe/Pt]n多层膜磁性的影响

冯春 , 李宝河 , , 于广华

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.035

利用磁控溅射的方法, 在热玻璃基片上制备了[Fe/Pt]n多层膜, 经不同温度真空热处理后, 得到L10有序结构的FePt薄膜(L10-FePt).实验结果表明: [Fe/Pt]n多层膜结构可使FePt薄膜的有序化温度由500 ℃降到350 ℃, 350 ℃退火20 min后其平行膜面矫顽力可达到4...

关键词: L10-FePt薄膜 , 有序化温度 , 底层 , 多层膜结构

Al2O3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究

丁雷 , 王乐 , , 于广华

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.006

各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中.器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄.采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影...

关键词: NiFe薄膜 , 各向异性磁电阻(AMR) , 纳米氧化层 , 镜面反射

利用NiFeCr种子层提高AMR薄膜信噪比研究

李建伟 , 赵崇军 , , 于广华

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.007

NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比.制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降...

关键词: 低频噪声 , NiFeCr , 种子层 , 退火 , 信噪比

退火对Ni80Fe20/Al2O3/Ag/Al2O3/Ni80Fe20平面自旋阀中自旋积累的影响

王乐 , 于广华 , 姜勇 , 冯春 ,

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.06.010

使用电子束蒸发镀膜方法在覆有掩膜板的SiO2/Si基片上制备了Ni80 Fe20/Al2 O3/Ag/Al2 O3/Ni80 Fe20结构平面自旋阀,研究了不同退火温度对Ni80 Fe20/Al2O3/Ag/Al2 O3/Ni80Fe20平面自旋阀中自旋积累的影响.使用非局域测量方法分别测量制备态以...

关键词: 平面自旋阀 , 自旋积累信号 , 界面自旋极化率 , 自旋扩散长度

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