王卫民
,
林劭华
,
曹继敏
,
张占英
,
樊亚军
,
罗斌莉
,
李雷
钛工业进展
doi:10.3969/j.issn.1009-9964.2012.03.004
研究了热加工工艺对医用TC4合金大规格棒材显微组织的影响.研究结果表明:采用单一的拔长变形方式或单一的镦拔变形方式,不能全面解决医用TC4合金大规格棒材生产过程中经常出现的显微组织不均匀和成品率低下等问题;采用温度梯度镦拔组合变形工艺(Tβ+ (30 -70)℃镦拔,变形量50%→Yβ-(10 - 30)℃镦拔,变形量50%→Tβ- (30 ~70)℃镦拔,变形量50%),可以有效改善精锻用原始棒坯的组织,从而获得具有均匀细小等轴组织的医用TC4合金(φ)70 mm棒材.
关键词:
医用TC4合金
,
棒材
,
热加工
,
显微组织
高峰
,
刘向春
,
王卫民
,
张慧君
,
田长生
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.12.001
采用电介质物理学等效电路分析方法研究了Pb(Ni1/3Nb2/3)O3基铁电陶瓷与NiZnCu铁氧体叠层共烧体的介电频率响应,探讨了共烧体界面对介电性能的影响.结果表明,叠层共烧体的介电常数随频率的增加而减小,介电损耗随着频率的增加先增大后减小,有明显的损耗峰出现;界面扩散层对叠层共烧体电学响应有影响,叠层共烧体等效电路可视为介电材料层、铁氧体材料层和界面扩散层C re-R re等效电路的串联,并且界面扩散层会对叠层共烧体低频部分的介电响应起作用.
关键词:
铁电陶瓷
,
铁氧体
,
叠层共烧
,
介电性能
赵鸣
,
王卫民
,
张慧君
,
高峰
,
田长生
稀有金属材料与工程
基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.
关键词:
ZnO-V2O5压敏电阻
,
二次合成法
,
低温烧结
高峰
,
张昌松
,
王卫民
,
赵鸣
,
田长生
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.10.012
研究了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)含量对Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3(BNKT)无铅压电陶瓷的显微组织结构及压电性能的影响规律,结果表明随KBT含量增加,BNKT无铅压电陶瓷的晶胞参数增大,密度减小,晶粒尺寸减小,居里温度从326℃升高到360℃,压电常数、介电常数和介电损耗增加,机械品质因数下降;KBT含量为0.15mol的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷位于准同型相界处,具有较佳的压电性能.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
压电性能
赵鸣
,
王卫民
,
张慧君
,
高峰
,
田长生
稀有金属材料与工程
基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.
关键词:
ZnO-V2O5压敏电阻
,
二次合成法
,
低温烧结
王贵方
,
周艳梅
,
王卫民
,
张光
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2003.04.006
研究了显色剂4-(2-噻唑偶氮)-5-二甲氨基苯胺(简称TADMA)与铑(Ⅲ)的显色反应.结果表明,在pH3.2~4.8范围内,铑(Ⅲ)与TADMA反应形成1∶2红色络合物,加入无机酸后色泽加深,络合物的表观摩尔吸光系数为1.21×105,铑质量浓度在0~0.92μg/mL范围内服从比尔定律.本方法操作简便,灵敏度高,选择性好,常见金属离子在一定范围内无干扰,用于催化剂中微量铑的测定,结果满意.
关键词:
分光光度法
,
铑
,
4-(2-噻唑偶氮)-5-二甲氨基苯胺
高峰
,
张昌松
,
赵鸣
,
王卫民
,
田长生
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01134
采用流延成型工艺制备了(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷, 研究了陶瓷退火前后的显微组织结构, 结果表明陶瓷主晶相为钙钛矿相结构, 并伴随有形貌呈针状的第二相K2Ti6O13出现; 陶瓷断面和表面的晶粒形貌有差别, 采用退火处理无法消除第二相K2Ti6O13,但可有效改善陶瓷断面的晶粒形貌, 同时增大材料的矫顽场, 并使剩余极化强度(Pr)、压电常数(d33)、介电常数(ε)与介电损耗(tanδ)变小. (Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的电滞回线表现出明显铁电体的特征, 其矫顽场为2680V/mm, Pr达36.6μC/cm2, d33达113pC/N, Kp为0.27, Qm达154.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
microstructure
,
tape casting
,
piezoelectric properties