杨喜安
,
赵国春
,
刘家军
,
宋玉波
,
董汉文
,
高建伟
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.02.003
胶东牟乳成矿带位于山东半岛的东部,控矿构造为一系列近似平行且等间距的NNE向的断层.对胶东胶莱盆地、东西向构造、牟乳成矿带及其西部变质核杂岩区的金矿床的控矿构造特征进行了研究,并对牟乳成矿带及其西部变质杂岩区的金矿床的成矿时代、地球化学特征进行了对比.研究表明,胶东胶莱盆地、东西向断裂、牟乳成矿带及其西部变质核杂岩区金矿床的控矿构造是伊佐奈岐板块和欧亚大陆板块碰撞过程产生的一系列构造;胶东牟乳成矿带为拆离断层上盘发育的断层系控矿,预测在牟乳成矿带下部,即在拆离断层附近可能存在品位更高、厚度更大的矿床.
关键词:
胶莱盆地
,
牟乳成矿带
,
拆离断层
,
控矿构造
马颖
,
张方辉
,
靳宝安
,
牟强
,
袁桃利
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.011
以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜.研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN-LCD透明电极的要求.
关键词:
ITO薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
方阻
,
透光率
,
液晶显示器
张麦丽
,
王秀峰
,
牟强
,
张方辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.01.004
将光刻胶涂敷在带有ITO薄膜的玻璃表面上,利用紫外光对其进行光刻,通过金相显微镜观察刻蚀后的ITO表面形貌,定性地讨论各个工艺的不同对刻蚀后的电极的影响,得到最佳清洗工艺为:洗涤剂棉球擦洗,然后分别用丙酮、蒸馏水超声清洗两次,烘干;对于正性光刻胶RZJ-390PG,最佳实验效果的曝光时间为5 min;最佳显影时间为2 min;最佳刻蚀时间为6 min,为OLED得到精细阳极奠定了基础.
关键词:
ITO
,
光刻
,
曝光时间
,
显影时间
,
刻蚀时间
张麦丽
,
牟强
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.019
三刺激值计算是求取各种色度量的基础.采用三刺激值的基本定义及其计算方法推导得到了色纯度为(0.33,0.33)的白光有机电致发光显示器(OLED)所需要的红、绿、蓝三基色的最佳亮度配比:红光为28.2%,绿光为57.1%,蓝光为14.7%,为实验前器件结构的选择提供了一定的理论基础.通过实验对其进行验证,得到色纯度为(0.25,0.32)的白光OLED,实验结果与理论值有一定的差别是由于器件中有机材料对各种波长的光有一定的吸收作用,对其进行了分析.
关键词:
白光OLED
,
色度学
,
三刺激值计算
袁桃利
,
王秀峰
,
牟强
,
张方辉
,
马颖
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.006
制备了一种"混合型"结构的有机电致发光器件,膜层结构为ITO/MEH-PPV/AND:TBPE/Alq3(30nm)/LiF(0.5 nm)/Al(200 nm),研究了MEH-PPV的质量以及TBPE的掺杂对器件性能的影响.当MEH-PPV的质量约为0.09 mg,TBPE的掺杂浓度为4.5%时,获得了亮度均匀的白光器件.研究中发现器件的电致发光光谱中存在黄光成分,并对此现象进行了讨论.
关键词:
有机电致发光
,
掺杂
,
能级
牟强
,
王秀峰
,
张麦丽
材料导报
在有机电致发光器件制备工艺中,可以通过控制蒸发速率获得均匀致密的有机膜,在其中引入空穴传输层NPB能改善阳极与有机层的接触,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而大幅提高器件的发光特性.
关键词:
空穴传输层
,
NPB
,
发光效率
袁桃利
,
王秀峰
,
牟强
材料导报
负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率.介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有机半导体能级的影响以及如何改善有机电致发光器件中电子注入水平,从而提高发光效率.
关键词:
负电子亲和势
,
功函数
,
发光效率
,
光电子
牟强
,
张麦丽
,
张方辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.06.009
以ITO为透明电极,NPB为空穴传输层,Alq3为发光层,制备出ITO/NPB/Alq3/LiF/Al结构的有机电致发光显示器.通过比较Alq3发光层厚度以及沉积速率对OLED的亮度、发光效率的影响,确定了Alq3层的厚度为65 nm,沉积速率为0.3 nm/s,得到起亮电压为3.01 V、发光亮度为12 800 cd/m2、发光效率达到4.421 cd/A的器件,并对其影响因素进行了分析.
关键词:
OLED
,
Alq3
,
厚度
,
沉积速率