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本刊2012年第五期第801页刊登了熊晓英等作者的论文,这是本刊编辑部自创刊以来收到的第一篇这样的论文,该文对本刊在材料科学期刊中所处的地位及面临问题、发展方向作出如此客观、中肯的评价与指引,均使编辑部成员十分感动。今年恰是本刊创刊30周年纪念,谨以此《编后记》供奉广大读者,

关键词: 科学评价 , 论文 , 作者 , 务实 , 科学期刊 , 编辑部 , 创刊

两种新型铱（III）配合物的合成与性质研究

关俊卿 , 贺昕 , 陈峤 , 熊晓东 , 罗瑶 , 陈斐 , 吴松

贵金属

分别以2-苯基吡啶(ppy)为第一配体，以1-苯基-1,3-丁二酮(phbd)，1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-吡唑啉酮-5(pmbp)为第二配体合成了两个新的铱配合物Ir(ppy)2(pmbp)、Ir(ppy)2(phbd)，通过红外光谱、元素分析和核磁共振对其化学组成进行了结构表征，表征结果与理论吻合良好；配合物在紫外吸收光谱图上的290~310 nm处出现了强的配体自旋允许的单重态π-π*跃迁吸收峰，在400~460 nm处出现了配合物分子内金属铱到配体的单重态和三重态电荷跃迁吸收峰(1MLCT和3MLCT)；同时配合物Ir(ppy)2(pmbp)、Ir(ppy)2(phbd)在荧光光谱上522、518 nm处出现了强的绿光发射。

关键词: 铱(III)配合物 , 三重态 , 磷光

高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术

何金江 , 陈明 , 朱晓光 , 罗俊锋 , 尚再艳 , 贺昕 , 熊晓东

贵金属

高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。

关键词: 金属材料 , 半导体 , 溅射靶材 , 高纯 , 金 , 银 , 铂 , 钌

离子交换法除去高纯铂中杂质离子的研究

罗瑶 , 贺昕 , 熊晓东 , 陈斐 , 吴聪 , 陈峤 , 李轶轁

贵金属

通过理论分析选择具有合适功能基的离子交换树脂用于高纯铂的制备，并对离子交换过程中铂溶液的浓度、pH 值对贵、贱金属杂质去除效果的影响进行了研究。研究表明：001×7型强酸性阳离子树脂可以满足酸性条件下对阳离子杂质元素的选择性吸附；当铂浓度为50 g/L，在 pH=1.5时 K、Ca、Si、Pb 等贱金属杂质得到去除，在 pH=3时 Au、Ag、Ir、Pd 等贵金属杂质除去效果良好。提纯后的氯铂酸经化学沉淀、煅烧得到了纯度为99.999%的高纯铂。

关键词: 冶金技术 , 离子交换 , 高纯铂 , 强酸性阳离子交换树脂

羰基合成用催化剂三碘化铑的合成

王胜国 , 熊晓东 , 吴聪 , 李茂良 , 李治宇

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.04.024

伴随着碳一化工的发展, 三碘化铑作为羰基合成用催化剂, 近年来的应用越来越广泛. 传统的溶液法合成三碘化铑, 一般以三氯化铑为原料, 工艺操作繁琐、产品杂质含量高、收率低, 铑的损失较大. 用溶液法合成了三碘化铑, 同时利用碘可形成游离基的性能, 用铑和碘直接合成了三碘化铑. 两种工艺对比, 新工艺具有操作简单、产品纯度高和收率高的优点. 在反应温度500 ℃, 反应时间 40 h, 碘铑比100, 引发剂含量0.4%的条件下, 铑的转化率最高可达69.3%.

关键词: 三碘化铑 , 催化剂 , 合成 , 游离基

氧化铪烧结行为研究

熊晓东

稀有金属材料与工程

关键词:

pH值对胶体金制备的影响

梁敬博 , 贺昕 , 熊晓东 , 张曦 , 吴聪

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.04.020

研究了不同的溶液pH值对胶体金颜色、粒径的影响. 在不同pH值下通过柠檬酸三钠法制备胶体金溶液, 利用紫外/可见光吸收分光光度计对胶体金进行扫描, 得到最大吸收峰波长及峰宽;通过透射电镜观察其颗粒直径及分布, 再将二者结果进行比较分析. 结果显示: 随着溶液pH值变小, 胶体金颜色由红→蓝→黑, 粒径变大.

关键词: 胶体金 , pH值 , 粒径 , 柠檬酸三钠法

真空热压烧结对高纯W-Si合金靶材性能影响

丁照崇 , 何金江 , 罗俊锋 , 李勇军 , 熊晓东

稀有金属材料与工程

以高纯W-Si合金粉(＞99.995％)为原料,采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材.研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响.结果表明,烧结温度在1350～1380℃,热压压力25～30MPa,保温时间1.5～2 h,可制备出相对密度99％以上、平均晶粒尺寸100 μm以内的高性能W-Si合金靶材.

关键词: 高纯W-Si合金 , 磁控溅射靶材 , 真空热压烧结